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國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈23家主要企業(yè)盤點(diǎn)

工信部10月8日在官網(wǎng)發(fā)布《關(guān)于政協(xié)十三屆全國委員會第二次會議第2282號(公交郵電類256號)提案答復(fù)的函》,稱下一步將持續(xù)推進(jìn)國內(nèi)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模組產(chǎn)業(yè)發(fā)展。IGBT產(chǎn)業(yè)鏈包括IDM、設(shè)計(jì)、制造、模組等,本文主要介紹國內(nèi)主要的IGBT產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)。

IGBT ,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,具有高頻率、高電壓、大電流、易于開關(guān)等優(yōu)良性能,適用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。KRNesmc

據(jù)百科顯示,IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,俗稱電力電子裝置的“CPU”,其在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。KRNesmc

中國作為全球最大的IGBT需求市場,目前的主要市場份額被歐美、日本企業(yè)所占據(jù)。不過,由于集成電路已經(jīng)成為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),國內(nèi)的一些企業(yè)在經(jīng)過多年努力,已建立起完整的IGBT產(chǎn)業(yè)鏈。國際電子商情小編整理了國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈主要企業(yè),具體見表:KRNesmc

微信圖片_20191029132410.jpgKRNesmc

IDM

IDM的意思是國際整合元件制造商,是Integrated Device Manufacturing的英文縮寫。KRNesmc
KRNesmc
在過去,國際IDM大廠幾乎所有產(chǎn)品都一手包辦,也正因?yàn)槊宽?xiàng)產(chǎn)品都要沾上一點(diǎn)邊,但每項(xiàng)產(chǎn)品未必都能做到大量,占有最大市場占有率。這幾年,隨著國家政策及重大項(xiàng)目的推動,國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)得到了迅速發(fā)展。KRNesmc

比亞迪微電子KRNesmc

官網(wǎng):https://www.byd.com/KRNesmc

2003年,比亞迪成立深圳比亞迪微電子有限公司(即其“第六事業(yè)部”),致力于集成電路及功率器件的開發(fā)并提供產(chǎn)品應(yīng)用的整套解決方案,其IGBT的研發(fā)制造主要由比亞迪微電子負(fù)責(zé)。2005年,比亞迪正式組建IGBT研發(fā)團(tuán)隊(duì),并于2007年建立IGBT模塊生產(chǎn)線,完成首款電動汽車IGBT模塊樣品組裝。KRNesmc

目前,比亞迪已相繼掌握IGBT芯片設(shè)計(jì)和制造、模組設(shè)計(jì)和制造、大功率器件測試應(yīng)用平臺、電源及電控等環(huán)節(jié),擁有IGBT完整產(chǎn)業(yè)鏈。KRNesmc

士蘭微KRNesmc

官網(wǎng):http://www.silan.com.cn/KRNesmc

杭州士蘭微電子股份有限公司成立于1997年,從集成電路芯片設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)開始,逐步搭建了特色工藝的芯片制造平臺,并已將技術(shù)和制造平臺延伸至功率器件、功率模塊和MEMS傳感器的封裝領(lǐng)域,建立了較為完善的IDM經(jīng)營模式。KRNesmc

目前,士蘭微5英寸、6英寸芯片生產(chǎn)線已穩(wěn)定運(yùn)行,8英寸芯片生產(chǎn)線也順利投產(chǎn),陸續(xù)完成了高壓BCD、超薄片槽柵IGBT、超結(jié)高壓MOSFET、高密度溝槽柵 MOSFET、快回復(fù)二極管、MEMS傳感器等工藝的研發(fā)。KRNesmc

華微電子KRNesmc

官網(wǎng):http://www.hwdz.com.cn/KRNesmc

吉林華微電子股份有限公司成立于1999年,集功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)研發(fā)、芯片加工、封裝測試及產(chǎn)品營銷為一體,官網(wǎng)信息顯示其擁有4英寸、5英寸與6英寸等多條功率半導(dǎo)體分立器件及IC芯片生產(chǎn)線,芯片加工能力為每年400萬片,封裝資源為24億只/年,模塊360萬塊/年。KRNesmc

今年4月,華微電子擬募投8英寸生產(chǎn)線項(xiàng)目,600V-1700V各種電壓、電流等級IGBT芯片是該項(xiàng)目的重點(diǎn)之一。KRNesmc

華潤微KRNesmc

官網(wǎng):https://www.crmicro.com/KRNesmc

華潤微電子即原中航(重慶)微電子有限公司,集半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造與服務(wù)一體化,以功率半導(dǎo)體器件、功率/模擬集成電路為產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ),面向工業(yè)電子、消費(fèi)電子、汽車電子、5G通訊市場。具備功率器件、GaN、MEMS傳感器等技術(shù)開發(fā)和制造平臺。KRNesmc

