據(jù)證券和半導(dǎo)體行業(yè)消息人士透露，三星電子計(jì)劃在明年將內(nèi)存芯片設(shè)施的資本支出增加至65億美元（合462億元人民幣），預(yù)計(jì)增加的部分資金將用于其位于西安的第二家半導(dǎo)體工廠。此外，三星電子將在年底宣布這項(xiàng)投資計(jì)劃。bBlesmc
此前，在2014年竣工的三星西安工廠，已經(jīng)完全實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能滿載，仍然無法滿足NAND閃存供應(yīng)需求。2017年8月，三星電子與陜西省政府簽署了建設(shè)二工廠的諒解備忘錄。三星還表示，計(jì)劃在2020年為止的三年內(nèi)投資一工廠和二工廠共計(jì)70億美元（8.38萬億韓元）。bBlesmc
按照“三年之約”，三星必須在明年8月前完成投資，還要全面運(yùn)營西安二工廠的生產(chǎn)線。據(jù)了解，三星西安二工廠的新生產(chǎn)線設(shè)備已安裝完畢并已經(jīng)開始試運(yùn)行，預(yù)計(jì)明年2月可以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。bBlesmc
業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，三星電子的額外投資計(jì)劃將為當(dāng)前供過于求的NAND閃存市場(chǎng)帶來更多不確定性，并且可能成為競(jìng)爭(zhēng)加劇的NAND市場(chǎng)的差異化戰(zhàn)略。bBlesmc
與DRAM不同，NAND閃存市場(chǎng)正在逐漸顯示出復(fù)蘇的跡象。DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，上個(gè)月底，128Gb多級(jí)單元（MLC）NAND閃存產(chǎn)品的價(jià)格為4.11美元（4,918韓元），與上個(gè)月相比變化不大。該數(shù)字在7月底兩年來首次上升，8月也增長了2％以上。bBlesmc
報(bào)道指出，目前在NAND閃存市場(chǎng)上，三星電子、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士和英特爾之間競(jìng)爭(zhēng)激烈，但盡管三星電子的加碼投資和擴(kuò)張生產(chǎn)不會(huì)對(duì)市場(chǎng)產(chǎn)生太大影響，一方面由于其他公司正在減產(chǎn)，三星電子也可以因此獲得更多的市場(chǎng)份額。bBlesmc
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責(zé)任編輯：ElainebBlesmc
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