2019年的內(nèi)存市場環(huán)境因DRAM和NAND價(jià)格下滑受到很大影響。據(jù)Objective Analysis首席分析師Jim Handy的預(yù)計(jì)，到2020年市場將保持平穩(wěn)，而DRAM因?yàn)榻?jīng)歷了價(jià)格暴跌而給利潤率帶來了巨大壓力。Handy指出，價(jià)格可能還會進(jìn)一步下跌。“預(yù)計(jì)明年NAND閃存價(jià)格將上漲5％，但DRAM將下降25％，所以，這將是混亂的一年。但當(dāng)塵埃落定，我們認(rèn)為2020年的存儲器市場仍將持續(xù)供過于求。”k2Sesmc

當(dāng)前存儲器價(jià)格低廉意味著新型存儲器的機(jī)會不多，因?yàn)榈蛢r(jià)的DRAM和閃存完全可以滿足需求。Handy認(rèn)為：“新型存儲器仍然需要經(jīng)過漫長而艱苦的奮斗才能跟主流存儲器競爭。”而且，根據(jù)存儲器制造商的路線規(guī)劃圖，DRAM和NAND都還有很大的發(fā)展空間，因此這二者都不會很快退出市場。k2Sesmc

IHS Markit總監(jiān)Michael Yang也這么認(rèn)為，新興的存儲器產(chǎn)品今年不大可能蓬勃發(fā)展。他說：“新興存儲器仍要面對很多障礙。”它們面臨的挑戰(zhàn)包括規(guī)?；员銓⒊杀窘档偷胶侠淼膬r(jià)格點(diǎn)，從而進(jìn)入更多應(yīng)用領(lǐng)域；而多數(shù)情況下，DRAM和閃存也將繼續(xù)按照其發(fā)展線路圖取得進(jìn)展。可以預(yù)期的是，大多數(shù)供應(yīng)商的128層Flash已經(jīng)整裝待發(fā)，但是無論Flash還是DRAM的增產(chǎn)都不會特別快。從歷史發(fā)展來看，存儲新技術(shù)的更替并不是那么激進(jìn)，特別是DRAM。任何存儲新技術(shù)的發(fā)展都是小步前進(jìn)。”k2Sesmc

介于新興存儲和現(xiàn)有成熟產(chǎn)品之間的是3D Xpoint技術(shù)，其主要產(chǎn)品為英特爾的Optane SSD和DIMM，美光曾經(jīng)與英特爾共同開發(fā)這項(xiàng)技術(shù)，但現(xiàn)在并沒有努力推動。Yang表示，英特爾一直在積極宣傳Optane的價(jià)值體現(xiàn)，“但我認(rèn)為大多數(shù)人仍在觀望。”他說，Optane的主要障礙在于構(gòu)建生態(tài)系統(tǒng)，僅僅為客戶提供樣品用于評估是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，還要包括硬件、軟件、固件，以及芯片組、處理器和預(yù)期應(yīng)用的支持。“很遺憾，這是一個生態(tài)系統(tǒng)游戲。”k2Sesmc

Objective Analysis去年秋季發(fā)布的一份報(bào)告推測，如果將中國從亞太地區(qū)中劃撥出來，中國半導(dǎo)體的月銷售量如上圖所示。但是，新冠狀病毒的出現(xiàn)可能會在短期內(nèi)影響中國的存儲器量產(chǎn)計(jì)劃。（來源：Objective Analysis）k2Sesmc

Yang表示，Optane相比其它新興存儲器更具潛力，并且在產(chǎn)量方面可能是領(lǐng)先的，但必須解決成本難題。價(jià)格是一個重要的考量因素?？蛻羰欠褓徺I取決于他想為獲得的性能付出多少，”他說。“DRAM價(jià)格已經(jīng)下降到非常合理的水平了，因此Optane目前不具備任何價(jià)格方面的優(yōu)勢。”k2Sesmc

Forward Insights首席分析師Gregory Wong認(rèn)為，2019年是Optane的商用元年，Optane第一次批量出貨，但他也承認(rèn)DRAM價(jià)格暴跌是Optane定價(jià)的一個影響因素。他說：“我們還未看到3D XPoint的定價(jià)出現(xiàn)類似情形”Wong指出，還有一個因素需要考慮，那就是美光正在出貨3D Xpoint SSD。因此，對于期望值高于市場需求的技術(shù)來說，我們只能靜觀其變。k2Sesmc

較低的DRAM價(jià)格可能會限制Intel Optane DIMM的采用，而較低的3D NAND價(jià)格則可能影響SSD的采用。Wong表示：“當(dāng)NAND價(jià)格低廉時，必須有非常具說服力的用例來支持采用昂貴的同類產(chǎn)品。而且，如果NAND價(jià)格降到很低的地步，客戶可能會超量配置?？蛻舾敢獍灿诂F(xiàn)狀。”k2Sesmc

