目前在美國(guó)正在舉辦Flash Memory Summit，各家存儲(chǔ)設(shè)備廠商都開(kāi)始介紹自家的最新產(chǎn)品。其中SK海力士就宣布推出全球首款4D內(nèi)存，未來(lái)可以制造容量高達(dá)64TB的U.2 SSD，采用CTF（Charge Trap Flash，電荷捕獲型）架構(gòu)，使存儲(chǔ)單元面積更小、速度更快、更耐用（P/E次數(shù)多）。與傳統(tǒng)架構(gòu)相比，4D NAND的外圍電路（PUC，Peri.Circuits）位于存儲(chǔ)單元下方，可縮小芯片面積、縮短處理工時(shí)、降低成本。JFPesmc

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從SK海力士給出的資料圖中可以看到，SK海力士4D NAND初期是96層堆疊的512Gb TLC，I/O接口速度1.2Gbps（ONFi 4.1標(biāo)準(zhǔn)），預(yù)計(jì)將在今年Q4送樣。SK海力士將基于4D NAND推出BGA封裝（16mmx20mm）容量高達(dá)2TB的SSD，U.2 eSSD容量可達(dá)64TB，預(yù)計(jì)將在2019上半年送樣。JFPesmc

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SK海力士宣布業(yè)內(nèi)首款4D閃存：512Gb TLC、年末出樣JFPesmc

BGA封裝的可以做到1Tb（128GB），模組最大2TB，塞到2.5寸的U.2中更是可以做到64TB，2019年上半年出樣。JFPesmc

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性能方面，V5 4D芯片面積相較于V4 3D減小20%、讀速提升30%、寫速提升25%。JFPesmc

另外，V5 4D也規(guī)劃了QLC閃存，通過(guò)96層堆疊，單Die最小1Tb，明年下半年出樣。JFPesmc

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SK海力士宣布業(yè)內(nèi)首款4D閃存：512Gb TLC、年末出樣.JFPesmc

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SK海力士表示采用BGA封裝的芯片可以達(dá)到1Tb的規(guī)格，其中使用4D閃存制造的U.2接口SSD最高容量可以達(dá)到64TB。并且和3D閃存相比，全新的V5 4D閃存芯片面積減少20%，而讀取速度提升了30%。JFPesmc

SK海力士?jī)?nèi)部的4D閃存已經(jīng)推進(jìn)到了128層堆疊，很快可以做到單芯片512GB，2025年做到單芯片8TB。目前，SK海力士的3D NAND是72層堆疊，單芯片最大512Gb（64GB），首款企業(yè)級(jí)產(chǎn)品PE4010已于今年6月份出貨給微軟Azure服務(wù)器。 JFPesmc

（國(guó)際電子商情微信眾公號(hào)ID：esmcol，本文綜合IT之家，鳳凰網(wǎng)等）JFPesmc