國際電子商情報道，日前，消息稱長鑫存儲DRAM項目正式首次投片，啟動試產8Gb DDR4工程樣品。這將是第一個中國自主研發(fā)的DRAM芯片。與此同時，長鑫存儲和睿力集成的新CEO上任，據可靠消息，此位CEO正是兆易創(chuàng)新的董事長朱一明先生?，F(xiàn)在，存儲器投片、管理者就位，這似乎預示著長鑫存儲的國產DRAM正式踏上征程。mkzesmc

國產DRAM突破

目前，國內DRAM廠商主要有紫光國芯、福建晉華、合肥長鑫、長江存儲等。紫光國微旗下的西安紫光國芯目前最新DDR4芯片已經小批量產。福建晉華計劃于2018年下半年量產。合肥長鑫的DRAM項目計劃2018年底量產，長江存儲的DRAM進度則稍慢，目前2018年內NAND FLASH小規(guī)模量產。另外，紫光南京半導體基地也計劃生產DRAM。mkzesmc

西安紫光國芯的前身是西安華芯半導體，2015年被紫光集團旗下紫光國芯（現(xiàn)更名紫光國微）收購，西安華芯則是浪潮集團2009年通過收購奇夢達科技（西安）有限公司而成立，奇夢達原為英飛凌科技存儲器事業(yè)部拆分獨立而來。西安紫光國芯的核心業(yè)務是存儲器設計開發(fā)，自有品牌存儲器產品量產銷售，以及專用集成電路設計開發(fā)服務。mkzesmc

福建晉華集成電路由福建省電子信息集團、晉江能源投資集團有限公司等共同出資設立，與臺灣聯(lián)華電子開展技術合作，在福建省晉江市建設12吋內存晶圓廠生產線，開發(fā)先進存儲器技術和制程工藝，并開展相關產品的制造和銷售。由臺聯(lián)電出技術，晉華提供設備與資金，在晉江生產。主要生產利基型DRAM產品，采用32納米工藝制程。mkzesmc

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合肥長鑫則是由合肥市政府支持，興建12寸晶圓廠發(fā)展DRAM產品，2018年初位于合肥空港經濟示范區(qū)的長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目的300臺研發(fā)設備已全部到位，2018年7月投片試產，工藝制程為19納米。mkzesmc

按照合肥長鑫存儲器項目的5年規(guī)劃：2018年1月一廠廠房建設完成，并開始設備安裝；2018年底量產8Gb DDR4工程樣品；2019年3季度量產8Gb LPDDR4；2019年底實現(xiàn)產能2萬片/月；2020年開始規(guī)劃二廠建設；2021年完成17納米技術研發(fā)。mkzesmc

長鑫存儲也是全球第四家DRAM產品采用20納米以下工藝的廠商。另外三家是目前DRAM存儲的三大巨頭，三星、SK海力士、美光。這三家的DRAM全球市占率超過95%。mkzesmc

據預計，長鑫12寸存儲器晶圓制造項目投產后，將占據世界DRAM市場約8%的份額。然而，無論是福建晉華的合作共贏，還是紫光對存儲的布局，以及長鑫存儲的快速發(fā)展、領先的工藝制程等，不難看出，中國DRAM存儲器發(fā)展的決心，當然面對如今的DRAM市場的霸主格局，也必將經歷一場虎口奪食的競爭。mkzesmc

長鑫存儲、睿力集成、兆易創(chuàng)新

國際電子商情注意到，7月16日北京兆易創(chuàng)新公告稱，朱一明先生辭去公司總經理一職，將繼續(xù)擔任公司董事長。朱一明先生所負責的工作已平穩(wěn)交接，其辭職不會對公司的生產經營產生重大不利影響。公司聘任何衛(wèi)先生為公司代理總經理，任期至第二屆董事會任期屆滿之日止。mkzesmc

據可靠消息，此次朱一明辭職兆易創(chuàng)新總經理后，將上任合肥長鑫存儲及睿力CEO一職，引領合肥長鑫的DRAM項目持續(xù)發(fā)展。mkzesmc

7月16日，在長鑫存儲DRAM項目正式投片總結大會上，合肥長鑫董事長、原睿力CEO王寧國正式把長鑫存儲以及睿力CEO的職位交給朱一明。經過合肥市委、集成電路產業(yè)基金（大基金）的批準，朱一明將全職擔任長鑫存儲、睿力CEO職位，他承諾在合肥長鑫盈利之前不領一分錢工資、一分錢獎金。mkzesmc

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兆易創(chuàng)新曾獲得《電子工程專輯》頒發(fā)的電子成就獎，朱一明（中）親自領獎（Source：電子工程專輯）mkzesmc

合肥長鑫集成電路有限責任公司由合肥市產業(yè)投資控股（集團）有限公司出資占比99.75%，合肥產投新興戰(zhàn)略產業(yè)發(fā)展合伙企業(yè)（有限合作）出資占比0.25%。mkzesmc

睿力集成電路有限公司為長鑫存儲技術有限公司100%出資，而長鑫存儲技術有限公司則由合肥銳捷聚成投資中心（有限合伙）出資占比80.10%，由合肥長鑫集成電路出資占比19.9%。mkzesmc

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去年底，兆易創(chuàng)新與合肥市產業(yè)投資控股(集團)有限公司簽署《關于存儲器研發(fā)項目之合作協(xié)議》，約定雙方在安徽省合肥市經濟技術開發(fā)區(qū)合作開展工藝制程19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器(含DRAM等)研發(fā)項目，項目預算約為180億元。目標是在2018年12月31日前研發(fā)成功，即實現(xiàn)產品良率不低于10%。項目預算達180億元，兆易創(chuàng)新與合肥產投將根據1∶4的比例負責籌集，兆易創(chuàng)新負責籌集約36億元。mkzesmc

此次，兆易創(chuàng)新董事長朱一明出任的正是長鑫存儲和睿力集成電路的CEO。有了董事長坐陣，兆易創(chuàng)新在DRAM上面的動作或許將更快。其實在NOR FLASH方面，兆易創(chuàng)新就與中芯國際合作，通過戰(zhàn)略合作穩(wěn)定產能供應。相信與合肥長鑫的合作，也將令兆易創(chuàng)新的DRAM產品發(fā)展得到一定的保障。就在兆易創(chuàng)新與合肥長鑫達成合作之前，兆易經歷了對ISSI的收購失敗，不過這并沒有改變這家國內IC設計公司發(fā)展存儲的野心。在另一方面也說明，國產DRAM的發(fā)展還是要靠中國的存儲產業(yè)鏈走向自主之路。mkzesmc