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12月原廠新品推薦:傳感器、MOSFET、降壓穩(wěn)壓器、電感器

2019年最后一期“新品推薦”,能很明顯的觀察到,為了節(jié)省空間和成本,元器件集成化的程度越來(lái)越高,對(duì)原廠的技術(shù)研發(fā)水平要求也有增無(wú)減。有理由相信,2020年元器件將會(huì)是一個(gè)以技術(shù)爭(zhēng)霸的時(shí)代……以下是6款元器件新品推薦:

電感式位置傳感器

12月17日,艾邁斯半導(dǎo)體(AMS)推出首款適用于高速汽車(chē)電機(jī)和工業(yè)電機(jī)的電感式位置傳感器——AS5715。基于AS5715的新型轉(zhuǎn)子位置傳感解決方案具有廣泛用于高速電機(jī)的旋轉(zhuǎn)變壓器的精確性和延遲性,同時(shí)還可顯著降低物料成本、尺寸和重量。更重要的是,由于IC基于汽車(chē)功能安全完整性等級(jí)ASIL-C標(biāo)準(zhǔn),且冗余方案支持ASIL-D標(biāo)準(zhǔn),所以該解決方案是完全符合ISO 26262功能安全標(biāo)準(zhǔn)。ZJSesmc

按價(jià)值計(jì)算,整個(gè)電機(jī)(包括牽引電機(jī))市場(chǎng)的復(fù)合年增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)為8.3%,2021年估計(jì)將達(dá)到346億美元。ZJSesmc

CMOS傳感器

12月19日,艾邁斯半導(dǎo)體(AMS)宣布,借助其最新推出的集成式X射線探測(cè)器芯片——AS5950,ams將可進(jìn)一步降低計(jì)算機(jī)斷層掃描(CT)設(shè)備的成本。憑借艾邁斯半導(dǎo)體在傳感器設(shè)計(jì)和封裝領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)知識(shí),AS5950集成式X射線探測(cè)器芯片可提高CT探測(cè)器的性能,圖像更詳實(shí),系統(tǒng)成本更低。ZJSesmc

AS5950這款CMOS器件在同一芯片上集成一個(gè)高靈敏度光電二極管陣列和一個(gè)64通道模數(shù)轉(zhuǎn)換器。AS5950單芯片更容易安裝到CT探測(cè)器模塊中。目前,CT掃描儀制造商需要在復(fù)雜的PCB上安裝一個(gè)分立式光電二極管陣列,并通過(guò)較長(zhǎng)的走線將其連接至分立式讀取芯片。將8層和16層CT掃描儀中復(fù)雜的PCB組件更換為單個(gè)AS5950芯片大大降低了圖像噪聲,更重要的是降低了制造商的材料和生產(chǎn)成本。ZJSesmc

MOSFET

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12月11日,Vishay推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK® 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET——SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)內(nèi)最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件,專(zhuān)門(mén)用于提高電池管理系統(tǒng)、直插式和無(wú)線充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及電源的功率密度和效率。ZJSesmc

日前發(fā)布的雙片MOSFET在10V電壓下RS-S(ON) 典型值低至10m,是3mm x 3mm封裝導(dǎo)通電阻最低的60V器件,比這一封裝尺寸排名第二的產(chǎn)品低42.5%,比Vishay上一代器件低89%。從而降低電源通道壓降,減小功耗,提高效率。新型MOSFET現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨供貨周期為30周。ZJSesmc

SiC FET

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12月9日,美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布將推出四種新型SiC FET,其RDS(ON)值可低至7mΩ,并可提供前所未有的性能和高效率,適用于電動(dòng)汽車(chē)(EV)逆變器、高功率DC/DC轉(zhuǎn)換器、大電流電池充電器和固態(tài)斷路器等高功率應(yīng)用。在這四款全新UF3C SiC FET器件中,一款產(chǎn)品額定電壓值為650V,RDS(on)為7 mΩ,另外三款電壓額定值為1200V,RDS(on)分別為9和16 mΩ。所有器件都采用通用型TO247封裝。預(yù)計(jì)2020年第二季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。ZJSesmc

降壓穩(wěn)壓器

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12月9日,Vishay推出兩款新型2A~12A microBUCK®系列同步降壓穩(wěn)壓器,輸入電壓范圍分別為4.5V至55V(SiC476/7/8/9) 和4.5V至60V(SiC466/7/8/9)。Vishay Siliconix器件采用小型5x5 PowerPAK封裝,內(nèi)含高性能n溝道溝槽式MOSFET與控制器,具有高效率和高功率密度,內(nèi)部補(bǔ)償功能則減少外部元器件數(shù)量。日前發(fā)布的microBUCK穩(wěn)壓器采用相同控制器IC和封裝外形,同時(shí)提供一系列MOSFET額定值,設(shè)計(jì)人員可從中選擇最佳性?xún)r(jià)比組合。ZJSesmc

日前發(fā)布的穩(wěn)壓器工作電流僅為156µA,峰值效率達(dá)98%,設(shè)計(jì)人員可減少功耗提高功率密度。高效率結(jié)合5mm x 5mm PowerPAK封裝優(yōu)異的熱設(shè)計(jì),使穩(wěn)壓器能在較低溫度下工作,從而提高長(zhǎng)期穩(wěn)定性,而且不需要加裝散熱片。microBUCK安全工作區(qū)范圍寬,便于設(shè)計(jì)人員靈活滿(mǎn)足各種工作溫度和電流要求。因此,設(shè)計(jì)人員可以縮小PCB尺寸,簡(jiǎn)化熱管理并降低系統(tǒng)成本。ZJSesmc

IHDF邊繞通孔電感器

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12月12日,Vishay推出一款新型IHDF邊繞通孔電感器——IHDF-1300AE-10,額定電流72A,飽和電流高達(dá)230A,適合用于工業(yè)等應(yīng)用。Vishay Dale IHDF-1300AE-10采用鐵粉磁芯技術(shù),最大高度僅為15.4mm,在-55℃至+125℃嚴(yán)苛的工作溫度范圍內(nèi),交流和直流功耗低,具有優(yōu)異的散熱性能。ZJSesmc

日前發(fā)布的這款器件邊繞線圈最大直流電阻(DCR)低至1.1m,最大限度減少損耗,有助于改善額定電流性能,提高效率。與鐵氧體解決方案相比,IHDF-1300AE-10飽和電流提高75%。器件超薄封裝便于設(shè)計(jì)師滿(mǎn)足苛刻的機(jī)械沖擊和振動(dòng)要求,同時(shí)降低高度,節(jié)省空間。ZJSesmc

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