來自英特爾(Intel)、聯(lián)發(fā)科技(MediaTek)以及三星(Samsung)的工程師在國際固態(tài)電路會議(ISSCC)在專題演講中揭露5G面對的最新挑戰(zhàn)——特別是毫米波(mmWave)頻段的功耗問題。d8wesmc

在ISSCC上發(fā)表這些演講的時機，正值韓國巨擘——三星電子(Samsung electronics)宣布推出首款5G手機之際。最新的Galaxy S10 5G智能手機屏幕尺寸更大并配備強大的電池，但移除了MicroSD插槽，并引發(fā)業(yè)界工程師的關(guān)注。d8wesmc

英特爾(Intel)的一位蜂窩射頻(RF)工程師Benjamin Jann在發(fā)表關(guān)于該公司的首款5G收發(fā)器進展后告訴《EE Times》說：“毫米波前端目前還存在功耗挑戰(zhàn) —— 我并不考慮購買首批5G毫米波相控數(shù)組手機”。d8wesmc

聯(lián)發(fā)科技(MediaTek)資深蜂窩RF工程師Chih-Chun Tang在發(fā)表其先進LTE收發(fā)器后表示，“Sub-6 RFIC部份將不會有太大的區(qū)別，但是mmWaves所需的散熱和典型的1W功耗都會是問題。”。d8wesmc

兩位發(fā)言人分別提出了對于其設(shè)計的顧慮。而其競爭對手高通公司(Qualcomm)則為12月展示的三星手機原型提供了基頻芯片和mmWave模塊。d8wesmc

英特爾的Jann在發(fā)表演講中描述他的團隊在3GPP完成5G NR規(guī)范之前，即設(shè)計了sub-6GHz和mmWave RF收發(fā)器原型，并已應用于2018年奧運會(2018 Olympics)和其他場所的試驗。d8wesmc

英特爾將20%專用于授權(quán)MIPI M-PHY核心的28nm工藝 27.7mm2芯片，用于鏈接收發(fā)器與基頻。Jann說，當全部的8通道均以全速運轉(zhuǎn)時，僅消耗“幾瓦”功耗。英特爾可能會為其將在今年底出樣的商用5G芯片設(shè)計自家接口。d8wesmc

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三星的5G收發(fā)器目前僅能處理sub-6-GHz頻段d8wesmc

三星則描述了針對5G和傳統(tǒng)蜂窩網(wǎng)絡的14nm商用收發(fā)器。它可提供高達3.15Gbits/s的速率和1.27Gbits/s的速率，但僅支持sub-6 GHz以下頻段，尚未支持mmWave頻率。d8wesmc

相較于該公司在2017年ISSCC所描述的40nm先進LTE收發(fā)器，這款38.43mm2的裝置尺寸幾乎更大了2倍，但在執(zhí)行LTE和3G模式時的功耗更大幅降低了。d8wesmc

該芯片封裝14個接收器管線以及2個發(fā)送鏈，在1V時消耗的電流僅為30mA，并且仍正針對性能和功耗進行優(yōu)化。d8wesmc

三星RF工程師Jongwoo Lee詳細介紹了這款收發(fā)器，但他并未明白表示是否用于該公司的最新手機中。不過，他指出這些手機已在近期推出了。d8wesmc

三星在最近的一場發(fā)表會中，推出了三款LTE手機，價格從749美元到999美元不等，并預計在3月8日上市。d8wesmc

相較于其LTE機型，這款5G手機搭載了更大的外殼和電池，而且不再支持可讓用戶擴充更多儲存空間的MicroSD插槽。Galaxy S10 5G手機的尺寸為77.1 x 162.6 x 7.94mm，而搭載4,500mAh容量電池的最大新款LTE手機為74.1 x 157.6 x 7.8mm。d8wesmc

根據(jù)銷售地區(qū)的不同，該手機采用三星或(可能是)高通的8核心應用處理器。三星8nm Exynos執(zhí)行速度略低于另一款替代芯片——據(jù)推測就是高通采用7nm工藝的2.8GHz Snapdragon 855。d8wesmc

這款5G手機還增加了第4顆后置攝影機，可用于拍攝超寬幅照片。LTE手機則支持3顆后置攝影機。d8wesmc

正如預期的，三星還發(fā)布了一款可折疊的智能手機 —— Galaxy Fold，預計將在4月26日亮相，價格預計高達1,980美元。它將配備總?cè)萘繛?,380mAh的雙電池、6個攝影機以及一個7.3吋的折疊屏幕。d8wesmc

三星并未透露S10 5G手機是否支持mmWave頻段。如果支持的話，它可能采用了高通在7月推出的模塊。高通和另一家新創(chuàng)公司不久前才發(fā)布增強型mmWave模塊。d8wesmc

編譯：Susan Hong EETTAIWANd8wesmc
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