本月初Intel發(fā)布了首款消費(fèi)級(jí)QLC固態(tài)硬盤(pán)——660p，采用全新的主控制器及64層堆疊的QLC NAND顆粒，不過(guò)近日有消息稱(chēng)，目前第一代64層QLC閃存的良率只有48%。bLDesmc
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Intel“SSD 660p”的定位將介乎在600p及700p之間，采用全新的主控制器及64層堆疊的QLC NAND顆粒，提供512 GB，1 TB，2 TB容量可供選擇。SSD 660p專(zhuān)用PCI Express 3.0 x4而設(shè)計(jì)，采用M.2 2280規(guī)格，讀取傳輸速度高達(dá)1800 MB / s，寫(xiě)入的傳輸速度為1100 MB / s，4k隨機(jī)讀取和寫(xiě)入為150,000 IOPS。bLDesmc
660P搭載了慧榮SMI2263主控，帶有DRAM緩存，主控是慧榮SMI2262EN的工藝改良版，并且由Intel自主編寫(xiě)固件。采用來(lái)自Intel和美光合資的IMFlash工廠(chǎng)的4bit QLC閃存。bLDesmc
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Intel 660P采用M.2 NVMe接口，支持PCIe 3.0 x4通道，Intel官方給出的數(shù)據(jù)顯示，性能上達(dá)到主流M.2 NVMe的水準(zhǔn)，最高連續(xù)讀寫(xiě)速度可達(dá)1800MB/s。bLDesmc
同時(shí)，價(jià)格相當(dāng)給力，512GB賣(mài)99.99美元(約合683元)。bLDesmc
與TLC相比，QLC NAND Flash的儲(chǔ)存容量將可增加33%，單顆晶片最高可達(dá)到256GB或512GB，P / E循環(huán)約為1000次左右略低于TLC，在壽命，速度及穩(wěn)定性方面QLC雖然比TLC更低，但就勝在容量更大及擁有更便宜的成本。bLDesmc
不過(guò)有消息稱(chēng)，目前第一代64層QLC閃存的良率只有48%，也就是生產(chǎn)出來(lái)的成片過(guò)半報(bào)廢。對(duì)比之下，64層TLC閃存的良率已經(jīng)達(dá)到了90%以上。bLDesmc
這意味著，4bit QLC看似容量密度提高了，但實(shí)際成本是高于3bit TLC的。bLDesmc
更糟糕的是，消息人士稱(chēng)，Intel第一代QLC閃存糟糕的良率將伴隨整個(gè)生命期。bLDesmc
此外英特爾還準(zhǔn)備了SSD 760p系列，M.2 2280規(guī)格，64層TLC NAND閃存，提供128GB，256GB，512GB，1TB，2TB容量，性能更高一個(gè)檔次，持續(xù)讀寫(xiě)可達(dá)3.2GB / s， 1.6GB / s，隨機(jī)讀寫(xiě)可達(dá)35萬(wàn)IOPS，28萬(wàn)IOPS，并支持AES-256硬件加密，5年產(chǎn)品保固。其中128GB至1TB今年12月份發(fā)布。bLDesmc
英特爾和美光除了推出64層QLC提高技術(shù)優(yōu)勢(shì)，還曾表示第三代3D NAND技術(shù)（96層）的開(kāi)發(fā)將于2018年年底或2019年初交付。bLDesmc
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