12月3日，武漢新芯集成電路制造有限公司對(duì)外宣布稱，基于其三維集成技術(shù)平臺(tái)的三片晶圓堆疊技術(shù)研發(fā)成功。該消息一出，就引發(fā)了業(yè)界的關(guān)注，其原因在于三維芯片具備多重優(yōu)勢(shì)，因此武漢新芯在三維晶圓堆疊技術(shù)方面的突破勢(shì)必會(huì)引發(fā)大家的熱議。6plesmc
三維芯片由多個(gè)平面器件層垂直堆疊而成，并通過硅通孔進(jìn)行層間互。與傳統(tǒng)的2.5D芯片堆疊相比，晶圓級(jí)的三維集成技術(shù)能同時(shí)增加帶寬、降低延時(shí)、提高性能、降低功耗。6plesmc
據(jù)了解，三維集成技術(shù)是武漢新芯繼NOR Flash、MCU之外的第三大技術(shù)平臺(tái)。武漢新芯的三維集成技術(shù)居于國(guó)際先進(jìn)、國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平，已積累了6年的大規(guī)模量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，能為客戶提供工藝先武漢新芯進(jìn)、設(shè)計(jì)靈活的晶圓級(jí)集成代工方案。”武漢新芯這一技術(shù)橫跨了3D NAND、BSI、嵌入式存儲(chǔ)等多個(gè)領(lǐng)域，這對(duì)帶寬、性能、多功能集成等方面有重要需求的AI和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域擁有頗為廣泛的應(yīng)用前景。6plesmc
當(dāng)然，三維芯片堆疊技術(shù)仍要在良率提升、功耗降低、芯片的制造和測(cè)試成本增加層面都還要著力解決相應(yīng)的挑戰(zhàn)。6plesmc
實(shí)際上，3D的晶圓堆疊技術(shù)已有多年的研發(fā)歷史，但技術(shù)成熟度還比較低，進(jìn)入量產(chǎn)階段仍需要一些時(shí)間，且相關(guān)技術(shù)主要被三星、SK海力士、英特爾，以及臺(tái)積電等先進(jìn)半導(dǎo)體企業(yè)所把持，武漢新芯的這個(gè)突破將激勵(lì)中國(guó)大陸半導(dǎo)體行業(yè)在該技術(shù)的鉆研以及將加速相關(guān)應(yīng)用的發(fā)展。6plesmc
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