國(guó)際電子商情報(bào)道，據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)官方消息，8月初，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧博士將發(fā)表《創(chuàng)新架構(gòu)，釋放3D NAND閃存潛能》的主題演講。楊士寧博士將會(huì)介紹此項(xiàng)技術(shù)是如何將NAND傳輸速率提升至DRAM DDR4相當(dāng)?shù)乃疁?zhǔn)，同時(shí)使存儲(chǔ)密度達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平，實(shí)現(xiàn)閃存行業(yè)的劃時(shí)代躍進(jìn)。 fNHesmc
Xtacking技術(shù)將為NAND閃存帶來(lái)前所未有的超高傳輸速率，從而將NAND閃存應(yīng)用產(chǎn)品，如UFS、消費(fèi)級(jí)及企業(yè)級(jí)SSD的性能提升至全新的高度。在客戶、行業(yè)伙伴以及標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的合力幫助下，XtackingTM 將為高性能的智能手機(jī)、個(gè)人計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和企業(yè)應(yīng)用展開(kāi)新篇章。
XtackingTM技術(shù)實(shí)現(xiàn)了NAND矩陣與外圍電路的并行加工。這種模塊化閃存開(kāi)發(fā)和制造工藝將大幅縮短新一代3D NAND閃存的上市時(shí)間，并使NAND閃存產(chǎn)品定制化成為可能。
據(jù)悉，目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)即將量產(chǎn)32層3D NAND Flash，按照規(guī)劃，明年開(kāi)始量產(chǎn)64層3D NAND Flash。
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