2018年已經(jīng)過(guò)去，這一年發(fā)生了很多事情，有些促進(jìn)了產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，比如人工智能技術(shù)的快速發(fā)展和一些應(yīng)用的落地；有些則給產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來(lái)了一絲陰影，比如中興事件，以及逐漸升溫的中美貿(mào)易戰(zhàn)。但不管怎么樣，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)必將會(huì)繼續(xù)向前發(fā)展。接下來(lái)，跟著國(guó)際電子商情一起來(lái)看看，2019年半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)有哪些新的機(jī)會(huì)？哪些技術(shù)會(huì)有新的突破呢？JvYesmc

過(guò)去1年來(lái)，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)明顯與往年大不相同，在歷經(jīng)自2017年以來(lái)的繁榮后，內(nèi)存市場(chǎng)逐漸由于產(chǎn)能過(guò)剩、庫(kù)存增加，加上技術(shù)提升，以及中國(guó)廠商的加入，2018年，DRAM和NAND閃存(NAND Flash)開(kāi)始出現(xiàn)供過(guò)于求、價(jià)格走跌的趨勢(shì)，并將延續(xù)到2019年。JvYesmc

就在1年前，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)還處于DRAM和NAND雙雙價(jià)量齊揚(yáng)的繁榮周期，然而，從2018年第一季起，NAND市場(chǎng)開(kāi)始下滑，DRAM市場(chǎng)也隨之在第三季之后走下坡。TrendForce內(nèi)存儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)預(yù)計(jì)，2019年的一整年都將會(huì)是供過(guò)于求的狀況。從DRAM市場(chǎng)來(lái)看，2016年下半年開(kāi)始出現(xiàn)價(jià)格上揚(yáng)，并延續(xù)到2018第三季仍處于高峰，在那之后才開(kāi)始走緩。DRAMeXchange預(yù)計(jì)，目前這一波降價(jià)至少將持續(xù)到2019年第二季，降價(jià)幅度約10%~15%。JvYesmc

DRAM市場(chǎng)迅速飆升的主要成長(zhǎng)動(dòng)力來(lái)自于移動(dòng)、服務(wù)器等應(yīng)用需求。然而，當(dāng)時(shí)由于晶圓廠產(chǎn)能不足以支撐快速成長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，導(dǎo)致供應(yīng)短缺及價(jià)格飆升，同時(shí)也帶動(dòng)了2017年的半導(dǎo)體市場(chǎng)成長(zhǎng)。2018年DRAM市場(chǎng)持續(xù)這一波成長(zhǎng)動(dòng)能，并在第二季寫(xiě)下歷年的營(yíng)收新高記錄。JvYesmc

DRAMeXchange研究經(jīng)理黃郁璇以DRAM市場(chǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力——移動(dòng)DRAM為例指出，自2016年下半年起，由于中國(guó)手機(jī)品牌崛起、手機(jī)內(nèi)存主流容量從2GB DRAM走向4GB，推動(dòng)市場(chǎng)需求快速增加，加上季節(jié)性因素帶動(dòng)，內(nèi)存價(jià)格開(kāi)始突飛猛進(jìn)，促使內(nèi)存原廠開(kāi)始擴(kuò)產(chǎn)以緩解市場(chǎng)短缺。這一周期直到2018第三季起才逐漸滿足市場(chǎng)需求，并隨著供貨持續(xù)往上爬升，預(yù)計(jì)從2018第四季起到2022上半年都將出現(xiàn)供過(guò)于求。JvYesmc

目前，盡管內(nèi)存價(jià)格松動(dòng)，廠商仍在積極增加產(chǎn)能，甚至計(jì)劃擴(kuò)廠或工藝轉(zhuǎn)進(jìn)。她指出，“包括美光、三星、海力士(SK Hynix)、南亞(Nanya)、中國(guó)的福建晉華(JHICC)等原廠持續(xù)增加DRAM產(chǎn)出，預(yù)計(jì)將為市場(chǎng)增加22.9%的成長(zhǎng)。”特別是智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備使用的低功耗、高密度DRAM，預(yù)計(jì)將在整體DRAM市場(chǎng)占41%。JvYesmc

除了移動(dòng)DRAM，另一成長(zhǎng)動(dòng)力來(lái)自服務(wù)器。黃郁璇預(yù)計(jì)，從2019~2021的3年內(nèi)，移動(dòng)DRAM仍占市場(chǎng)第一，但隨著服務(wù)器應(yīng)用需求增加且更多元，可望在2021年后取代移動(dòng)DRAM在原廠中的地位。JvYesmc

