3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第3代10納米工藝的8Gb DDR4 DRAM，用于高端應(yīng)用場(chǎng)景。jhxesmc
第三代10nm級(jí)工藝即1Z納米（在內(nèi)存制造中，X/Y/Z指代際，工藝區(qū)間是10~20nm），整合了EUV極紫外光刻技術(shù)，單芯片容量8Gb。jhxesmc
據(jù)了解，新的10納米 DDR4與之前的1y-nm版本相比，它的制造效率提高了20%以上，并將以超高的性能和功率效率推動(dòng)DRAM解決方案的極限。此外，第3代DDR4產(chǎn)品沒有使用極端紫外線(EUV)處理，也拉高三星和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的生產(chǎn)門坎。jhxesmc
隨著 1Z 納米工藝產(chǎn)品問世，并成為業(yè)界最小的內(nèi)存生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)，目前三星已準(zhǔn)備好用新的 1Z 納米工藝 DDR4 DRAM 滿足日益成長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，生產(chǎn)效率比以前 1Y 納米等版 DDR4 DRAMUL4 高 20% 以上。jhxesmc
三星表示，1Z 納米工藝 8GB DDR4 DRAM 的正是大量生產(chǎn)時(shí)間將落在 2019 下半年，以因應(yīng)下一代企業(yè)服務(wù)器需求，并有望能在 2020 年支持新高階個(gè)人計(jì)算機(jī)。此外，三星還表示，上述先進(jìn)技術(shù)還將應(yīng)用于未來的DDR5、LPDDR5、GDDR6產(chǎn)品上。這些具更高容量和性能的 1Z 納米工藝產(chǎn)品將增強(qiáng)三星在市場(chǎng)的業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力，鞏固其在DRAM市場(chǎng)高端應(yīng)用的領(lǐng)導(dǎo)地位，包括服務(wù)器、圖形和行動(dòng)裝置等領(lǐng)域。jhxesmc
據(jù)悉，三星這款第3代10納米工藝的8Gb DDR4 DRAM已經(jīng)獲得獲得全球PC廠商的評(píng)估認(rèn)證，量產(chǎn)后或?qū)U(kuò)大全球客戶需求。jhxesmc
不過，就在3月20日，三星電子聯(lián)席CEO金基南也指出，由于智能機(jī)市場(chǎng)增長(zhǎng)乏力，數(shù)據(jù)中心公司削減投資，公司的存儲(chǔ)芯片等零部件業(yè)務(wù)預(yù)計(jì)將面臨艱難一年。jhxesmc
文章綜合自ZDNet Korea、Technews報(bào)道jhxesmc
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