國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)于2017年歲末更新全球晶圓廠預(yù)測(cè)(World Fab Forecast)報(bào)告內(nèi)容，指出2017年晶圓廠設(shè)備投資相關(guān)支出將上修至570億美元的歷史新高。bW7esmc

SEMI臺(tái)灣區(qū)總裁曹世綸表示：“由于芯片需求強(qiáng)勁、內(nèi)存定價(jià)居高不下、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈等因素持續(xù)帶動(dòng)晶圓廠投資向上攀升，許多業(yè)者都以前所未見的手筆投資新建晶圓廠與相關(guān)設(shè)備。”bW7esmc

圖1：歷年全球晶圓廠設(shè)備支出金額（來源：SEMI）bW7esmc

SEMI全球晶圓廠預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，2017年晶圓廠設(shè)備支出總計(jì)570億美元，較前一年增加41%。2018年支出可望增加11%，達(dá)630億美元。bW7esmc

雖然英特爾(Intel)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)與威騰電子(Western Digital；WD)、以及格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)等許多公司都在2017、2018年增加晶圓廠投資，整體晶圓廠設(shè)備支出大幅增加主要還是來自韓國(guó)三星(Samsung)及海力士(SK Hynix)這兩家業(yè)者。bW7esmc

根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)顯示，2017年韓國(guó)整體投資金額激增主要是因?yàn)槿侵С龃蠓砷L(zhǎng)，其成長(zhǎng)幅度可望達(dá)到128%，從80億美元增至180億美元。海力士的晶圓廠設(shè)備支出也增加約70%，達(dá)55億美元，創(chuàng)下該公司有史以來最高紀(jì)錄。三星與海力士支出雖多半花在韓國(guó)境內(nèi)，但仍有一部份的投資在中國(guó)大陸與美國(guó)，也因而帶動(dòng)這兩個(gè)地區(qū)支出金額的成長(zhǎng)。SEMI預(yù)測(cè)這兩家業(yè)者投資金額在2018年仍將持續(xù)居高不下。bW7esmc

圖2：全球各地區(qū)晶圓廠設(shè)備支出金額（來源：SEMI）bW7esmc

2018年，中國(guó)大陸許多2017年完工的晶圓廠可望進(jìn)入設(shè)備裝機(jī)階段。不同于過去，中國(guó)大陸的晶圓廠投資大多來自外來廠商，在2018年中國(guó)大陸本土組件制造商的晶圓廠設(shè)備支出金額將首次趕上外來廠商水平，達(dá)約58億美元，而外來廠商預(yù)計(jì)將投資67億美元。包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)、福建晉華、華力、合肥長(zhǎng)鑫等許多新進(jìn)業(yè)者，都計(jì)劃在中國(guó)大陸大舉投資設(shè)廠。bW7esmc

2017與2018年半導(dǎo)體晶圓廠設(shè)備支出金額創(chuàng)下歷史新高，反映出市場(chǎng)對(duì)先進(jìn)組件的需求持續(xù)成長(zhǎng)。新建廠支出也達(dá)到歷史高點(diǎn)，金額最高的中國(guó)大陸2017年與2018年支出分別為60億美元與66億美元，而這也創(chuàng)下另一個(gè)紀(jì)錄，因?yàn)檫^去從未有任何地區(qū)的全年建廠支出超過60億美元。bW7esmc

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