DRAMeXchange資深分析師劉家豪也強(qiáng)調(diào)，服務(wù)器是近幾年來(lái)驅(qū)動(dòng)DRAM產(chǎn)值的關(guān)鍵推手，特別是數(shù)據(jù)中心。在Google、Amazon、微軟和Facebook，以及中國(guó)因特網(wǎng)三巨頭(BAT—包括百度、阿里巴巴和騰訊)的推動(dòng)下，可望使2019年服務(wù)器DRAM維持3.7%的單位成長(zhǎng)，其中來(lái)自北美ODM的需求動(dòng)力約占9.8%，中國(guó)內(nèi)需市場(chǎng)需求則將近三成。JvYesmc

未來(lái)，劉家豪指出，5G將會(huì)是驅(qū)動(dòng)內(nèi)存市場(chǎng)的關(guān)鍵技術(shù)，包括在5G及其基礎(chǔ)設(shè)施落實(shí)之前驅(qū)動(dòng)服務(wù)器需求，以及在落實(shí)5G之后將催生來(lái)自邊緣運(yùn)算以及物聯(lián)網(wǎng)/車聯(lián)網(wǎng)(IoT/IoV)的更多新需求。JvYesmc

JvYesmc
JvYesmc

5G、數(shù)據(jù)中心與邊緣計(jì)算將成為服務(wù)器DRAM需求增加的主要驅(qū)動(dòng)力，并預(yù)計(jì)將在2021年后超越目前占主流的移動(dòng)DRAM應(yīng)用(來(lái)源：TrendForce DRAMeXchange)JvYesmc

NAND Flash市場(chǎng)的發(fā)展重點(diǎn)在于3D NAND。NAND Flash供應(yīng)商長(zhǎng)久以來(lái)一直在積極推動(dòng)從當(dāng)今的平面NAND轉(zhuǎn)向3D NAND。不過(guò)，去年，NAND Flash市場(chǎng)同樣受到產(chǎn)品短缺、供應(yīng)鏈問(wèn)題和技術(shù)轉(zhuǎn)型困難的種種挑戰(zhàn)。JvYesmc

Semico Research總裁Jim Feldhan指出，NAND Flash近來(lái)的市場(chǎng)發(fā)展基本上與DRAM大致相同，但DRAM自第四季開(kāi)始起降價(jià)，而NAND Flash市場(chǎng)自2018年第一季起即出現(xiàn)供過(guò)于求，并持續(xù)了一整年，產(chǎn)品價(jià)格也大幅下滑。JvYesmc

Objective Analysis分析師Jim Handy也表示，“NAND Flash市場(chǎng)供過(guò)于求且價(jià)格下跌(2018年第一季)的時(shí)間比DRAM市場(chǎng)更早。其現(xiàn)貨價(jià)格甚至比2017年底的高峰時(shí)期更低了79%。”JvYesmc

根據(jù)DRAMeXchange的資料，2018年10月TLC NAND Flash顆粒與晶圓的合約價(jià)格跌幅高達(dá)13~17%，這是自2017年11月以來(lái)的單月最大跌幅。展望2019年，盡管原廠開(kāi)始抑制擴(kuò)產(chǎn)，但由于上半年的淡季加上庫(kù)存水平仍高，供過(guò)于求的情況只會(huì)更加顯著，預(yù)估第一季合約價(jià)將再進(jìn)下跌約10%?；ㄆ煦y行的分析更估計(jì)2019年NAND Flash將大幅降價(jià)45%，甚至在第二季之前還看不到價(jià)格底線，各大內(nèi)存廠商必須盡早預(yù)做準(zhǔn)備。JvYesmc

事實(shí)上，NAND Flash市場(chǎng)的前景仍不明朗。根據(jù)Semico Research的數(shù)據(jù)顯示，2018年的2月、5月與7月，NAND價(jià)格分別下滑了5.3%、5.0%及8.1%，但8月和9月的價(jià)格卻又分別上漲了13.3%和14.1%。JvYesmc

但無(wú)論是DRAM還是NAND Flash，2019年的內(nèi)存市況看起來(lái)似乎較為黯淡。不僅內(nèi)存價(jià)格將持續(xù)走跌，甚至可能出現(xiàn)大幅下滑的趨勢(shì)，特別是2019年下半年。而且，很可能如同Handy預(yù)計(jì)的，在2019年，“DRAM和NAND Flash市場(chǎng)很可能一整年都‘無(wú)利可圖’，因?yàn)檫@些芯片幾乎都將以成本價(jià)出售！”JvYesmc