IGBT ，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，具有高頻率、高電壓、大電流、易于開關(guān)等優(yōu)良性能，適用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。KRNesmc

據(jù)百科顯示，IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU”，其在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。KRNesmc

中國作為全球最大的IGBT需求市場，目前的主要市場份額被歐美、日本企業(yè)所占據(jù)。不過，由于集成電路已經(jīng)成為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，國內(nèi)的一些企業(yè)在經(jīng)過多年努力，已建立起完整的IGBT產(chǎn)業(yè)鏈。國際電子商情小編整理了國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈主要企業(yè)，具體見表：KRNesmc

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IDM

IDM的意思是國際整合元件制造商，是Integrated Device Manufacturing的英文縮寫。KRNesmc
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在過去，國際IDM大廠幾乎所有產(chǎn)品都一手包辦，也正因?yàn)槊宽?xiàng)產(chǎn)品都要沾上一點(diǎn)邊，但每項(xiàng)產(chǎn)品未必都能做到大量，占有最大市場占有率。這幾年，隨著國家政策及重大項(xiàng)目的推動，國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)得到了迅速發(fā)展。KRNesmc

比亞迪微電子KRNesmc

官網(wǎng)：https://www.byd.com/KRNesmc

2003年，比亞迪成立深圳比亞迪微電子有限公司（即其“第六事業(yè)部”），致力于集成電路及功率器件的開發(fā)并提供產(chǎn)品應(yīng)用的整套解決方案，其IGBT的研發(fā)制造主要由比亞迪微電子負(fù)責(zé)。2005年，比亞迪正式組建IGBT研發(fā)團(tuán)隊(duì)，并于2007年建立IGBT模塊生產(chǎn)線，完成首款電動汽車IGBT模塊樣品組裝。KRNesmc

目前，比亞迪已相繼掌握IGBT芯片設(shè)計(jì)和制造、模組設(shè)計(jì)和制造、大功率器件測試應(yīng)用平臺、電源及電控等環(huán)節(jié)，擁有IGBT完整產(chǎn)業(yè)鏈。KRNesmc

士蘭微KRNesmc

官網(wǎng)：http://www.silan.com.cn/KRNesmc

杭州士蘭微電子股份有限公司成立于1997年，從集成電路芯片設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)開始，逐步搭建了特色工藝的芯片制造平臺，并已將技術(shù)和制造平臺延伸至功率器件、功率模塊和MEMS傳感器的封裝領(lǐng)域，建立了較為完善的IDM經(jīng)營模式。KRNesmc

目前，士蘭微5英寸、6英寸芯片生產(chǎn)線已穩(wěn)定運(yùn)行，8英寸芯片生產(chǎn)線也順利投產(chǎn)，陸續(xù)完成了高壓BCD、超薄片槽柵IGBT、超結(jié)高壓MOSFET、高密度溝槽柵 MOSFET、快回復(fù)二極管、MEMS傳感器等工藝的研發(fā)。KRNesmc

華微電子KRNesmc

官網(wǎng)：http://www.hwdz.com.cn/KRNesmc

吉林華微電子股份有限公司成立于1999年，集功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)研發(fā)、芯片加工、封裝測試及產(chǎn)品營銷為一體，官網(wǎng)信息顯示其擁有4英寸、5英寸與6英寸等多條功率半導(dǎo)體分立器件及IC芯片生產(chǎn)線，芯片加工能力為每年400萬片，封裝資源為24億只/年，模塊360萬塊/年。KRNesmc

今年4月，華微電子擬募投8英寸生產(chǎn)線項(xiàng)目，600V-1700V各種電壓、電流等級IGBT芯片是該項(xiàng)目的重點(diǎn)之一。KRNesmc

華潤微KRNesmc

官網(wǎng)：https://www.crmicro.com/KRNesmc

華潤微電子即原中航（重慶）微電子有限公司，集半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造與服務(wù)一體化，以功率半導(dǎo)體器件、功率/模擬集成電路為產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，面向工業(yè)電子、消費(fèi)電子、汽車電子、5G通訊市場。具備功率器件、GaN、MEMS傳感器等技術(shù)開發(fā)和制造平臺。KRNesmc

華潤微擁有國內(nèi)第一條全內(nèi)資8英寸專注功率器件晶圓生產(chǎn)線，月產(chǎn)能5.1萬片，工藝能力0.18微米，以及一條8英寸特種工藝生產(chǎn)線。目前該公司已啟動12英寸晶圓生產(chǎn)線及相關(guān)配套封測線建設(shè)規(guī)劃，主要生產(chǎn)MOSFET、IGBT、電源管理芯片等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。KRNesmc

