11月27日，由全球高科技產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢(xún)（TrendForce）旗下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究中心DRAMeXchange主辦的“2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)（MTS2020）”在深圳舉行。本次峰會(huì)匯聚全球半導(dǎo)體及存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈重量級(jí)嘉賓以及集邦咨詢(xún)資深分析師，與來(lái)自產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的數(shù)百名參會(huì)嘉賓共同探討2020年存儲(chǔ)市場(chǎng)新趨勢(shì)、新變化。8jpesmc

本峰會(huì)圍繞半導(dǎo)體及存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，議題分別從內(nèi)存與閃存的市場(chǎng)供需態(tài)勢(shì)、技術(shù)發(fā)展方向、應(yīng)用領(lǐng)域趨勢(shì)等方面，詳細(xì)解讀全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境、產(chǎn)業(yè)細(xì)分市場(chǎng)以及技術(shù)演變動(dòng)態(tài)，深度分析未來(lái)的驅(qū)動(dòng)因素和應(yīng)用商機(jī)，為產(chǎn)業(yè)及企業(yè)同步提供前瞻性、戰(zhàn)略性規(guī)劃參考，助力存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)把握商機(jī)。8jpesmc

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圖1：集邦科技董事長(zhǎng)劉炯朗致開(kāi)幕詞8jpesmc

會(huì)議伊始，集邦科技董事長(zhǎng)劉炯朗為大會(huì)做開(kāi)幕致辭，對(duì)所有參會(huì)嘉賓的蒞臨表示感謝。緊接著，集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究中心DRAMeXchange與拓墣產(chǎn)業(yè)研究院的半導(dǎo)體及存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)各細(xì)分領(lǐng)域分析師、行業(yè)專(zhuān)家等展開(kāi)精彩演講，下面整理了各演講嘉賓演講的主要內(nèi)容，以饗讀者：8jpesmc

郭祚榮：2020年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)分析

圖2：集邦咨詢(xún)DRAMeXchange研究副總經(jīng)理 郭祚榮8jpesmc

全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)出量明年年成長(zhǎng)為12%，為近十年來(lái)新低的水平，原因在于各內(nèi)存大廠(chǎng)對(duì)于資本支出保守加上工藝轉(zhuǎn)進(jìn)趨緩?fù)?，?nèi)存價(jià)格亦歷經(jīng)了長(zhǎng)達(dá)一年半的下跌，都讓內(nèi)存大廠(chǎng)想藉由產(chǎn)出的控制，以期明年市場(chǎng)從現(xiàn)在的供過(guò)于求往供需平衡邁進(jìn)。8jpesmc

從產(chǎn)能與工藝的角度來(lái)看，全球內(nèi)存投片只有4%的成長(zhǎng)，三大主要內(nèi)存廠(chǎng)明年幾乎沒(méi)有大規(guī)模新增的產(chǎn)能，明年1X/1Ynm依然是市場(chǎng)主要工藝，1Znm工藝呈現(xiàn)緩步成長(zhǎng)。集邦咨詢(xún)預(yù)估，明年內(nèi)存價(jià)格將有機(jī)會(huì)在上半年止跌反彈，改善目前的獲利結(jié)構(gòu)。8jpesmc

鐘寶星：5G芯引擎為存儲(chǔ)提供核心動(dòng)力

圖3：紫光展銳消費(fèi)電子產(chǎn)品規(guī)劃部部長(zhǎng) 鐘寶星8jpesmc

5G大帶寬、海量連接、超低時(shí)延的豐富應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)存儲(chǔ)提出了更大容量、更加穩(wěn)定、更快響應(yīng)的新要求。5G芯引擎的發(fā)動(dòng)，從中心、云端存儲(chǔ)維度和邊緣、終端存儲(chǔ)維度都會(huì)帶來(lái)新的變革，為存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)提供核心動(dòng)力。8jpesmc

