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SOI晶圓中國產(chǎn)能翻倍,這兩大應(yīng)用的“彈藥”供應(yīng)穩(wěn)了

作為設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè),法國Soitec公司在今年2月和3月連續(xù)宣布重磅消息……

作為設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè),法國Soitec公司在今年2月和3月連續(xù)宣布重磅消息:一是在中國開啟銷售渠道。Soitec中國團隊的銷售與技術(shù)工程師將直接面向中國客戶提供支持;二是與上海新傲科技(Simgui)加強合作關(guān)系,擴大其位于中國上海制造工廠的200mm絕緣硅(SOI)晶圓年產(chǎn)量,從年產(chǎn)180,000片增加至360,000片,新增產(chǎn)能主要面向汽車自動駕駛領(lǐng)域所涉及的射頻RF-SOI與功率Power-SOI器件,新傲科技負責SOI晶圓制造,Soitec則管理全球產(chǎn)品銷售。eJNesmc

繼續(xù)擴大中國SOI生態(tài)系統(tǒng)

作為最早實現(xiàn)FD-SOI晶圓高良率成熟量產(chǎn)的公司,Soitec產(chǎn)品范圍包括數(shù)字應(yīng)用產(chǎn)品如FD-SOI、光電-SOI和Imager-SOI,以及通信和功率應(yīng)用產(chǎn)品如RF-SOI和功率-SOI。其中,又以自主研發(fā)的用于生產(chǎn)優(yōu)化襯底,尤其是SOI晶圓的革命性晶圓鍵合和剝離技術(shù)Smart Cut最為知名。這是一項用來將晶體材料中的超薄單晶硅層從供體襯底轉(zhuǎn)移到其他襯底上的技術(shù),當今大部分SOI晶圓都采用了該項技術(shù)。eJNesmc

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基于Smart Cut技術(shù)的襯底優(yōu)化eJNesmc

自2015年起,Soitec將公司核心業(yè)務(wù)定義為“加速為電子行業(yè)提供優(yōu)化襯底”。此后的三年內(nèi),公司業(yè)績一直處于增長模式,截止2018財年末(2018年3月底)累計收入達到3.5億美元,預(yù)計2019財年還將取得35%的增幅。 eJNesmc

為了通過設(shè)計鞏固對半導體供應(yīng)鏈從優(yōu)化襯底到集成電路、系統(tǒng)應(yīng)用的業(yè)務(wù)覆蓋,2018年8月底,Soitec還收購了Dolphin Integration的大部分股份。Dolphin Integration是一家專注于開發(fā)低功耗芯片的法國公司,通過收購,雙方能夠為市場帶來結(jié)合優(yōu)化功率管理和正向體偏壓技術(shù)的獨特解決方案。eJNesmc

Soitec全球戰(zhàn)略執(zhí)行副總裁Thomas Piliszczuk博士并不否認IP設(shè)計是FD-SOI的痛點之一,但他強調(diào)稱,隨著生態(tài)系統(tǒng)的不斷完善,三星(28nm,18nm)、格芯(22nm,12nm)、瑞薩(65nm)和ST(28nm)、芯原(VeriSilicon)、Arm、Synopsys、Cadence等大廠提供了極為豐富的IP產(chǎn)品,這一短板在過去幾年間已經(jīng)得到了極大的緩解。eJNesmc

“我們之所以選擇收購Dolphin Integration,就代表Soitec正在加強IP庫構(gòu)建與相關(guān)服務(wù),為基于FD-SOI的芯片設(shè)計提供更加節(jié)能高效的解決方案。這是FD-SOI與其他SOI晶圓片的主要區(qū)別,也是FD-SOI在相關(guān)市場領(lǐng)域得以推廣的重要因素。”Thomas Piliszczuk說。eJNesmc

而就在兩三周前,Dolphin Integration還與Global Foundries共同發(fā)布了支持22納米節(jié)點的可適應(yīng)的基底體偏壓技術(shù)。eJNesmc

Soitec很早就開始支持中國當?shù)豐OI生態(tài)系統(tǒng)的建設(shè)。早在2007年,Soitec就與中國代工廠和研發(fā)中心開展產(chǎn)業(yè)合作。2014年,Soitec和上海新傲科技股份有限公司達成了有關(guān)射頻和功率半導體市場200mm SOI晶圓的戰(zhàn)略伙伴關(guān)系并簽署了許可和技術(shù)轉(zhuǎn)移協(xié)議,有助于在中國打造本地化的SOI生態(tài)系統(tǒng)。eJNesmc

目前,海思(HiSilicon)、展銳(RDA/Spreadtrum)、瑞芯微(Rockchip)等知名企業(yè)基于SOI技術(shù)在4G、5G、AIOT、ADAS和數(shù)據(jù)中心等關(guān)鍵應(yīng)用中取得了一系列突破性進展;以SMIC和HHGrace為代表的中國的晶圓代工企業(yè)也一直在提供基于RF-SOI的產(chǎn)品;格芯還與成都市政府成立了合資企業(yè),同樣以22nm SOI技術(shù)作為發(fā)展重點。eJNesmc