揚(yáng)杰科技KRNesmc

官網(wǎng)：http://www.21yangjie.com/KRNesmc

揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司成立于2006年8月，致力于功率半導(dǎo)體芯片及器件制造、集成電路封裝測試等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，主營產(chǎn)品為各類電力電子器件芯片、功率二極管、整流橋、大功率模塊、DFN/QFN產(chǎn)品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等。KRNesmc

據(jù)了解，在IGBT方面揚(yáng)杰科技于2018年3月控股了一條位于宜興的6英寸晶圓線，目前該生產(chǎn)線已經(jīng)量產(chǎn)IGBT芯片，主要應(yīng)用于電磁爐等小家電領(lǐng)域。揚(yáng)杰科技在互動平臺上表示，2018年度，公司IGBT芯片實(shí)際產(chǎn)出近6000片。KRNesmc

臺基股份KRNesmc

官網(wǎng)：http://www.tech-sem.com/KRNesmc

湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司成立于2004年，是是國內(nèi)大功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域?yàn)閿?shù)不多的掌握前道（擴(kuò)散）技術(shù)、中道（芯片制成）技術(shù)、后道（封裝測試）技術(shù)，并掌握大功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、制造核心技術(shù)并形成規(guī)?；a(chǎn)的企業(yè)。KRNesmc

臺基股份的主營產(chǎn)品為功率晶閘管、整流管、IGBT 模塊、電力半導(dǎo)體模塊等功率半導(dǎo)體器件，其早于5年前開始了IGBT模塊的研發(fā)，目前基本具備IGBT設(shè)計(jì)、封裝測試的能力。近期，臺基股份定增募投“新型高功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)升級項(xiàng)目”，其中包含了月產(chǎn)4萬只IGBT模塊封測線。KRNesmc

中車時(shí)代電氣KRNesmc

官網(wǎng)：http://www.tec.crrczic.cc/KRNesmc

株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司是中國中車旗下股份制企業(yè)，其前身及母公司——中車株洲電力機(jī)車研究所有限公司創(chuàng)立于1959年，其現(xiàn)已形成了集IGBT產(chǎn)品設(shè)計(jì)、芯片制造等成套技術(shù)研究、開發(fā)、集成于一體的大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地。KRNesmc

2008年，中車時(shí)代電氣（當(dāng)時(shí)名為“南車時(shí)代電氣”）收購全球IBGT廠商丹尼斯，2009年建成國內(nèi)首條高壓IGBT模塊封裝線，自2010年開始著手籌建國內(nèi)首條專注于IGBT芯片的先進(jìn)生產(chǎn)線。KRNesmc

科達(dá)半導(dǎo)體KRNesmc

官網(wǎng)：http://www.kedasemi.com/KRNesmc

科達(dá)半導(dǎo)體有限公司成立于2007年，是由科達(dá)集團(tuán)投資成立的高新技術(shù)企業(yè)，主要從事IGBT、FRD、MOSFET等新型功率半導(dǎo)體器件（電力電子器件）的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售，在深圳、浙江、山東等地區(qū)均設(shè)有銷售中心。KRNesmc

模組

IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上；IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場上將越來越多見。KRNesmc

銀茂微電子KRNesmc

官網(wǎng)：http://www.njsme.com/KRNesmc

南京銀茂微電子制造有限公司成立于2007年11月，是江蘇銀茂（控股）集團(tuán)有限公司控股公司。官網(wǎng)介紹稱，該公司一期項(xiàng)目以研發(fā)、制造和銷售擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的新型電力電子模塊、全氣密半氣密高可靠性混合電路電子器件、大規(guī)模變流技術(shù)核心組件為主營業(yè)務(wù)，具備年產(chǎn)通用功率模塊65萬件和高壓大KRNesmc

率模塊10萬件以上的生產(chǎn)能力，是目前國內(nèi)最大的電力電子功率模塊生產(chǎn)基地之一。KRNesmc

芯能半導(dǎo)體KRNesmc

官網(wǎng)：http://www.invsemi.com/KRNesmc

深圳芯能半導(dǎo)體技術(shù)有限公司成立于2013年，由深圳正軒科技、深圳國資委、深圳人才創(chuàng)新基金、達(dá)晨創(chuàng)投、方廣資本、廈門獵鷹等知名機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資，致力于IGBT芯片、IGBT驅(qū)動芯片以及大功率智能功率模塊的研發(fā)、應(yīng)用和銷售。KRNesmc

