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三星量產(chǎn)第五代3D V-NAND閃存：96層堆疊，容量翻倍

2018-07-13 14:30:35

近日，三星電子宣布，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)第五代V-NAND 3D堆疊閃存，同時(shí)擁有超大容量和超高速度。

近兩年3D NAND發(fā)展速度十分迅猛，2018年各大廠商的之間的堆疊大戰(zhàn)一直在進(jìn)行著，目前市場(chǎng)中的主流產(chǎn)品堆疊層數(shù)各家基本持平，都保持在64層的階段。但是這一平衡即將被打破，三星電子宣布第五代V-NAND 3D堆疊閃存已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)，其堆疊層數(shù)達(dá)到96層是目前行業(yè)紀(jì)錄，三星第五代V-NAND采用96層堆疊設(shè)計(jì)，內(nèi)部集成了超過(guò)850億個(gè)3D TLC CTF閃存存儲(chǔ)單元，每單元可保存3比特?cái)?shù)據(jù)，單Die容量達(dá)256Gb(32GB)。KvKesmc
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三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號(hào)響應(yīng)時(shí)間也大幅縮短到50微秒。KvKesmc

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為了實(shí)現(xiàn)上述所有的改進(jìn)，新一代V-NAND采用了96層層堆疊設(shè)計(jì)，它們堆疊成金字塔狀結(jié)構(gòu)，中間有微小孔，這些小孔用作通道，尺度僅有幾百微米寬。這種制造方法包括了許多先進(jìn)技術(shù)，比如電路設(shè)計(jì)、新工藝技術(shù)等。具體細(xì)節(jié)三星未詳述，但該公司稱，V-NAND的改進(jìn)讓每個(gè)存儲(chǔ)層的厚度已經(jīng)削薄了20%，并使其生產(chǎn)效率提高了30%以上。KvKesmc
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據(jù)了解，三星目前正在全力擴(kuò)大第五代V-NAND 3D堆疊閃存的生產(chǎn)線以增加產(chǎn)量。另外還有消息稱，三星正在計(jì)劃開(kāi)發(fā)1TB（128GB）容量的QLC V-NAND閃存顆粒，來(lái)降低超大容量的SSD產(chǎn)品售價(jià)，以滿足服務(wù)器、超算等高密度存儲(chǔ)領(lǐng)域需求。KvKesmc

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