5G時(shí)代下IOT將產(chǎn)生海量數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2025年物聯(lián)網(wǎng)終端產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量約80ZB，相當(dāng)于約5154噸1T硬盤(pán)。邊緣數(shù)據(jù)在廣度、深度、精度上的全面提升，帶來(lái)存儲(chǔ)、模組、傳感器全面升級(jí)；5-10倍的速率提升，主流應(yīng)用內(nèi)容質(zhì)量提升數(shù)倍，讀寫(xiě)速度需求同步增長(zhǎng)，5G帶來(lái)大帶寬意味著更大量的信息需要被傳輸、處理和存儲(chǔ)，勢(shì)必帶動(dòng)新的一輪硬件升級(jí)，帶來(lái)新一波智能手機(jī)換機(jī)熱潮。未來(lái)5G加AI的融合，數(shù)據(jù)除了在中心云端處理外，數(shù)據(jù)也會(huì)在邊緣端做更多的處理，邊緣AI的普及以及終端低延時(shí)應(yīng)用均對(duì)存儲(chǔ)提出了更高、更快、更強(qiáng)的要求。8jpesmc

中國(guó)作為全球最大的智能手機(jī)市場(chǎng)，將成為存儲(chǔ)的先鋒市場(chǎng)。5G時(shí)代全球性的終端升級(jí)帶動(dòng)存儲(chǔ)的高速增長(zhǎng)，將全面開(kāi)啟存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的新黃金時(shí)代。8jpesmc

余大年：存儲(chǔ)在電子競(jìng)技產(chǎn)業(yè)鏈中的應(yīng)用

圖4：芝奇國(guó)際技術(shù)行銷(xiāo)總監(jiān) 余大年8jpesmc

近年來(lái)電競(jìng)產(chǎn)業(yè)在世界各地快速成長(zhǎng)，加上現(xiàn)代電競(jìng)電腦需要更強(qiáng)大的多任務(wù)同步處理能力及執(zhí)行高畫(huà)質(zhì)游戲的性能，帶動(dòng)了高速度、高容量存儲(chǔ)產(chǎn)品的需求。[!--empirenews.page--]8jpesmc

芝奇國(guó)際為全球高端電競(jìng)內(nèi)存領(lǐng)導(dǎo)品牌，多年來(lái)透過(guò)獨(dú)特的極限超頻技術(shù)，將每一世代硬件效能發(fā)揮至極限，不僅提供電競(jìng)玩家更高性能內(nèi)存產(chǎn)品，也同時(shí)樹(shù)立下一世代高端硬件的規(guī)格標(biāo)竿，成為加速人類(lèi)科技進(jìn)化的推手。8jpesmc

DDR5即將問(wèn)世，內(nèi)存速度及容量勢(shì)必再做提升，如何能持續(xù)開(kāi)發(fā)出更高性能產(chǎn)品以滿(mǎn)足電競(jìng)玩家需求，將會(huì)是各大存儲(chǔ)廠(chǎng)商如何于電競(jìng)市場(chǎng)致勝的關(guān)鍵。8jpesmc

葉茂盛：2020年智能手機(jī)發(fā)展與存儲(chǔ)市場(chǎng)趨勢(shì)分析

圖5：集邦咨詢(xún)DRAMeXchange分析師 葉茂盛8jpesmc

智能手機(jī)市場(chǎng)已經(jīng)發(fā)展進(jìn)入高原期，加上硬件創(chuàng)新幅度有限的因素，2020年生產(chǎn)量將大致持平，其中行動(dòng)裝置存儲(chǔ)需求除傳統(tǒng)上消費(fèi)者越換越大的預(yù)期以外，明年受到5G手機(jī)滲透率提升影響，所需傳輸速度與容量要求皆有提升，在嵌入式產(chǎn)品界面方面，eMMC 5.1已難以負(fù)荷5G時(shí)代的基本傳輸要求，加上價(jià)格的誘因，UFS 2.1/3.0有望在2020年加速滲透，促使行動(dòng)裝置市場(chǎng)閃存位元出貨成長(zhǎng)達(dá)到32%，較2019年不到30%改善，也有助于整體閃存市場(chǎng)需求有較佳成長(zhǎng)表現(xiàn)。8jpesmc