目前芯能聚焦600V和1200V中小功率IGBT產(chǎn)品，IGBT單管、IPM、IGBT模塊和HVIC四個領(lǐng)域都有完善的產(chǎn)品序列，產(chǎn)品性能國內(nèi)領(lǐng)先。KRNesmc

嘉興斯達(dá)KRNesmc

官網(wǎng)：http://www.powersemi.cc/KRNesmc

嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司成立于2005年4月，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體元器件尤其是IGBT模塊研發(fā)、生產(chǎn)和銷售服務(wù)的國家級高新技術(shù)企業(yè)，其主要產(chǎn)品為功率半導(dǎo)體元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等，已成功開發(fā)近600種IGBT模塊產(chǎn)品，電壓等級涵蓋100V～3300V，電流等級涵蓋10A～3600A。KRNesmc

在技術(shù)方面，嘉興斯達(dá)已開發(fā)出平面柵NPT型1200V全系列IGBT芯片和溝槽柵場中止650V、750V、1200V及1700V全系列IGBT芯片，解決了包括8英寸晶圓減薄技術(shù)、背面高能離子注入技術(shù)、背面激光退火激活技術(shù)以及溝槽柵挖槽成型技術(shù)等關(guān)鍵工藝技術(shù)。KRNesmc

宏微科技KRNesmc

官網(wǎng)：http://www.macmicst.com/KRNesmc

宏微科技股份有限公司成立于2006年8月，立足于電力電子元器件行業(yè)，業(yè)務(wù)范圍包括設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售新型電力半導(dǎo)體芯片、分立器件及模塊，如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、標(biāo)準(zhǔn)模塊及用戶定制模塊(CSPM)，并提供高效節(jié)能電力電子裝置的模塊化設(shè)計(jì)、制造及系統(tǒng)的解決方案。KRNesmc

2018年，宏微科技與北汽新能源成立宏微－北汽新能源IGBT聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，計(jì)劃從芯片設(shè)計(jì)到模塊設(shè)計(jì)與封裝再到電機(jī)控制器設(shè)計(jì)與生產(chǎn)，聯(lián)合打造電機(jī)控制器產(chǎn)業(yè)鏈。宏微科技年報(bào)顯示，2018年其電動汽車用IGBT模塊在SVG行業(yè)應(yīng)用中逐步放量，同時(shí)客戶定制化產(chǎn)品也開始批量銷售。KRNesmc

威海新佳KRNesmc

官網(wǎng)：http://www.singa.cn/KRNesmc

威海新佳電子有限公司成立于2004年，注冊資本2000萬元，是專業(yè)從事新型電力電子器件及其應(yīng)用整機(jī)產(chǎn)品設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的國家高新技術(shù)企業(yè)。KRNesmc

威海新佳是IGBT國家標(biāo)準(zhǔn)和交流固態(tài)繼電器行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)起草單位之一，建有“國家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程”IGBT生產(chǎn)線、山東省電力電子器件工程技術(shù)研究中心，并先后承擔(dān)過國家發(fā)改委新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項(xiàng)項(xiàng)目、工信部電子發(fā)展基金項(xiàng)目等多項(xiàng)國家和省部級項(xiàng)目。KRNesmc

設(shè)計(jì)

紫光微電子KRNesmc

官網(wǎng)：http://www.tsinghuaicwx.com/KRNesmc

無錫紫光微電子有限公司（原無錫同方微電子有限公司）成立于2006年，是紫光同芯微電子有限公司投資的一家高新技術(shù)企業(yè)，是一家專注于先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件和集成電路的設(shè)計(jì)研發(fā)、芯片加工、封裝測試及產(chǎn)品銷售的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)。KRNesmc

紫光微電子開發(fā)和生產(chǎn)的SJ MOSFET、DT MOSFET、HV VDMOS、IGBT、IGTO、Half Bridge Gate Driver等半導(dǎo)體功率器件以及相關(guān)的電源管理集成電路等產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于節(jié)能、綠色照明、風(fēng)力發(fā)電、智能電網(wǎng)、混合動力/電動汽車、儀器儀表、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。IGBT方面，其以IGBT實(shí)際應(yīng)用為設(shè)計(jì)基礎(chǔ)，使用NPT（非穿通型）和溝槽型FS（場終止型）IGBT技術(shù)為大功率應(yīng)用客戶提供優(yōu)質(zhì)可靠的系統(tǒng)解決方案。KRNesmc

