據(jù)工商時(shí)報(bào)報(bào)道，英特爾已與臺(tái)積電達(dá)成協(xié)議，并預(yù)訂了臺(tái)積電明年18萬片6nm產(chǎn)能，此外，AMD也將擴(kuò)大對(duì)臺(tái)積電的訂單，包下多數(shù)7/7+nm產(chǎn)能。vrKesmc
報(bào)道稱，鑒于美國對(duì)于華為禁令至今沒有松綁跡象，市場(chǎng)原本預(yù)期臺(tái)積電會(huì)因?yàn)樯倭巳A為海思訂單將導(dǎo)致明年7nm制程出現(xiàn)產(chǎn)能空缺。而英特爾及AMD將在明年上演臺(tái)積電7nm制程產(chǎn)能爭(zhēng)奪戰(zhàn)讓臺(tái)積電“漁翁得利”一舉拿兩單大單，市場(chǎng)預(yù)估臺(tái)積電明年上半年先進(jìn)制程仍將維持滿載。vrKesmc
據(jù)了解，英特爾因?yàn)?nm制程良率表現(xiàn)比內(nèi)部目標(biāo)落后了約12個(gè)月，首顆7nm處理器推出時(shí)間延后至2022年底之后。vrKesmc
“我們必須使用其他公司的工藝技術(shù)，我們稱之為應(yīng)變計(jì)劃，我們準(zhǔn)備這樣做。”英特爾首席執(zhí)行官Bob Swan在第2季財(cái)報(bào)會(huì)中除了承認(rèn)了因?yàn)?nm制程良率表現(xiàn)比內(nèi)部目標(biāo)落后外，還表示會(huì)利用外在晶圓代工產(chǎn)能因應(yīng)需求。vrKesmc
在此之前， 7月24日凌晨，英特爾發(fā)布2020財(cái)年第二季度財(cái)報(bào)，并表示其即將推出的7nm工藝遇到了一些問題，從而導(dǎo)致下一代芯片的上市時(shí)間推遲6個(gè)月左右，目前正在調(diào)整其產(chǎn)品路線圖，并加快其10nm產(chǎn)品的過渡。vrKesmc
“我們必須使用其他公司的工藝技術(shù)，我們稱之為應(yīng)變計(jì)劃，我們準(zhǔn)備這樣做。”英特爾首席執(zhí)行官Bob Swan除了承認(rèn)了因?yàn)?nm制程良率表現(xiàn)比內(nèi)部目標(biāo)落后外，還表示會(huì)利用外在晶圓代工產(chǎn)能因應(yīng)需求。vrKesmc
隨后有消息稱，英特爾已與晶圓代工龍頭臺(tái)積電達(dá)成協(xié)議，明年開始采用臺(tái)積電7nm優(yōu)化版本的6nm制程量產(chǎn)處理器或制圖芯片。vrKesmc
對(duì)此，臺(tái)積電表示不評(píng)論單一客戶接單及業(yè)務(wù)發(fā)展；英特爾亦表示不評(píng)論市場(chǎng)傳言。vrKesmc
至于AMD方面則依原訂規(guī)劃持續(xù)進(jìn)行產(chǎn)品線轉(zhuǎn)換，由于英特爾的制程延遲，AMD將在明年擴(kuò)大處理器及制圖芯片出貨量，持續(xù)攻占PC及筆電、服務(wù)器等市占率。vrKesmc
報(bào)道進(jìn)一步指出，AMD今年底至明年會(huì)開始進(jìn)行Zen 3架構(gòu)處理器及RDNA 2架構(gòu)制圖芯片的產(chǎn)品線交替，擴(kuò)大對(duì)臺(tái)積電7/7+nm制程下單，明年會(huì)是臺(tái)積電7nm制程最大客戶。vrKesmc
責(zé)任編輯：ElainevrKesmc
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