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計劃提前,內(nèi)存兩大巨頭宣布年底推出DDR5

在2月19日固態(tài)技術協(xié)會(JEDEC)正式宣布LPDDR5標準發(fā)布之后,SK海力士和三星在國際固態(tài)電路會議上先后展示了他們的DDR5計劃,兩家公司計劃在2019年底之前發(fā)布DDR5產(chǎn)品……

在2月19日固態(tài)技術協(xié)會(JEDEC)正式宣布LPDDR5標準發(fā)布之后,SK海力士和三星在國際固態(tài)電路會議上先后展示了他們的DDR5計劃,兩家公司計劃在2019年底之前發(fā)布DDR5產(chǎn)品,其中SK海力士將專門為臺式機開發(fā)DDR5內(nèi)存,而三星將內(nèi)存升級工作的應用面限定得較窄,主要面向其移動設備。VBresmc

SK Hynix的在會上的演講主要集中在16Gb DDR5 SDRAM模塊上,據(jù)該公司稱,新模塊的工作電壓為1.1V,每個引腳的吞吐量高達6.4Gb/s。VBresmc

三星則是提出了一些關于LPDDR5 SDRAM的計劃,將用于筆記本電腦,平板電腦和智能手機。VBresmc

值得注意的是,設定內(nèi)存產(chǎn)品標準的JEDEC仍在最終確定DDR5的最終規(guī)范。VBresmc

DDR5內(nèi)存的推出,更好的性能或?qū)⑷〈壳皬V泛使用的DDR4內(nèi)存,同時降低功耗。但DDR5與所有新事物一樣,新的存儲器在開始階段成本都會比較高。VBresmc

SK海力士改變計劃,搶占市場

去年11月,SK海力士官方宣布,公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的下一代DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒,且是首款滿足JEDEC標準規(guī)范的DDR5。據(jù)介紹,新內(nèi)存采用SK海力士自家的1Ynm工藝制造,電壓是標準的1.1V,相比于DDR4 1.2V可節(jié)省30%的功耗,同時工作頻率高達5200MHz,相比于DDR4 3200MHz快了足有60%,帶寬也高達41.6GB/s,可以每秒傳輸11部全高清電影。SK海力士計劃2020年起量產(chǎn)這款新型DDR5內(nèi)存顆粒。VBresmc

據(jù)市調(diào)機構(gòu)IDC的數(shù)據(jù)顯示,DDR5內(nèi)存需求將在2020年開始抬升,2021年可占整個內(nèi)存市場的25%,2022年即高達44%,2023年就能成為市場主流。VBresmc

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