無錫新潔能KRNesmc

官網(wǎng)：http://www.ncepower.com/KRNesmc

無錫新潔能股份有限公司成立于2013年，主營業(yè)務(wù)為MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)設(shè)計(jì)及銷售，主要產(chǎn)品按照是否封裝可分為芯片和封裝成品，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)電子以及新能源汽車/充電樁、智能裝備 制造、物聯(lián)網(wǎng)、光伏新能源等領(lǐng)域。KRNesmc

目前，無錫新潔能的主要產(chǎn)品包括12V~200V溝槽型功率MOSFET（N溝道和P溝道）、30V~300V屏蔽柵功率MOSFET（N溝道和P溝道）、500V~900V超結(jié)功率MOSFET、600V~1350V溝槽柵場截止型IGBT，相關(guān)核心技術(shù)已獲得多項(xiàng)專利授權(quán)，四大系列產(chǎn)品均獲得江蘇省高新技術(shù)產(chǎn)品認(rèn)定。KRNesmc

芯派科技KRNesmc

官網(wǎng)：http://www.semipower.com.cn/KRNesmc

芯派電子科技有限公司成立于2008年，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的高新技術(shù)企業(yè)，產(chǎn)品包含低壓至高壓全系列MOSFET、IGBT、二極管、橋堆以及電源管理IC等。芯派電子的總部位于西安，擁有省級重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室西安半導(dǎo)體功率器件測試應(yīng)用中心。KRNesmc

據(jù)了解，芯派科技自2016年研發(fā)出應(yīng)用于1200V/900V/650V的IGBT功率器件，產(chǎn)品性能指標(biāo)達(dá)到和國外同類產(chǎn)品的技術(shù)性能。KRNesmc

中科君芯KRNesmc

官網(wǎng)：http://www.cas-junshine.com/KRNesmc

江蘇中科君芯科技有限公司成立于2011年，是一家專注于IGBT、FRD等新型電力電子芯片研發(fā)的中外合資高科技企業(yè)。其前身是中國科學(xué)院微電子研究所、中國科學(xué)院微電子研究所、中國物聯(lián)網(wǎng)研究與發(fā)展中心以及成都電子科大的三個研究團(tuán)隊(duì)，最早始于上世紀(jì)80年代。KRNesmc

中科君芯目前形成具有市場競爭力的產(chǎn)品有650V、1200V、1700V系列IGBT芯片，并擁有222項(xiàng)專利，其中PCT專利12項(xiàng)。IGBT技術(shù)方面，中科君芯已開發(fā)出溝槽場終止（Trench -FS）電壓650V-6500V、單芯片電流8A-400A全系列IGBT芯片，成功解決了溝槽柵溝槽成型技術(shù)、載流子增強(qiáng)技術(shù)、晶圓減薄技術(shù)、背面高能離子注入技術(shù)、背面激光退火技術(shù)等關(guān)鍵工藝技術(shù)。KRNesmc

達(dá)新半導(dǎo)體KRNesmc

官網(wǎng)：http://www.daxin-semi.com/KRNesmc

寧波達(dá)新半導(dǎo)體有限公司成立于2013年，是以海歸博士為主創(chuàng)立的一家中外合資的高科技公司，主要從事IGBT、MOSFET、FRD等功率半導(dǎo)體芯片與器件的設(shè)計(jì)、制造和銷售，擁有IGBT、MOSFET和FRD等功率半導(dǎo)體芯片的設(shè)計(jì)和工藝集成技術(shù)，建有IGBT產(chǎn)品性能測試、應(yīng)用及可靠性試驗(yàn)室，擁有一條測試和制造手段完備IGBT模塊研發(fā)生產(chǎn)線。KRNesmc

制造

華虹宏力KRNesmc

官網(wǎng)：https://www.huahonggrace.com/KRNesmc

上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司由原上海華虹NEC電子有限公司和上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司新設(shè)合并而成，是全球首家提供場截止型絕緣柵雙極型晶體管（FS IGBT）量產(chǎn)技術(shù)的8英寸集成電路芯片制造廠。KRNesmc

