適用于標準柵極驅(qū)動電路的MOSFET

8月12日，Vishay推出新款60 V TrenchFET®第四代n溝道功率MOSFET——SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標準柵極驅(qū)動電路的器件，10 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至4 mW，采用熱增強型3.3 mm * 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封裝。SiSS22DN專門用于提高功率轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)的效率和功率密度，柵極電荷僅為22.5 nC，同時具有低輸出電荷（QOSS）。MEcesmc

與邏輯電平60 V器件不同，SiSS22DN提高了典型VGS（th）和Miller（米勒）平臺電壓，適用于柵極驅(qū)動電壓高于6 V的電路，器件最佳動態(tài)特性縮短死區(qū)時間，防止同步整流應(yīng)用發(fā)生擊穿。SiSS22DN業(yè)內(nèi)低導(dǎo)通電阻比排名第二的產(chǎn)品低4.8%——與領(lǐng)先的邏輯電平器件不相上下——QOSS為34.2 nC，QOSS與導(dǎo)通電阻乘積，即零電壓開關(guān)（ZVS）或開關(guān)柜拓撲結(jié)構(gòu)功率轉(zhuǎn)換設(shè)計中，MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）達到最佳水平。為實現(xiàn)更高功率密度，器件比6 mm * 5 mm封裝類似解決方案節(jié)省65%的PCB空間。MEcesmc

SiSS22DN改進了技術(shù)規(guī)格，經(jīng)過調(diào)校最大限度降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，多電源管理系統(tǒng)構(gòu)件可實現(xiàn)更高效率，包括AC/DC和DC/DC拓撲結(jié)構(gòu)同步整流、DC/DC轉(zhuǎn)換器主邊開關(guān)、降壓-升壓轉(zhuǎn)換器半橋MOSFET功率級，以及通信和服務(wù)器電源OR-ing功能、電動工具和工業(yè)設(shè)備電機驅(qū)動控制和電路保護、電池管理模塊的電池保護和充電。MOSFET經(jīng)過100 % RG和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。MEcesmc

3D高密度測試芯片

8月7日格芯宣布，已流片生產(chǎn)基于Arm®的3D高密度測試芯片，可提升人工智能/機器學(xué)習(xí)（AI/ML）和高端消費電子移動及無線解決方案等計算應(yīng)用的系統(tǒng)性能與能效。新芯片采用格芯12LP FinFET工藝制造，運用Arm 3D網(wǎng)狀互連技術(shù)，核心間數(shù)據(jù)通路更為直接，可降低延遲，提升數(shù)據(jù)傳輸率，滿足數(shù)據(jù)中心、邊緣計算和高端消費電子應(yīng)用的需求。MEcesmc

此外，兩家公司還驗證了一種3D可測試性設(shè)計（DFT）方法，使用格芯的晶圓與晶圓之間的混合鍵合，每平方毫米可連接多達100萬個3D連接，拓展了12nm設(shè)計在未來的應(yīng)用。MEcesmc

IHDM邊繞電感器

8月21日，Vishay推出一款新型IHDM邊繞通孔電感器——IHDM-1008BC-30，額定電流達150 A，適用于工業(yè)等應(yīng)用。IHDM-1008BC-30采用鐵粉合金磁芯技術(shù)，在-40℃至+180℃苛刻的工作溫度范圍內(nèi)，具有出色的電感及飽和穩(wěn)定性，功耗低，散熱性能優(yōu)異。MEcesmc

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該款器件邊繞線圈的直流電阻（DCR）低至0.25 mW，最大限度減少損耗，改進額定電流性能，有助于提高效率。與基于鐵氧體的解決方案相比，IHDM-1008BC-30在+125℃條件下，額定電流和飽和電流分別提高30%。電感達到飽和電流以后不會有電感值急劇的下降，飽和電流不受溫度影響。MEcesmc

該電感器工作電壓高達350 V，適用于大電流、高溫應(yīng)用中的DC/DC轉(zhuǎn)換器、逆變器、電機和開關(guān)噪聲抑制、大功率開關(guān)電源，包括工業(yè)太陽能系統(tǒng)，電動汽車充電站等。MEcesmc

全球首發(fā)RISC-V通用MCU

8月22日，兆易創(chuàng)新正式推出全球首個基于RISC-V內(nèi)核的GD32V系列32位通用MCU產(chǎn)品，并提供從芯片到程序代碼庫、開發(fā)套件、設(shè)計方案等完整工具鏈支持并持續(xù)打造RISC-V開發(fā)生態(tài)。MEcesmc

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• 基于RISC-V的Bumblebee內(nèi)核（與芯來科技合作設(shè)計）；MEcesmc