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SOI中國生態(tài)系統(tǒng)eJNesmc

考慮到由于硅基和非硅基優(yōu)化襯底對于5G移動通信在自動駕駛汽車、工業(yè)連接和虛擬現(xiàn)實等領(lǐng)域的大規(guī)模部署發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,近日,Soitec又宣布成為首家加入中國移動5G聯(lián)合創(chuàng)新中心的材料供應(yīng)商,為其帶來與無晶圓半導體公司、代工廠、系統(tǒng)級供應(yīng)商、集成器件制造商(IDM)、研發(fā)/創(chuàng)新中心、大學和行業(yè)協(xié)會長期建立起來的全球合作網(wǎng)絡(luò)。eJNesmc

為5G和AIoT做好晶圓保障

按照規(guī)劃,Soitec計劃在未來四年內(nèi)將300mm SOI晶圓產(chǎn)能從當前的每年165萬片提升至200萬片,200mm晶圓產(chǎn)能在2019年底從當前的90萬片提升至130萬片,中國合作伙伴上海新傲科技200mm SOI產(chǎn)能超過36萬片。與此同時,Soitec三大戰(zhàn)略投資者之一上海硅產(chǎn)業(yè)投資有限公司(National Silicon Industry Group,NSIG)在2016年也宣布收購Soitec股權(quán)(上海硅產(chǎn)業(yè)投資有限公司目前擁有Soitec11.49%的股份)。eJNesmc

Soitec全球業(yè)務(wù)部執(zhí)行副總裁Bernard Aspar將5G和AI列為Soitec產(chǎn)品(包括FD-SOI、RF-SOI、Photonics-SOI、POA和其它具有III-V族材料)最大的兩個增長機會,認為與追求絕對高性能的FinFET技術(shù)不同的是,5G移動、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、ADAS這些更關(guān)注低功耗、性能靈活、集成模擬/RF/混合信號的應(yīng)用,更適合FD-SOI技術(shù),當前快速增長的采用趨勢也證實了這一判斷。eJNesmc

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Soitec襯底優(yōu)化覆蓋多個應(yīng)用領(lǐng)域eJNesmc

從技術(shù)角度來看,RF-SOI是專為射頻前端模塊設(shè)計的先進工藝,在4G/LTE,包括即將到來的5G應(yīng)用中,是眾多天線開關(guān)、天線調(diào)諧器、低噪聲放大器(LNA)和功率放大器的首選技術(shù),并從2012開始快速取代傳統(tǒng)用于射頻器件的GaAs材料。eJNesmc

按照Bernard Aspar的說法,目前,100%智能手機的射頻前端模塊均基于RF-SOI設(shè)計制造,甚至已經(jīng)成為了天線開關(guān)、調(diào)諧器和低噪聲放大器的行業(yè)標準。通過將多個RF組件高度集成在一顆芯片上,RF-SOI滿足了4G和5G所需要的RF性能,并顯著降低了設(shè)備成本和器件尺寸,這對IOT類型的應(yīng)用也至關(guān)重要。eJNesmc

由于RF-SOI為射頻前端模組帶來了獨特的RF特性,例如RF信號線性、低插入損耗、較小尺寸、高集成、低成本,目前還沒有其他技術(shù)能夠提供類似的價值。因此,F(xiàn)D-SOI平臺可以針對5G需要提供無與倫比的集成度,還可以給窄帶物聯(lián)網(wǎng)帶來優(yōu)越的低功耗性能,這些都是FinFET工藝無法比擬的優(yōu)勢。eJNesmc

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面向5G的優(yōu)化襯底eJNesmc

而FD-SOI則是一種為低功率數(shù)字處理而設(shè)計的工藝,集成了眾多模擬混合信號功能,無論設(shè)備處于低泄漏/睡眠模式還是處于高性能模式,該技術(shù)都能為其帶來獨特,自然成為移動和AIoT應(yīng)用的理想選擇。 eJNesmc

相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,從制成品的成本和性能來看,28nm FD-SOI比28nm bulk CMOS晶圓(28nm或22nm)可提供多30-50%的性能,22nm FD-SOI又比14nm FinFET成品晶圓成本降低20-30%,但由于具備射頻、體偏壓和集成優(yōu)勢,又能夠提供幾乎相同的性能。eJNesmc

目前,恩智浦、LATTICE、Synaptics、Rockchip等廠商均基于FD-SOI工藝推出了相關(guān)的AIoT解決方案。eJNesmc

“摩爾定律發(fā)展趨緩,英特爾10nm工藝受阻,GF/UMC紛紛宣布放棄7nm以下先進工藝,相比之下,F(xiàn)D-SOI成本和性能都更為合理,其中隱藏的許多商業(yè)機會能夠幫助這些晶圓廠繼續(xù)為市場提供服務(wù)。”Soitec全球銷售主管Calvin Chen對《國際電子商情》表示,隨著芯片設(shè)計成本的不斷高漲,為了繼續(xù)保持競爭力,并構(gòu)建起理想的盈利模式,會有越來越多的企業(yè)選擇主動擁抱SOI平臺。eJNesmc

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邵樂峰
ASPENCORE中國區(qū)首席分析師。
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