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Imec聯(lián)手ASML布局post-3nm微影技術(shù)

比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)Imec和微影設(shè)備制造商ASML計(jì)劃成立一座聯(lián)合研究實(shí)驗(yàn)室,共同探索在后3奈米(post-3nm)邏輯節(jié)點(diǎn)的奈米級(jí)元件制造藍(lán)圖。

比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)Imec和微影設(shè)備制造商ASML計(jì)劃成立一座聯(lián)合研究實(shí)驗(yàn)室,共同探索在后3奈米(post-3nm)邏輯節(jié)點(diǎn)的奈米級(jí)元件制造藍(lán)圖。M29esmc

imec和ASML之間已經(jīng)建立將近30年的長(zhǎng)期合作關(guān)系,此次雙方這項(xiàng)合作是一項(xiàng)為期五年計(jì)劃的一部份,將分為兩個(gè)階段。首先是開(kāi)發(fā)并加速極紫外光(EUV)微影技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn),包括最新的EUV設(shè)備準(zhǔn)備就緒。M29esmc

第二階段將共同探索下一代高數(shù)值孔徑(NA)的EUV微影技術(shù)潛力,以便能夠制造出更小型的奈米級(jí)元件,從而推動(dòng)3nm以后的半導(dǎo)體微縮。M29esmc

在第一階段,預(yù)計(jì)在今年年底前,新實(shí)驗(yàn)室將在Imec的無(wú)塵室中安裝ASML的NXE:3400B量產(chǎn)專(zhuān)用EUV掃描儀,并將尋求發(fā)展和改善目前的0.33 NA EUV微影技術(shù)。利用Imec的基礎(chǔ)設(shè)施和技術(shù)平臺(tái),imec和ASML的研究人員和合作伙伴公司將利用該實(shí)驗(yàn)室主動(dòng)分析和解決諸如缺陷、可靠性和產(chǎn)量等技術(shù)挑戰(zhàn),并加速EUV技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化。M29esmc

NXE:3400B EUV系統(tǒng)具有250W光源,每小時(shí)可提供超過(guò)125片晶圓的吞吐量,這是大量產(chǎn)的重要要求。安裝在Imec的系統(tǒng)還將配備最新的校準(zhǔn)和位準(zhǔn)感測(cè)器,能以高吞吐量實(shí)現(xiàn)最佳制程控制,以利于與最新浸潤(rùn)式掃描儀NXT:2000i進(jìn)行疊對(duì)匹配。NXT:2000i掃描儀將于2019年安裝在imec的無(wú)塵室中。M29esmc

此外,ASML和Imec還將透過(guò)新的ASML YieldStar光學(xué)度量系統(tǒng)和ASML-HMI多電子束度量設(shè)備擴(kuò)展度量能力,從而更準(zhǔn)確、更快速地評(píng)估奈米級(jí)結(jié)構(gòu)。M29esmc

而在第二階段,Imec和ASML將聯(lián)手打造一座高NA旳EUV研究實(shí)驗(yàn)室,來(lái)自?xún)蓚€(gè)組織的研究人員將以更高NA實(shí)驗(yàn)下一代EUV微影技術(shù)。具有更高NA的系統(tǒng)能將EUV光源投射到較大角度的晶圓,從而提高解析度,并且實(shí)現(xiàn)更小的特征尺寸。更具體地說(shuō),計(jì)劃安裝在聯(lián)合研究實(shí)驗(yàn)室的新型高NA EUV EXE:5000系統(tǒng),將以0.55 NA取代目前NXE:3400 EUV系統(tǒng)所使用的0.33 NA。M29esmc

ASMLTWINSCAN NXE:3400 EUV將支援7nm和5 nm節(jié)點(diǎn)的EUV量產(chǎn)(來(lái)源:ASML)M29esmc

ASML預(yù)計(jì),EXE:5000將于2021年上市,并成為其新一代的EUV微影平臺(tái)。據(jù)該公司稱(chēng),高NA的系統(tǒng)在未來(lái)十年后將實(shí)現(xiàn)幾何晶片微縮,提供比ASML現(xiàn)有EUV系統(tǒng)更好70%的解析度和疊加能力。M29esmc

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Luc Van den hove
Luc Van den hove

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Imec總裁兼執(zhí)行長(zhǎng)Luc Van den hove告訴《EE Times》,這些新機(jī)器中的第一臺(tái)將安裝在高NA EUV研究實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行早期測(cè)試。那么Imec在開(kāi)發(fā)后3nm制程的系統(tǒng)時(shí)面臨哪些挑戰(zhàn)?Van den hove表示,imec重點(diǎn)投入的三個(gè)主要的研究領(lǐng)域包括光阻技術(shù)、光罩的防塵薄膜技術(shù),以及制程最佳化。M29esmc

Van den hove說(shuō):「光阻技術(shù)還需要進(jìn)一步改進(jìn),才能減少缺陷率?!鼓阆M庾鑴└屿`敏,但更高的靈敏度會(huì)增加缺陷率。M29esmc

他說(shuō)這是一個(gè)多次反覆的過(guò)程,能夠逐步提高性能,但這么多年來(lái)的進(jìn)展速度相當(dāng)緩慢。然而,他強(qiáng)調(diào),隨著更多的EUV系統(tǒng)部署,生態(tài)系統(tǒng)中的光阻劑供應(yīng)商越來(lái)越多,很快地就能夠以更快的步伐帶來(lái)更多的改善機(jī)會(huì)。M29esmc

EUV的光罩防塵薄膜也來(lái)得相當(dāng)慢。Van den hove表示,最大的挑戰(zhàn)仍然是透明度,Imec正計(jì)劃解決這個(gè)問(wèn)題。Van den hove補(bǔ)充說(shuō),Imec在當(dāng)前EUV技術(shù)發(fā)展中扮演的角色,就在于組織協(xié)調(diào)所有參與者——從光阻劑、光罩供應(yīng)商到檢驗(yàn)和計(jì)量以及最終的客戶(hù)——的能力。M29esmc

編譯:Susan HongM29esmc

(參考原文:Imec, ASML Team on Post-3nm Lithography,by Nitin Dahad)M29esmc

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