• 主頻108MHz，16K-128K Flash閃存，8K-32K SRAM緩存；MEcesmc

• 2.6-3.6V供電，I/O口可承受5V電平；MEcesmc

• 配備1個支持三相PWM互補輸出和霍爾采集接口的16位高級定時器可用于矢量控制；4個16位通用定時器；2個16位基本定時器；2個多通道DMA控制器；中斷控制器（ECLIC）提供68個外部中斷、可嵌套16個可編程優(yōu)先級；MEcesmc

• 集成2個2.6M SPS采樣率的12位高速ADC，提供16個可復(fù)用通道，支持16-bit硬件過采樣濾波功能和分辨率可配置功能；2個12位DAC；MEcesmc

• 外設(shè)連接包括USAR *3、UART *2、SPI *3（支持四線制，新增多種傳輸模式，可擴展Quad SPI NOR Flash實現(xiàn)高速訪問）、I2C *2（支持快速Plus(Fm+)模式，頻率最高1MHz(1MB/s)）、I2S *2、CAN2.0B *2，USB 2.0 FS OTG *1（支持Device、HOST、OTG等多種模式），EXMC（外部總線擴展控制器，可連接NOR Flash、SRAM等外部存儲器）；MEcesmc

• -40℃~85℃工業(yè)級操作溫度；MEcesmc

• 每顆芯片唯一ID，gFlash專利技術(shù)，實現(xiàn)片上存儲加密技術(shù)；MEcesmc

• 對應(yīng)的Arm產(chǎn)品型號（GD32V對應(yīng)GD32），封裝與引腳兼容、軟件開發(fā)兼容。MEcesmc

表面貼裝電感器

8月29日，TT Electronics 推出兩款新型表面貼裝設(shè)備（SMD）功率電感器：用于高頻率電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和EMI濾波器應(yīng)用的HM66M系列，以及用于高密度和高頻直流/直流（DC/DC）轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的HM78M系列。MEcesmc

HM66M系列功率電感器專為復(fù)雜的工業(yè)和電子通信市場而設(shè)計。HM66M是一款屏蔽式微縮薄型SMD電感器，集成了鐵氧體磁芯，以提供顯著的電導(dǎo)率和溫度優(yōu)勢。這些電感器的特點是高頻損耗低，非常適合以GaN為基礎(chǔ)的快速開關(guān)功率半導(dǎo)體工作的電源和變頻器。功率電感已在700 kHz至4 MHz的頻率范圍內(nèi)進行了優(yōu)化，適用于要求開關(guān)頻率高達4MHz且工作溫度為125℃的系統(tǒng)。MEcesmc

HM78M系列功率電感器是一款屏蔽式、基于鐵氧體的SMD電感器，專為工業(yè)市場中常見的高頻直流/直流（DC/DC）轉(zhuǎn)換器配置應(yīng)用而設(shè)計。憑借其高電感和高電流值，這些功率電感器提供100 kHz至3 MHz的開關(guān)頻率配置范圍，使其適合用作降壓轉(zhuǎn)換器或EMI濾波器。MEcesmc

隔離智能開關(guān)

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8月29日，Silicon Labs（稱“芯科科技”）推出了一系列緊湊、可靠的隔離智能開關(guān)，即使在最惡劣的工業(yè)環(huán)境中，它們依舊可以驅(qū)動任意負載。新型Si834x隔離開關(guān)非常適合驅(qū)動電阻和電感負載，例如工業(yè)控制系統(tǒng)中的電磁閥、繼電器和燈等，這些系統(tǒng)包括可編程邏輯控制器（PLC）、I/O模塊、繼電器驅(qū)動器和伺服電機控制器等。每個隔離開關(guān)都進行了電氣隔離，以確保安全性，通過采用Silicon Labs突破性的基于CMOS的隔離技術(shù)，與傳統(tǒng)的基于光耦合器的隔離相比，具有更高的可靠性和性能，包括超過100kV/μs的高共模瞬變抗擾度（CMTI）。MEcesmc

Si834x隔離開關(guān)系列產(chǎn)品支持高側(cè)和低側(cè)開關(guān)選項、低導(dǎo)通電阻（145 mΩ RON）、符合IEC 61131-2標準的高達700mA的連續(xù)電流、全面的保護和診斷報告、以及用于工業(yè)自動化系統(tǒng)的先進配置、監(jiān)控和控制。開關(guān)邏輯接口可以像四個低功耗CMOS數(shù)字輸入一樣簡單，也可以像全串行外設(shè)接口（SPI）一樣豐富和靈活，可通過4個MCU引腳控制多達128個通道。MEcesmc

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責(zé)任編輯：MomoMEcesmc