華虹宏力自2011年起就已成功量產(chǎn)了1200V非穿通型（NPT）IGBT；2013年600V-1200V FS IGBT實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，隨后與多家合作單位陸續(xù)推出了600V、1200V、1700V等IGBT器件工藝，成功解決了IGBT的關(guān)鍵工藝問題，包括硅片翹曲及背面工藝能力等。據(jù)悉目前華虹宏力是國內(nèi)唯一擁有IGBT全套背面加工工藝的晶圓代工企業(yè)，同時(shí)正在加速研發(fā)6500V超高壓IGBT技術(shù)。KRNesmc

先進(jìn)半導(dǎo)體KRNesmc

官網(wǎng)：http://www.asmcs.com/KRNesmc

上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司，前身為1988年由中荷合資成立的上海飛利浦半導(dǎo)體公司，擁有5英寸、6英寸、8英寸晶圓生產(chǎn)線，專注于模擬電路、功率器件的制造，自2004年開始提供IGBT國內(nèi)、外代工業(yè)務(wù)。KRNesmc

上海先進(jìn)2008年在國內(nèi)建立IGBT背面工藝線，具備IGBT正面、背面、測試等完整的IGBT工藝能力，IGBT/FRD的電壓范圍覆蓋650V、1200V、1700V、3300V、4500V、6500V，技術(shù)能力包括PT、NPT、Field Stop，以及平面、溝槽IGBT等。其6英寸晶圓廠專注于平面IGBT和FRD工藝平臺，電壓覆蓋1200V~6500V，8英寸晶圓廠專注于Trench Field Stop IGBT工藝平臺，電壓覆蓋450V~1700V。KRNesmc

中芯國際KRNesmc

官網(wǎng)：http://www.smics.com/KRNesmc

中芯國際集成電路制造有限公司是中國內(nèi)地技術(shù)最全面、配套最完善、規(guī)模最大、跨國經(jīng)營的集成電路制造企業(yè)，提供0.35微米到28納米8寸和12寸芯片代工與技術(shù)服務(wù)。KRNesmc

中芯國際的IGBT平臺從2015年開始建立，著眼于最新一代場截止型IGBT結(jié)構(gòu)，采用業(yè)界最先進(jìn)及主流的背面加工工藝，包括Taiko背面減薄工藝、濕法刻蝕工藝、離子注入、背面激光退火及背面金屬沉積工藝等，已完成整套深溝槽+薄片+場截止技術(shù)工藝的自主研發(fā)，并相應(yīng)推出600V~1200V等器件工藝，技術(shù)參數(shù)可達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平。KRNesmc

方正微電子KRNesmc

官網(wǎng)：http://www.founderic.com/KRNesmc

深圳方正微電子有限公司成立于2003年，由方正集團(tuán)聯(lián)合其他投資者共同創(chuàng)辦，專注于為客戶提供功率分立器件（如DMOS、IGBT、SBD和FRD）和功率集成電路（如BiCMOS、BCD和HV CMOS）等領(lǐng)域的晶圓制造技術(shù)。KRNesmc

方正微電子擁有兩條6英寸晶圓生產(chǎn)線，月產(chǎn)能達(dá)6萬片，產(chǎn)能規(guī)模居國內(nèi)6英寸線前列，0.5微米/6英寸工藝批量生產(chǎn)能力躍居國內(nèi)行業(yè)第二，未來月產(chǎn)能規(guī)劃將達(dá)8萬片。IGBT方面目前支持430V、600V Trench PT IGBT以及1200V、1700V Planar NPT IGBT等工藝及時(shí)。KRNesmc

華潤上華KRNesmc

官網(wǎng)：http://www.csmc.com.cn/KRNesmc

無錫華潤上華科技有限公司隸屬于華潤集團(tuán)旗下負(fù)責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的華潤微電子有限公司。華潤上華向客戶提供廣泛的晶圓制造技術(shù)，包括BCD、Mixed-Signal、HV CMOS、RFCMOS、Embedded-NVM、BiCMOS、Logic、MOSFET、IGBT、SOI、MEMS、Bipolar等標(biāo)準(zhǔn)工藝及一系列客制化工藝平臺。KRNesmc

華潤上華擁有國內(nèi)最大的6英寸代工線和一條8英寸代工線，6英寸月產(chǎn)能逾11萬片，八英寸生產(chǎn)線目前月產(chǎn)能已達(dá)3.5萬片，未來整體月產(chǎn)能規(guī)劃為6萬片，制程技術(shù)將提升至0.11微米。IGBT方面，華潤上華于2012年已宣布開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT以及600V Trench PT IGBT工藝平臺。KRNesmc