新IC可在整個負(fù)載范圍內(nèi)提供95%的高效率，并且在密閉適配器內(nèi)不使用散熱片的情況下可提供100W的功率輸出。這一突破性的性能提升源自內(nèi)部開發(fā)的高壓氮化鎵開關(guān)技術(shù)。QRMesmc
準(zhǔn)諧振模式的InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-Pro IC在一個表面貼裝封裝內(nèi)集成了初級電路、次級電路和反饋電路。在新發(fā)布的系列器件中，氮化鎵開關(guān)替換了IC初級的常規(guī)高壓硅晶體管，這可以降低電流流動期間的傳導(dǎo)損耗，并極大降低工作時的開關(guān)損耗。這最終有助于大幅降低電源的能耗，從而提高效率，使體積更小的InSOP-24D封裝提供更大的輸出功率。QRMesmc
新IC無需外圍元件即可提供精確的恒壓/恒流/恒功率，并輕松與接快充協(xié)議接口IC協(xié)同工作，因此適用于高效率反激式設(shè)計，例如，移動設(shè)備、機(jī)頂盒、顯示器、家電、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和游戲機(jī)的USB-PD和大電流充電器/適配器。InnoSwitch3-CP和InnoSwitch3-EP的電源特性可以通過改變硬件參數(shù)的方式進(jìn)行配置，而InnoSwitch-Pro集成先進(jìn)的數(shù)字接口，可通過軟件實(shí)現(xiàn)對恒壓和恒流的設(shè)置點(diǎn)、異常處理以及安全模式選項的控制。QRMesmc
PI總裁兼首席執(zhí)行官Balu Balakrishnan表示：“在實(shí)現(xiàn)高效率和小尺寸方面，氮化鎵是一項明顯優(yōu)于硅技術(shù)的關(guān)鍵技術(shù)。我們預(yù)計眾多電源應(yīng)用會從硅晶體管快速轉(zhuǎn)換為氮化鎵。自從我們在18個月之前推出硅技術(shù)新器件以來，InnoSwitch3已成為離線開關(guān)電源IC市場當(dāng)之無愧的技術(shù)先行者，隨著我們的反激式產(chǎn)品在效率和功率能力的提高，新的氮化鎵IC進(jìn)一步鞏固了我們的優(yōu)勢地位。”PI全新的InnoSwitch 3 IC現(xiàn)已開始供貨。QRMesmc
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