華潤微擁有國內(nèi)第一條全內(nèi)資8英寸專注功率器件晶圓生產(chǎn)線,月產(chǎn)能5.1萬片,工藝能力0.18微米,以及一條8英寸特種工藝生產(chǎn)線。目前該公司已啟動12英寸晶圓生產(chǎn)線及相關(guān)配套封測線建設(shè)規(guī)劃,主要生產(chǎn)MOSFET、IGBT、電源管理芯片等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。KRNesmc

揚(yáng)杰科技KRNesmc

官網(wǎng):http://www.21yangjie.com/KRNesmc

揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司成立于2006年8月,致力于功率半導(dǎo)體芯片及器件制造、集成電路封裝測試等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展,主營產(chǎn)品為各類電力電子器件芯片、功率二極管、整流橋、大功率模塊、DFN/QFN產(chǎn)品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等。KRNesmc

據(jù)了解,在IGBT方面揚(yáng)杰科技于2018年3月控股了一條位于宜興的6英寸晶圓線,目前該生產(chǎn)線已經(jīng)量產(chǎn)IGBT芯片,主要應(yīng)用于電磁爐等小家電領(lǐng)域。揚(yáng)杰科技在互動平臺上表示,2018年度,公司IGBT芯片實(shí)際產(chǎn)出近6000片。KRNesmc

臺基股份KRNesmc

官網(wǎng):http://www.tech-sem.com/KRNesmc

湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司成立于2004年,是是國內(nèi)大功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域?yàn)閿?shù)不多的掌握前道(擴(kuò)散)技術(shù)、中道(芯片制成)技術(shù)、后道(封裝測試)技術(shù),并掌握大功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、制造核心技術(shù)并形成規(guī)?;a(chǎn)的企業(yè)。KRNesmc

臺基股份的主營產(chǎn)品為功率晶閘管、整流管、IGBT 模塊、電力半導(dǎo)體模塊等功率半導(dǎo)體器件,其早于5年前開始了IGBT模塊的研發(fā),目前基本具備IGBT設(shè)計(jì)、封裝測試的能力。近期,臺基股份定增募投“新型高功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)升級項(xiàng)目”,其中包含了月產(chǎn)4萬只IGBT模塊封測線。KRNesmc

中車時(shí)代電氣KRNesmc

官網(wǎng):http://www.tec.crrczic.cc/KRNesmc

株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司是中國中車旗下股份制企業(yè),其前身及母公司——中車株洲電力機(jī)車研究所有限公司創(chuàng)立于1959年,其現(xiàn)已形成了集IGBT產(chǎn)品設(shè)計(jì)、芯片制造等成套技術(shù)研究、開發(fā)、集成于一體的大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地。KRNesmc

2008年,中車時(shí)代電氣(當(dāng)時(shí)名為“南車時(shí)代電氣”)收購全球IBGT廠商丹尼斯,2009年建成國內(nèi)首條高壓IGBT模塊封裝線,自2010年開始著手籌建國內(nèi)首條專注于IGBT芯片的先進(jìn)生產(chǎn)線。KRNesmc

科達(dá)半導(dǎo)體KRNesmc

官網(wǎng):http://www.kedasemi.com/KRNesmc

科達(dá)半導(dǎo)體有限公司成立于2007年,是由科達(dá)集團(tuán)投資成立的高新技術(shù)企業(yè),主要從事IGBT、FRD、MOSFET等新型功率半導(dǎo)體器件(電力電子器件)的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售,在深圳、浙江、山東等地區(qū)均設(shè)有銷售中心。KRNesmc

模組

IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上;IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊;隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn),此類產(chǎn)品在市場上將越來越多見。KRNesmc

銀茂微電子KRNesmc

官網(wǎng):http://www.njsme.com/KRNesmc

南京銀茂微電子制造有限公司成立于2007年11月,是江蘇銀茂(控股)集團(tuán)有限公司控股公司。官網(wǎng)介紹稱,該公司一期項(xiàng)目以研發(fā)、制造和銷售擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的新型電力電子模塊、全氣密半氣密高可靠性混合電路電子器件、大規(guī)模變流技術(shù)核心組件為主營業(yè)務(wù),具備年產(chǎn)通用功率模塊65萬件和高壓大KRNesmc