徐征：利基型DRAM市場(chǎng)趨勢(shì)分析

圖6：晉華集成副總經(jīng)理 徐征8jpesmc

目前利基型DRAM (specialty DRAM)主要應(yīng)用于消費(fèi)型電子產(chǎn)品。2019年DRAM市場(chǎng)供過(guò)于求，各大DRAM業(yè)者通過(guò)降價(jià)減產(chǎn)的方式降低庫(kù)存水位，同時(shí)三大DRAM業(yè)者重新調(diào)整產(chǎn)線(xiàn)，加速1Znm制程，帶動(dòng)利基型DRAM的規(guī)格朝向DDR4邁進(jìn)。8jpesmc

需求端，目前利基型DRAM的位需求量持續(xù)提升已是市場(chǎng)共識(shí)，而中國(guó)龐大市場(chǎng)需求是中國(guó)DRAM制造業(yè)者們的商機(jī)所在；供給端，在三大供應(yīng)商加速利基型DRAM規(guī)格迭代情況下，市場(chǎng)上普遍認(rèn)為消費(fèi)型電子市場(chǎng)DDR4及LPDDR4的滲透率將逐年提升。8jpesmc

然而，大部分的消費(fèi)型電子產(chǎn)品并不需要如此快速的規(guī)格轉(zhuǎn)型，加上中國(guó)已領(lǐng)先全球著手布建5G系統(tǒng)，更有利于殺手級(jí)應(yīng)用的產(chǎn)生，在此情形之下，倘若中國(guó)DRAM業(yè)者能夠補(bǔ)足需求缺口，滿(mǎn)足當(dāng)下市場(chǎng)的需求，勢(shì)必能減緩終端應(yīng)用廠(chǎng)商面臨被迫轉(zhuǎn)換的壓力，這將是中國(guó)DRAM業(yè)者成長(zhǎng)的好機(jī)會(huì)。8jpesmc

吳元雄：存儲(chǔ)技術(shù)與解決方案發(fā)展

圖7：力晶積成電子存儲(chǔ)器事業(yè)群總經(jīng)理 吳元雄8jpesmc

傳統(tǒng)計(jì)算器架構(gòu)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器帶寬是受限的。在一些存儲(chǔ)器存取頻繁的應(yīng)用中，處理器往往會(huì)因帶寬受限，無(wú)法獲得充分?jǐn)?shù)據(jù)進(jìn)行有效運(yùn)算，這就是所謂“內(nèi)存墻”或 “memory wall”問(wèn)題。8jpesmc

力晶積成電子身為專(zhuān)業(yè)晶圓代工廠(chǎng)，除了邏輯晶圓代工之外，也是業(yè)界唯一專(zhuān)業(yè)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器晶圓代工廠(chǎng)。力晶積成電子特此綜合這兩項(xiàng)專(zhuān)長(zhǎng)，針對(duì)深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用，開(kāi)發(fā)了AIM（AI Memory）平臺(tái)，旨在解決內(nèi)存墻問(wèn)題。8jpesmc

力晶積成電子AIM平臺(tái)，乃基于力晶先進(jìn)之動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器制程技術(shù)，可用于制作各式深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速電路。由于加速電路直接植入動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器陣列旁，如此加速電路可享有超高動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器帶寬，完全解決內(nèi)存墻問(wèn)題。并且由于無(wú)需傳統(tǒng)外部存儲(chǔ)器接口，外部接口傳輸所導(dǎo)致之功耗及延遲也一并免除。8jpesmc

劉家豪：IT基礎(chǔ)架構(gòu)轉(zhuǎn)型驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)器市場(chǎng)新紀(jì)元

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圖8：集邦咨詢(xún)DRAMeXchange資深分析師 劉家豪[!--empirenews.page--]8jpesmc

近年因AI技術(shù)逐漸成熟與智能終端裝置普及，多數(shù)應(yīng)用服務(wù)皆藉由服務(wù)器來(lái)統(tǒng)合，尤其是需依賴(lài)龐大數(shù)據(jù)進(jìn)行運(yùn)算與訓(xùn)練的應(yīng)用服務(wù)，再加上虛擬化平臺(tái)及云儲(chǔ)存技術(shù)發(fā)展，服務(wù)器需求與日俱增。此外，在產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)改變與服務(wù)器運(yùn)算單元大幅進(jìn)步之下，亦將帶動(dòng)與傳統(tǒng)應(yīng)用服務(wù)截然不同的服務(wù)器架構(gòu)發(fā)展，進(jìn)一步推升服務(wù)器的需求。8jpesmc

