2018年以來(lái)，越來(lái)越多的跡象顯示，持續(xù)兩年的存儲(chǔ)芯片銷售熱潮正逐漸停止。年初開始，NAND閃存價(jià)格已出現(xiàn)疲軟，并將持續(xù)到2019年。而DRAM內(nèi)存價(jià)格也在今年三季度由漲轉(zhuǎn)跌，平均價(jià)格跌幅達(dá)10-15%。三星、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等紛紛調(diào)整產(chǎn)出量、減緩?fù)顿Y計(jì)劃，下調(diào)資本支出等，以便“彌補(bǔ)損失”。wVkesmc

美光財(cái)報(bào)引發(fā)業(yè)界擔(dān)憂

上周三，美國(guó)存儲(chǔ)器大廠美光公司發(fā)布了截至11月29日的2019財(cái)年一季度財(cái)報(bào)。數(shù)據(jù)顯示，美光公司當(dāng)季營(yíng)收79.1億美元，同比增長(zhǎng)16%，毛利率達(dá)到了58%，凈利潤(rùn)32.9億美元，同比增長(zhǎng)23%。雖然整體業(yè)績(jī)還是在增長(zhǎng)的，但是相比上個(gè)季度已經(jīng)放緩了，主要原因就是NAND閃存大幅降價(jià)，DRAM內(nèi)存芯片也由漲轉(zhuǎn)跌，影響了公司的毛利率。wVkesmc

美光方面預(yù)計(jì)，2019年內(nèi)存芯片產(chǎn)能增幅為15%，低于此前預(yù)期的20%；這直接導(dǎo)致DRAM和NAND需求將減弱，NAND閃存芯片也只會(huì)增長(zhǎng)35%，低于此前預(yù)計(jì)的35-40%。因此公司下調(diào)了第二財(cái)季的營(yíng)收，預(yù)計(jì)為57億到63億美元之間，低于分析師預(yù)期的73億美元。wVkesmc

為了解決供過(guò)于求的問題，美光公司總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在隨后的電話會(huì)議上表示，“正采取果斷行動(dòng)，包括大幅降低2019財(cái)年資本開支”，減少NAND 及DRAM產(chǎn)量以維持價(jià)格。wVkesmc

具體來(lái)看，美光計(jì)劃將明年全年的資本支出下調(diào)12.5億美元降至95億美元，主要減少的是汽車、智能手機(jī)以及數(shù)據(jù)中心等市場(chǎng)上的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能，美光認(rèn)為這些領(lǐng)域的需求量將低于預(yù)期。wVkesmc

業(yè)內(nèi)指出，半導(dǎo)體下游應(yīng)用需求端的疲軟是對(duì)明年最大的擔(dān)憂，美光的財(cái)報(bào)恰恰反映了這一點(diǎn)。認(rèn)為包括通訊電子、消費(fèi)電子、汽車電子等在內(nèi)的下游應(yīng)用明年均將出現(xiàn)增速放緩，某些細(xì)分領(lǐng)域甚至有可能出現(xiàn)倒退。wVkesmc

三星、海力士紛紛計(jì)劃減產(chǎn)

存儲(chǔ)器行業(yè)也不只是美光受挫，占存儲(chǔ)器市場(chǎng)份額更多三星與SK海力士也不好過(guò)。根據(jù)韓國(guó)方面消息，三星2018年第4季營(yíng)業(yè)預(yù)期利益已從15萬(wàn)億韓元下調(diào)至14.298萬(wàn)億韓元。SK海力士也將2018年第4季營(yíng)業(yè)預(yù)期利益從6.4724萬(wàn)億韓元下調(diào)至5.6403萬(wàn)億韓元。wVkesmc

與此同時(shí)，除了美光，三星與SK海力士也紛紛進(jìn)行業(yè)務(wù)調(diào)整。目前，這三者在DRAM產(chǎn)業(yè)的全球市場(chǎng)份額達(dá)到90%以上。wVkesmc

三星目前已經(jīng)削減了存儲(chǔ)芯片擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃以阻止價(jià)格進(jìn)一步下滑，其表示2018年DRAM內(nèi)存的產(chǎn)量位元增長(zhǎng)率（bit growth）將低于年初預(yù)測(cè)的20%，而NAND閃存的位元增長(zhǎng)率將為30%（此前預(yù)測(cè)為40%）。同時(shí)，根據(jù)相關(guān)消息顯示，三星2019年的資本支出將下滑8%，其中DRAM內(nèi)存投資大砍20%。wVkesmc

另一邊，SK海力士在此前的2018Q3財(cái)報(bào)會(huì)議上亦表示，將調(diào)整在2019年第1季末開始量產(chǎn)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的M15工廠產(chǎn)能，以降低SK海力士對(duì)DRAM的依賴。而位于無(wú)錫的C2工廠，也將把原來(lái)2y(20nm)和2z(20nm)的DRAM生產(chǎn)制程，優(yōu)化成1xnm(10nm后期)的產(chǎn)品，以降低生產(chǎn)成本，并將在2019年第2季量產(chǎn)。至于，以生產(chǎn)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器為主的M11工廠，則將把2D NAND Flash轉(zhuǎn)換為生產(chǎn)3D NAND Flash，也是因?yàn)榫蜕a(chǎn)成本來(lái)進(jìn)行的考量。wVkesmc