率模塊10萬件以上的生產(chǎn)能力,是目前國內(nèi)最大的電力電子功率模塊生產(chǎn)基地之一。KRNesmc

芯能半導(dǎo)體KRNesmc

官網(wǎng):http://www.invsemi.com/KRNesmc

深圳芯能半導(dǎo)體技術(shù)有限公司成立于2013年,由深圳正軒科技、深圳國資委、深圳人才創(chuàng)新基金、達(dá)晨創(chuàng)投、方廣資本、廈門獵鷹等知名機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資,致力于IGBT芯片、IGBT驅(qū)動芯片以及大功率智能功率模塊的研發(fā)、應(yīng)用和銷售。KRNesmc

目前芯能聚焦600V和1200V中小功率IGBT產(chǎn)品,IGBT單管、IPM、IGBT模塊和HVIC四個領(lǐng)域都有完善的產(chǎn)品序列,產(chǎn)品性能國內(nèi)領(lǐng)先。KRNesmc

嘉興斯達(dá)KRNesmc

官網(wǎng):http://www.powersemi.cc/KRNesmc

嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司成立于2005年4月,是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體元器件尤其是IGBT模塊研發(fā)、生產(chǎn)和銷售服務(wù)的國家級高新技術(shù)企業(yè),其主要產(chǎn)品為功率半導(dǎo)體元器件,包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等,已成功開發(fā)近600種IGBT模塊產(chǎn)品,電壓等級涵蓋100V~3300V,電流等級涵蓋10A~3600A。KRNesmc

在技術(shù)方面,嘉興斯達(dá)已開發(fā)出平面柵NPT型1200V全系列IGBT芯片和溝槽柵場中止650V、750V、1200V及1700V全系列IGBT芯片,解決了包括8英寸晶圓減薄技術(shù)、背面高能離子注入技術(shù)、背面激光退火激活技術(shù)以及溝槽柵挖槽成型技術(shù)等關(guān)鍵工藝技術(shù)。KRNesmc

宏微科技KRNesmc

官網(wǎng):http://www.macmicst.com/KRNesmc

宏微科技股份有限公司成立于2006年8月,立足于電力電子元器件行業(yè),業(yè)務(wù)范圍包括設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售新型電力半導(dǎo)體芯片、分立器件及模塊,如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、標(biāo)準(zhǔn)模塊及用戶定制模塊(CSPM),并提供高效節(jié)能電力電子裝置的模塊化設(shè)計(jì)、制造及系統(tǒng)的解決方案。KRNesmc

2018年,宏微科技與北汽新能源成立宏微-北汽新能源IGBT聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,計(jì)劃從芯片設(shè)計(jì)到模塊設(shè)計(jì)與封裝再到電機(jī)控制器設(shè)計(jì)與生產(chǎn),聯(lián)合打造電機(jī)控制器產(chǎn)業(yè)鏈。宏微科技年報(bào)顯示,2018年其電動汽車用IGBT模塊在SVG行業(yè)應(yīng)用中逐步放量,同時(shí)客戶定制化產(chǎn)品也開始批量銷售。KRNesmc

威海新佳KRNesmc

官網(wǎng):http://www.singa.cn/KRNesmc

威海新佳電子有限公司成立于2004年,注冊資本2000萬元,是專業(yè)從事新型電力電子器件及其應(yīng)用整機(jī)產(chǎn)品設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的國家高新技術(shù)企業(yè)。KRNesmc

威海新佳是IGBT國家標(biāo)準(zhǔn)和交流固態(tài)繼電器行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)起草單位之一,建有“國家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程”IGBT生產(chǎn)線、山東省電力電子器件工程技術(shù)研究中心,并先后承擔(dān)過國家發(fā)改委新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項(xiàng)項(xiàng)目、工信部電子發(fā)展基金項(xiàng)目等多項(xiàng)國家和省部級項(xiàng)目。KRNesmc

設(shè)計(jì)

紫光微電子KRNesmc

官網(wǎng):http://www.tsinghuaicwx.com/KRNesmc

無錫紫光微電子有限公司(原無錫同方微電子有限公司)成立于2006年,是紫光同芯微電子有限公司投資的一家高新技術(shù)企業(yè),是一家專注于先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件和集成電路的設(shè)計(jì)研發(fā)、芯片加工、封裝測試及產(chǎn)品銷售的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)。KRNesmc