在云端架構(gòu)提供服務(wù)的基礎(chǔ)上，終端被賦予的運(yùn)算能力相對(duì)薄弱，多是藉由云端來(lái)獲取運(yùn)算與存儲(chǔ)資源，預(yù)期5G商轉(zhuǎn)后數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用將更多元，帶動(dòng)微型服務(wù)器（Micro Server Node）與邊際運(yùn)算（Edge Computing）成長(zhǎng)，并將成為2020年后的發(fā)展主軸，以實(shí)現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)與車(chē)聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用場(chǎng)景。8jpesmc

受到數(shù)據(jù)中心的落實(shí)驅(qū)動(dòng)，2019年服務(wù)器DRAM全年使用量占整體DRAM的三成以上，預(yù)估2025年在5G相關(guān)部署驅(qū)動(dòng)下，更將上升至接近四成。8jpesmc

梁紅偉：面向ABC時(shí)代的存儲(chǔ)器技術(shù)演進(jìn)與挑戰(zhàn)

圖9：宇視科技云存儲(chǔ)開(kāi)發(fā)部部長(zhǎng) 梁紅偉8jpesmc

伴隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等信息技術(shù)的快速發(fā)展和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)數(shù)字化的轉(zhuǎn)型，數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)幾何級(jí)增長(zhǎng)，傳統(tǒng)存儲(chǔ)架構(gòu)存在性能/容量擴(kuò)展有限、數(shù)據(jù)可靠性一般等“通病”，已經(jīng)不能適用于海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。8jpesmc

AI+安防是人工智能技術(shù)商業(yè)落地發(fā)展最快、市場(chǎng)容量最大的主賽道之一。該領(lǐng)域的智能方案產(chǎn)品配置繁瑣、成本高，方案復(fù)雜、組件多、開(kāi)局調(diào)試工作量大，運(yùn)維復(fù)雜、數(shù)據(jù)路徑長(zhǎng)等，對(duì)存儲(chǔ)方案提出了新訴求。云計(jì)算方面，傳統(tǒng)存儲(chǔ)在設(shè)備資源統(tǒng)一管理、擴(kuò)展性及節(jié)點(diǎn)故障保護(hù)上都存在缺陷，無(wú)法適應(yīng)虛擬化數(shù)據(jù)中心彈性可擴(kuò)展的未來(lái)要求。宇視超融合存儲(chǔ)解決方案針對(duì)傳統(tǒng)存儲(chǔ)方案存在的問(wèn)題、痛點(diǎn)，給出了不一樣的解決之道。8jpesmc

黃士德：主控芯片創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用發(fā)展及挑戰(zhàn)

圖10：慧榮科技SSD產(chǎn)品協(xié)理 黃士德8jpesmc

隨著5G、AI、物聯(lián)網(wǎng)等新科技不斷發(fā)展演進(jìn)、大數(shù)據(jù)的產(chǎn)出，促使NAND閃存技術(shù)迅速發(fā)展，3D NAND閃存的堆棧層數(shù)也已經(jīng)高達(dá)100層以上，單顆NAND閃存的容量己從32GB提高到64GB、128GB。目前3D NAND正迎來(lái)價(jià)格下跌刺激高需求、低密度傳統(tǒng)硬盤(pán)更換、新的體系架構(gòu)和數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、高帶寬數(shù)據(jù)流和5G寬帶、人工智能+存儲(chǔ)等帶來(lái)的市場(chǎng)機(jī)遇。8jpesmc

NAND閃存存儲(chǔ)應(yīng)用越來(lái)越廣泛，從記憶卡到移動(dòng)電話(huà)中的eMMC及被廣泛應(yīng)用的固態(tài)硬盤(pán)，主控芯片扮演相當(dāng)重要的關(guān)鍵角色，其促使NAND閃存在不同應(yīng)用下發(fā)揮極致效能。如在自動(dòng)駕駛汽車(chē)存儲(chǔ)領(lǐng)域，自動(dòng)駕駛汽車(chē)需要安全可靠且響應(yīng)迅速的解決方案，對(duì)存儲(chǔ)器的性能、數(shù)據(jù)校正、可靠性、溫度范圍等均提出了更高需求。8jpesmc

