蘋(píng)果在去年發(fā)布了三款無(wú)線充電手機(jī) iPhone 8/8 plus、iPhone X 后，瞬間點(diǎn)燃了無(wú)線充電市場(chǎng)，目前國(guó)內(nèi)品牌小米、華為已經(jīng)發(fā)布了無(wú)線充電手機(jī) MIX2S 和 Mate RS，其他的國(guó)內(nèi)手機(jī)品牌也將積極的參與到無(wú)線充電市場(chǎng)里，并將在年底前陸續(xù)推出無(wú)線充電手機(jī)，而火爆的無(wú)線充電市場(chǎng)也必將帶動(dòng)無(wú)線充電器出貨量的高速增長(zhǎng)。從目前小米 MIX2S 售賣(mài)情況我們可以看到，用戶訂購(gòu)的 MIX2S 手機(jī)已經(jīng)寄到用戶手中，但無(wú)線充電器由于產(chǎn)能不及卻要晚幾天才可以寄到用戶手中，這也說(shuō)明用戶對(duì)無(wú)線充電器的需求非常旺盛。21wesmc
目前市場(chǎng)現(xiàn)狀
分析過(guò)無(wú)線充電市場(chǎng)后，我們發(fā)現(xiàn)了一個(gè)奇怪的現(xiàn)象：一方面是用戶對(duì)無(wú)線充電器的需求非常旺盛；另一方面是用戶對(duì) TX 產(chǎn)品的高價(jià)格，低性能，無(wú)貨問(wèn)題的吐槽。為什么會(huì)出現(xiàn)這種矛盾，我們通過(guò)探訪業(yè)內(nèi)專(zhuān)業(yè)人士，讓他們幫我們解析。21wesmc
一業(yè)內(nèi)人士分析道：目前市場(chǎng)上的無(wú)線充電器基本還是采用 MCU+分立元器件的方案21wesmc
(如下圖)。21wesmc
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由于此方案采用了較多的元器件，包括主控的 MCU、信號(hào)處理的運(yùn)放 IC、供電電路、驅(qū)動(dòng)線圈的 H 橋、驅(qū)動(dòng) H 橋的驅(qū)動(dòng)器，還有眾多的電阻電容。此方案在 BOM 成本上本就比較高，再加上近段時(shí)間 MOSFET、電阻、電容缺貨并大幅漲價(jià)，導(dǎo)致發(fā)射器生產(chǎn)廠家的生產(chǎn)成本升高，產(chǎn)能跟不上，傳遞到客戶端就出現(xiàn)了吐槽的產(chǎn)品價(jià)格高，無(wú)貨問(wèn)題。同時(shí)MCU+分立元器件的方案較多的外圍元器件也造成了工程師較難把控設(shè)計(jì)一致性，工廠較 難把控生產(chǎn)一致性，導(dǎo)致無(wú)線充電器的性能欠佳，傳遞到客戶端就出現(xiàn)了吐槽的充電不穩(wěn)定掉線等問(wèn)題。21wesmc
如何破局
從市場(chǎng)需求看，新一代的無(wú)線充電器方案只有解決目前用戶吐槽的問(wèn)題，才可以讓無(wú)線充電市場(chǎng)真正火爆。業(yè)內(nèi)人士指出，為了適應(yīng)市場(chǎng)需求，優(yōu)化產(chǎn)品性能，新一代的 SoC IC 無(wú)線充電器方案自身的優(yōu)勢(shì)將促使其逐漸成為破解僵局的未來(lái)新趨勢(shì)。高集成度的單片無(wú)線充電發(fā)射器 IC 能夠把現(xiàn)有方案中的全橋驅(qū)動(dòng)電路、電壓電流檢測(cè)/信號(hào)解調(diào)電路、LDO 和MCU 整合為一顆高集成度的單片無(wú)線充電發(fā)射器 IC，基于這樣 IC 的方案可以更好的適應(yīng)市場(chǎng)， 同時(shí)也是配件生產(chǎn)廠商更傾向選擇的高性?xún)r(jià)比方案。此外，SoC 內(nèi)置有 Q 值檢測(cè)電路，在FOD 檢測(cè)方面會(huì)更加靈敏，符合 EPP 的要求。21wesmc