紫光微電子開發(fā)和生產(chǎn)的SJ MOSFET、DT MOSFET、HV VDMOS、IGBT、IGTO、Half Bridge Gate Driver等半導(dǎo)體功率器件以及相關(guān)的電源管理集成電路等產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于節(jié)能、綠色照明、風(fēng)力發(fā)電、智能電網(wǎng)、混合動力/電動汽車、儀器儀表、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。IGBT方面,其以IGBT實(shí)際應(yīng)用為設(shè)計(jì)基礎(chǔ),使用NPT(非穿通型)和溝槽型FS(場終止型)IGBT技術(shù)為大功率應(yīng)用客戶提供優(yōu)質(zhì)可靠的系統(tǒng)解決方案。KRNesmc

無錫新潔能KRNesmc

官網(wǎng):http://www.ncepower.com/KRNesmc

無錫新潔能股份有限公司成立于2013年,主營業(yè)務(wù)為MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)設(shè)計(jì)及銷售,主要產(chǎn)品按照是否封裝可分為芯片和封裝成品,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)電子以及新能源汽車/充電樁、智能裝備 制造、物聯(lián)網(wǎng)、光伏新能源等領(lǐng)域。KRNesmc

目前,無錫新潔能的主要產(chǎn)品包括12V~200V溝槽型功率MOSFET(N溝道和P溝道)、30V~300V屏蔽柵功率MOSFET(N溝道和P溝道)、500V~900V超結(jié)功率MOSFET、600V~1350V溝槽柵場截止型IGBT,相關(guān)核心技術(shù)已獲得多項(xiàng)專利授權(quán),四大系列產(chǎn)品均獲得江蘇省高新技術(shù)產(chǎn)品認(rèn)定。KRNesmc

芯派科技KRNesmc

官網(wǎng):http://www.semipower.com.cn/KRNesmc

芯派電子科技有限公司成立于2008年,是一家集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的高新技術(shù)企業(yè),產(chǎn)品包含低壓至高壓全系列MOSFET、IGBT、二極管、橋堆以及電源管理IC等。芯派電子的總部位于西安,擁有省級重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室西安半導(dǎo)體功率器件測試應(yīng)用中心。KRNesmc

據(jù)了解,芯派科技自2016年研發(fā)出應(yīng)用于1200V/900V/650V的IGBT功率器件,產(chǎn)品性能指標(biāo)達(dá)到和國外同類產(chǎn)品的技術(shù)性能。KRNesmc

中科君芯KRNesmc

官網(wǎng):http://www.cas-junshine.com/KRNesmc

江蘇中科君芯科技有限公司成立于2011年,是一家專注于IGBT、FRD等新型電力電子芯片研發(fā)的中外合資高科技企業(yè)。其前身是中國科學(xué)院微電子研究所、中國科學(xué)院微電子研究所、中國物聯(lián)網(wǎng)研究與發(fā)展中心以及成都電子科大的三個研究團(tuán)隊(duì),最早始于上世紀(jì)80年代。KRNesmc

中科君芯目前形成具有市場競爭力的產(chǎn)品有650V、1200V、1700V系列IGBT芯片,并擁有222項(xiàng)專利,其中PCT專利12項(xiàng)。IGBT技術(shù)方面,中科君芯已開發(fā)出溝槽場終止(Trench -FS)電壓650V-6500V、單芯片電流8A-400A全系列IGBT芯片,成功解決了溝槽柵溝槽成型技術(shù)、載流子增強(qiáng)技術(shù)、晶圓減薄技術(shù)、背面高能離子注入技術(shù)、背面激光退火技術(shù)等關(guān)鍵工藝技術(shù)。KRNesmc

達(dá)新半導(dǎo)體KRNesmc

官網(wǎng):http://www.daxin-semi.com/KRNesmc

寧波達(dá)新半導(dǎo)體有限公司成立于2013年,是以海歸博士為主創(chuàng)立的一家中外合資的高科技公司,主要從事IGBT、MOSFET、FRD等功率半導(dǎo)體芯片與器件的設(shè)計(jì)、制造和銷售,擁有IGBT、MOSFET和FRD等功率半導(dǎo)體芯片的設(shè)計(jì)和工藝集成技術(shù),建有IGBT產(chǎn)品性能測試、應(yīng)用及可靠性試驗(yàn)室,擁有一條測試和制造手段完備IGBT模塊研發(fā)生產(chǎn)線。KRNesmc

制造

華虹宏力KRNesmc

官網(wǎng):https://www.huahonggrace.com/KRNesmc

上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司由原上海華虹NEC電子有限公司和上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司新設(shè)合并而成,是全球首家提供場截止型絕緣柵雙極型晶體管(FS IGBT)量產(chǎn)技術(shù)的8英寸集成電路芯片制造廠。KRNesmc