呂國(guó)鼎：閃存控制芯片暨儲(chǔ)存產(chǎn)業(yè)資源共享平臺(tái)大聯(lián)盟

圖11：群聯(lián)電子營(yíng)銷(xiāo)暨項(xiàng)目企劃室項(xiàng)目經(jīng)理 呂國(guó)鼎8jpesmc

長(zhǎng)久以來(lái)，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)一直存在一個(gè)迷思， 就是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)很大，殊不知，市場(chǎng)很大指的是閃存芯片（NAND Flash），而非閃存主控（NAND Controller）。在主控開(kāi)發(fā)成本不斷提升，而主控芯片售價(jià)卻不斷下降的狀況，閃存主控難以獲利的情況及趨勢(shì)將愈來(lái)愈嚴(yán)重。8jpesmc

群聯(lián)獨(dú)特的營(yíng)運(yùn)模式，歷經(jīng)20年的產(chǎn)業(yè)洗禮，不斷成長(zhǎng)茁壯。 群聯(lián)也將透過(guò)最完整的閃存主控相關(guān)IP授權(quán)及ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)，建構(gòu)“閃存主控暨存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)資源共享平臺(tái)大聯(lián)盟”，協(xié)助國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)實(shí)踐自主可控的中國(guó)芯大愿。8jpesmc

陳玠瑋：2020年全球閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)

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圖12：集邦咨詢(xún)DRAMeXchange研究協(xié)理 陳玠瑋8jpesmc

全球閃存產(chǎn)業(yè)位元產(chǎn)出量明年年成長(zhǎng)為約30%，為近幾年來(lái)相對(duì)低檔的水平，原因在于閃存大廠(chǎng)除中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)較積極投資外，其他競(jìng)爭(zhēng)者對(duì)于資本支出都較以往來(lái)得保守，導(dǎo)致新產(chǎn)能增加有限；再加上明年又要轉(zhuǎn)換新制程到更具挑戰(zhàn)性的128L等級(jí)，良率提升速度也會(huì)比之前來(lái)得緩慢。8jpesmc

另一方面，因?yàn)?019年閃存市場(chǎng)ASP大跌40-50%，讓閃存大廠(chǎng)由盈轉(zhuǎn)虧，也是造成2020年擴(kuò)張保守的主因之一。集邦咨詢(xún)預(yù)估，明年閃存價(jià)格在供給面成長(zhǎng)動(dòng)能受限，以及需求端有機(jī)會(huì)回歸正常表現(xiàn)下，將出現(xiàn)另一波漲勢(shì)動(dòng)能。8jpesmc

徐韶甫：晶圓代工工藝飛躍，高端制程坐7趕5追3

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圖13：集邦拓墣產(chǎn)業(yè)研究院分析師 徐韶甫8jpesmc

2019年在總體經(jīng)濟(jì)不穩(wěn)定的影響下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)呈現(xiàn)衰退，晶圓代工產(chǎn)業(yè)更迎來(lái)罕見(jiàn)負(fù)成長(zhǎng)。8jpesmc

而展望2020年，盡管市場(chǎng)氛圍仍有不確定性，但受惠于5G、AI、車(chē)用等新興終端應(yīng)用需求的持續(xù)挹注，可望拉抬半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸脫離谷底；尤其在高端運(yùn)算需求下，IC設(shè)計(jì)業(yè)者持續(xù)導(dǎo)入新一代矽智權(quán)，與最新制程技術(shù)結(jié)合，強(qiáng)化芯片效能與芯片客制化能力，提升了先進(jìn)制程的采用率。8jpesmc

即便在2019年半導(dǎo)體景氣低迷的情形下，7納米節(jié)點(diǎn)的采用率仍獲得大幅度的提升，也更加速7納米EUV（極紫外光）與5納米的量產(chǎn)商用，并連帶推升市場(chǎng)對(duì)3納米節(jié)點(diǎn)的信心，使先進(jìn)制程研發(fā)的時(shí)程圖更加明朗化，日后將持續(xù)提高先進(jìn)制程在晶圓代工中的份額，并藉由先進(jìn)制程工藝的躍進(jìn)來(lái)扶持摩爾定律的延續(xù)。8jpesmc