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從上表我們能夠直觀地看出，SoC IC 集成度明顯提升，把大部分外圍電路都集成入 IC 內(nèi)，內(nèi)部集成了全橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器、電壓電流檢測(cè)、信號(hào)解調(diào)、降壓芯片、Q 值檢測(cè)等功能。因此基于 SoC IC 的方案不僅會(huì)具有 MCU 方案的靈活度，同時(shí)高集成度也會(huì)使得外圍電路極簡(jiǎn)，BOM 成本低，能夠有效優(yōu)化成本和工藝開(kāi)銷(xiāo)，這是目前 MCU 分立方案無(wú)法比擬的。21wesmc
下圖是易沖無(wú)線 SoC IC “EC8000 系列”方案，可以明顯看出 PCB 內(nèi)部?jī)H需一顆高度集成的 SoC 主控芯片，搭配兩個(gè)集成 MOS，即可成為一個(gè)完整的無(wú)線充電器，不再需要MCU+外圍元器件的復(fù)雜方案，整個(gè)電路板非常簡(jiǎn)潔。SoC 方案內(nèi)部集成了無(wú)線充電驅(qū)動(dòng)， 運(yùn)放，主控內(nèi)核，內(nèi)置溫度保護(hù)功能，所有功能由一顆芯片實(shí)現(xiàn)。21wesmc
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由此可以看出 SoC IC 高度集成帶來(lái)的好處有：
- 價(jià)格優(yōu)勢(shì)大：相比 MCU 分立元器件方案，SoC IC 集成了 LDO/Buck 降壓、全橋驅(qū)動(dòng)、Q 值檢測(cè)和電壓電流檢測(cè)/信號(hào)解調(diào)等功能，將 MCU 方案外置的這些電路都集成到了一顆 IC 內(nèi)部。集成度的提高使得外圍 BOM 成本降低，從而導(dǎo)致產(chǎn)品成本低，最終售價(jià)降低。這自然解決了用戶抱怨的價(jià)格高的問(wèn)題，因而可以預(yù)測(cè)如此低價(jià)格的 TX 必將成為破局之刀，會(huì)迅速普及并占領(lǐng)市場(chǎng)。
- 生產(chǎn)簡(jiǎn)便：如此高集成度的 IC 方案使得外圍元器件數(shù)量減少，PCB 面積更小。因此采購(gòu)備貨少，生產(chǎn)一致性高，生產(chǎn)效率高。同時(shí)外圍電阻電容，MOSFET 元件的減少能夠有效規(guī)避因?yàn)樵必洕q價(jià)而影響生產(chǎn)。產(chǎn)品產(chǎn)能的提高，能夠解決用戶抱怨的無(wú)貨問(wèn)題。
- 性能高：現(xiàn)有的 MCU+分立元器件方案，由于外圍元器件比較多，因此設(shè)計(jì)難度大， 且產(chǎn)品的一致性較難保證。而 SoC 的高集成度方案將外圍電壓電流檢測(cè)、供電穩(wěn)壓、MOS 驅(qū)動(dòng)器、接收信號(hào)解調(diào)以及 Q 值檢測(cè)通通內(nèi)置，從而降低了設(shè)計(jì)難度，只需工程師通過(guò)配置寄存器即可實(shí)現(xiàn)功能集成。內(nèi)置過(guò)壓保護(hù)和 Q 值檢測(cè)電路，用戶使用更安全。保證了產(chǎn)品的 FOD、充電穩(wěn)定性、溫控等性能，一致性良好，解決了用戶抱怨的性能問(wèn)題。
總結(jié)
由此可見(jiàn)，SoC 方案相比 MCU 分立元器件方案存在顯著的提升，高集成度能夠?yàn)楫a(chǎn)品性能更好的保駕護(hù)航，解決目前無(wú)線充電市場(chǎng)的冰局。目前在過(guò)流過(guò)壓異物檢測(cè)、Qi-EPP 標(biāo)準(zhǔn)、三星和蘋(píng)果快充等方面也都提供很好支持，并且在成本、設(shè)計(jì)復(fù)雜度等方面也存在諸多優(yōu)勢(shì)。 因此，在無(wú)線充電發(fā)射端設(shè)計(jì)上，SoC 方案或?qū)⒊蔀橹髁髦x。21wesmc
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