華虹宏力自2011年起就已成功量產(chǎn)了1200V非穿通型(NPT)IGBT;2013年600V-1200V FS IGBT實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),隨后與多家合作單位陸續(xù)推出了600V、1200V、1700V等IGBT器件工藝,成功解決了IGBT的關(guān)鍵工藝問題,包括硅片翹曲及背面工藝能力等。據(jù)悉目前華虹宏力是國內(nèi)唯一擁有IGBT全套背面加工工藝的晶圓代工企業(yè),同時(shí)正在加速研發(fā)6500V超高壓IGBT技術(shù)。KRNesmc

先進(jìn)半導(dǎo)體KRNesmc

官網(wǎng):http://www.asmcs.com/KRNesmc

上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司,前身為1988年由中荷合資成立的上海飛利浦半導(dǎo)體公司,擁有5英寸、6英寸、8英寸晶圓生產(chǎn)線,專注于模擬電路、功率器件的制造,自2004年開始提供IGBT國內(nèi)、外代工業(yè)務(wù)。KRNesmc

上海先進(jìn)2008年在國內(nèi)建立IGBT背面工藝線,具備IGBT正面、背面、測試等完整的IGBT工藝能力,IGBT/FRD的電壓范圍覆蓋650V、1200V、1700V、3300V、4500V、6500V,技術(shù)能力包括PT、NPT、Field Stop,以及平面、溝槽IGBT等。其6英寸晶圓廠專注于平面IGBT和FRD工藝平臺,電壓覆蓋1200V~6500V,8英寸晶圓廠專注于Trench Field Stop IGBT工藝平臺,電壓覆蓋450V~1700V。KRNesmc

中芯國際KRNesmc

官網(wǎng):http://www.smics.com/KRNesmc

中芯國際集成電路制造有限公司是中國內(nèi)地技術(shù)最全面、配套最完善、規(guī)模最大、跨國經(jīng)營的集成電路制造企業(yè),提供0.35微米到28納米8寸和12寸芯片代工與技術(shù)服務(wù)。KRNesmc

中芯國際的IGBT平臺從2015年開始建立,著眼于最新一代場截止型IGBT結(jié)構(gòu),采用業(yè)界最先進(jìn)及主流的背面加工工藝,包括Taiko背面減薄工藝、濕法刻蝕工藝、離子注入、背面激光退火及背面金屬沉積工藝等,已完成整套深溝槽+薄片+場截止技術(shù)工藝的自主研發(fā),并相應(yīng)推出600V~1200V等器件工藝,技術(shù)參數(shù)可達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平。KRNesmc

方正微電子KRNesmc

官網(wǎng):http://www.founderic.com/KRNesmc

深圳方正微電子有限公司成立于2003年,由方正集團(tuán)聯(lián)合其他投資者共同創(chuàng)辦,專注于為客戶提供功率分立器件(如DMOS、IGBT、SBD和FRD)和功率集成電路(如BiCMOS、BCD和HV CMOS)等領(lǐng)域的晶圓制造技術(shù)。KRNesmc

方正微電子擁有兩條6英寸晶圓生產(chǎn)線,月產(chǎn)能達(dá)6萬片,產(chǎn)能規(guī)模居國內(nèi)6英寸線前列,0.5微米/6英寸工藝批量生產(chǎn)能力躍居國內(nèi)行業(yè)第二,未來月產(chǎn)能規(guī)劃將達(dá)8萬片。IGBT方面目前支持430V、600V Trench PT IGBT以及1200V、1700V Planar NPT IGBT等工藝及時(shí)。KRNesmc

華潤上華KRNesmc

官網(wǎng):http://www.csmc.com.cn/KRNesmc

無錫華潤上華科技有限公司隸屬于華潤集團(tuán)旗下負(fù)責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的華潤微電子有限公司。華潤上華向客戶提供廣泛的晶圓制造技術(shù),包括BCD、Mixed-Signal、HV CMOS、RFCMOS、Embedded-NVM、BiCMOS、Logic、MOSFET、IGBT、SOI、MEMS、Bipolar等標(biāo)準(zhǔn)工藝及一系列客制化工藝平臺。KRNesmc

華潤上華擁有國內(nèi)最大的6英寸代工線和一條8英寸代工線,6英寸月產(chǎn)能逾11萬片,八英寸生產(chǎn)線目前月產(chǎn)能已達(dá)3.5萬片,未來整體月產(chǎn)能規(guī)劃為6萬片,制程技術(shù)將提升至0.11微米。IGBT方面,華潤上華于2012年已宣布開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT以及600V Trench PT IGBT工藝平臺。KRNesmc

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Elaine Lin
林瑜玲,《國際電子商情》一位思維過份跳躍的編輯
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