至于其它新興存儲器，Wong認(rèn)為ReRAM作為高密度內(nèi)存今年不會有什么建樹，而可能在嵌入式應(yīng)用中作為一種可行的低功耗替代方案。Wong認(rèn)為，MRAM盡管也面臨一些固有挑戰(zhàn)，但作為獨(dú)立元器件，在2020年將會有更多機(jī)會。“它不是一種常規(guī)的內(nèi)存類型。”如今它的性能低于DRAM，卻價(jià)格昂貴。“因?yàn)镸RAM屬于持久性的存儲類型，基本上只有有限的利基市場才能接受它高昂的價(jià)格。”k2Sesmc

預(yù)計(jì)5G與4G的融合將推動電信設(shè)備和數(shù)據(jù)中心對固態(tài)存儲和內(nèi)存的需求。k2Sesmc

并非所有人都對MRAM持樂觀態(tài)度。Applied Materials半導(dǎo)體產(chǎn)品部存儲技術(shù)執(zhí)行總監(jiān)Gill Lee認(rèn)為，盡管人們熱議MRAM的潛力，但這項(xiàng)技術(shù)今年不會有很大大突破。“MRAM仍然局限于微控制器中的嵌入式閃存替代。”他還認(rèn)為，DRAM和NAND的低價(jià)將限制3D Xpoint的普及，而英特爾正努力通過其Optane產(chǎn)品來驅(qū)動3D Xpoint的發(fā)展。k2Sesmc

由于供過于求而導(dǎo)致的低價(jià)也往往意味著制造商的資本支出減少，但是Lee提到，三星電子去年年底宣布將在中國西安的內(nèi)存工廠追加投資80億美元，這一舉動給業(yè)界帶來希望。他進(jìn)一步樂觀地估計(jì)，5G部署將為數(shù)據(jù)中心帶來更多流量。“基本上，數(shù)據(jù)中心是內(nèi)存芯片的主要客戶。”（不過，Handy對此則持謹(jǐn)慎態(tài)度，盡管他認(rèn)為5G是今年的重頭戲，但還要看消費(fèi)者是否急于購買5G新手機(jī)。）k2Sesmc

但是，對于規(guī)?；a(chǎn)的DRAM和NAND來說，從技術(shù)角度來看，Lee看不到任何重大進(jìn)展。他說,“規(guī)模化成本效益是最大的挑戰(zhàn)。”任何技術(shù)替換的速度都將與價(jià)格密切相關(guān)。“如果價(jià)格下降壓力持續(xù)存在，轉(zhuǎn)換節(jié)點(diǎn)將非常具有挑戰(zhàn)性。但是，一旦轉(zhuǎn)換節(jié)點(diǎn)開始，規(guī)模化成本效益將快速顯現(xiàn)，但仍然需要資本投入。”k2Sesmc

Handy說，由于建立一個新晶圓廠的成本增長太快并且蠶食了利潤，對資本投資的需求可能會導(dǎo)致DRAM領(lǐng)域的一些整合兼并。“如果還有外來者加入市場，那將會給現(xiàn)有供應(yīng)商帶來更大的整合兼并壓力。”k2Sesmc

這些新進(jìn)入者很大可能來自中國。除了價(jià)格壓力和技術(shù)進(jìn)步外，全球經(jīng)濟(jì)氣候和貿(mào)易關(guān)系也將成為存儲器市場的主要影響因素，其中包括中國在不斷發(fā)掘自身能力，以減少對國外供應(yīng)商的依賴。IHS的Yang表示，無論增加多少關(guān)稅，我們可以看到中國在存儲器方面變得越來越強(qiáng)大，因?yàn)橘Q(mào)易緊張局勢助長了中國在內(nèi)存市場的雄心。Yang說，“他們認(rèn)為這是絕對必要的； 中國無疑將在每個市場上都成為更強(qiáng)大的參與者。也許不是在2020年，但在2021年及以后絕對會。”k2Sesmc

不過，在我進(jìn)行上述采訪時，新冠病毒尚未成為一個影響因素。它現(xiàn)在已經(jīng)對經(jīng)濟(jì)產(chǎn)生了短期影響，因?yàn)楣?yīng)鏈隨時可能中斷。此外，英國脫歐(Brexit)以及中美之間持續(xù)的緊張局勢毫無疑問仍將是今年的不穩(wěn)定因素。k2Sesmc

（參考原文：Flat Pricing, Minimal Transitions for Memory in 2020 編譯：Amy Guan）k2Sesmc

本文為ASPENCORE旗下《國際電子商情》姐妹刊《電子工程專輯》2020年3月刊雜志文章 k2Sesmc