據(jù)Business Korea報(bào)道,韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究院(KIST)在3月8日宣布,一個(gè)科研小組已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出一種新的化合物,可以替代用于生產(chǎn)藍(lán)光LED的氮化鎵材料。該項(xiàng)研究成果目前已經(jīng)被發(fā)表在最新一期的《科學(xué)報(bào)告》上。twuesmc
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報(bào)道網(wǎng)頁(yè)截圖twuesmc
此前日本開(kāi)發(fā)出一種制造高質(zhì)量氮化鎵的方法,用于生產(chǎn)藍(lán)光LED,這種藍(lán)光LED被用作智能手機(jī)、顯示器、電子產(chǎn)品和高頻設(shè)備的核心設(shè)備。twuesmc
公開(kāi)資料顯示,氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料的代表之一,具備易散熱,體積小,損耗小,功率大等諸多優(yōu)點(diǎn),被業(yè)內(nèi)寄予厚望??杀粦?yīng)用于光電、功率和射頻等多個(gè)領(lǐng)域,同時(shí)能滿足高功率密度、低能耗、高頻率等要求。twuesmc
而此次韓科院研究小組是使用一種由銅和碘合成的碘化銅化合物(CuI)來(lái)生產(chǎn)藍(lán)光LED。一名研究人員介紹道:“我們發(fā)現(xiàn),碘化銅半導(dǎo)體可以發(fā)出藍(lán)光,其亮度是氮化鎵半導(dǎo)體的10倍以上,此外在光電效率和長(zhǎng)期設(shè)備穩(wěn)定性方面的表現(xiàn)也很出色。”twuesmc
研究人員開(kāi)發(fā)的碘化銅半導(dǎo)體可以在缺陷少的低成本硅基板上生長(zhǎng),因此具有使用目前可商購(gòu)的大尺寸硅基板(300毫米)的優(yōu)勢(shì)。此外,碘化銅薄膜的生長(zhǎng)溫度類似于硅基工藝中使用的溫度(低于300攝氏度),可以在不犧牲性能的情況下沉積碘化銅薄膜。因此,這項(xiàng)研究成果可以應(yīng)用于低成本和簡(jiǎn)單的硅半導(dǎo)體工藝。twuesmc
這一研究成果的意義在于,通過(guò)在硅襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量的銅鹵素單晶碘化銅,實(shí)現(xiàn)高效的藍(lán)光發(fā)射,在世界范圍內(nèi)首次展示了一種新的使用銅鹵素化合物的半導(dǎo)體材料新技術(shù)。twuesmc
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