由于中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松博士在中芯國際2月份的財(cái)報(bào)會(huì)議上首次公開了N+1、N+2代工藝的情況。隨后有外媒報(bào)道，稱中芯國際或在今年生產(chǎn)7nm的芯片，中國芯片制造技術(shù)要追上來了。J2Eesmc
為此，我們致電專業(yè)人士，得知上述報(bào)道“鬧了烏龍”，并進(jìn)一步了解了N+1工藝節(jié)點(diǎn)，得到了來自專業(yè)人士的解釋：J2Eesmc
【至于N + 1，NTO(New Tape-out)是去年第四季度。目前正處于客戶產(chǎn)品驗(yàn)證階段，預(yù)計(jì)第四季度會(huì)產(chǎn)生有限產(chǎn)量。J2Eesmc
關(guān)于N + 1，如果比較14nm和N+1，N+1性能提高了20％，功耗降低了57％，邏輯面積降低了63％，SOC面積降低了55％。因此與市場上的7nm相比，實(shí)際上在功率和穩(wěn)定性方面非常相似，唯一的區(qū)別是性能，N + 1的性能提高了約20％，但就市場基準(zhǔn)而言，大概是35％。這是唯一的差距。J2Eesmc
因此，就功率和穩(wěn)定性而言，可將其稱為7nm，而在性能方面確實(shí)要比7nm差。N + 1的目標(biāo)是低成本的應(yīng)用，可以將成本相對7nm減少10%左右。因此，這是一個(gè)非常特殊的應(yīng)用。】J2Eesmc
根據(jù)以上說明，“N+1”是中芯國際的官方代號(hào)，中芯國際并沒有說它是7nm節(jié)點(diǎn)。部分網(wǎng)傳可以是曲解了中芯國際Co-CEO梁孟松博士在最近的財(cái)政年度報(bào)告會(huì)議的內(nèi)容。J2Eesmc
也有專業(yè)人士分析，從參數(shù)上來看，這個(gè)n+1實(shí)際上就是臺(tái)積電和三星的10nm節(jié)點(diǎn)，因?yàn)樗惶嵘?0%的性能，遠(yuǎn)低于臺(tái)積電計(jì)劃的30%和實(shí)際的35%——業(yè)界現(xiàn)在以35%為市場基準(zhǔn)。這么低的性能提升顯然不能被稱為7nm，它更像三星的第二代10nm和第三代10nm（就是8nm）。J2Eesmc
綜上，今年第四季度量產(chǎn)的應(yīng)該是14nm的優(yōu)化版本12nm，在進(jìn)入7nm之前，隨著14nm華為的訂單的導(dǎo)入，期待中芯國際能拿到更多的14/12nm訂單，以便為7nm的研發(fā)積蓄力量。J2Eesmc
EUV沒搞定，7nm怎么辦？
據(jù)《電子工程專輯》了解，針對中芯國際的工藝，EUV對于目前N+1階段是不必要的，當(dāng)然如果未來能從ASML得到EUV，可能對N+2有用。J2Eesmc
N+2與7nm的穩(wěn)定性接近，但性能還是差一些。J2Eesmc
前段時(shí)間中芯國際四季度財(cái)報(bào)中，粱孟松博士也明確說中芯國際可以不用EUV的光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)7nm工藝（當(dāng)然后面5nm/ 3nm還是要用的）。J2Eesmc
從TSMC的歷史經(jīng)驗(yàn)來看，第一代7nm（低功耗的N7）沒用EUV，后面一些衍生版本才用到——而且用的不多，據(jù)稱大幾十層光罩中，只有屈指可數(shù)的幾層用了EUV。J2Eesmc
當(dāng)然，中芯國際如果今年能拿到ASML的光刻機(jī)的話，下一代節(jié)點(diǎn)的演進(jìn)肯定會(huì)加速。J2Eesmc
原文發(fā)表于ASPENCORE旗下ESMC姐妹媒體電子工程專輯，責(zé)編：ElaineJ2Eesmc
