三星平澤工廠是一棟兩層建筑，一樓和二樓每月wafer產(chǎn)能分別為10萬片和20萬片，二樓的投資規(guī)模將大于一樓。三星平澤廠一樓之所以比二樓的生產(chǎn)能力小，是因?yàn)樗囊恍┛臻g被用于辦公室和自助餐廳。bJXesmc

二樓分為西區(qū)和東區(qū)，各自保證每個(gè)月10萬片wafer產(chǎn)能。二樓第一階段投資是西區(qū)，二期投資為東區(qū)。三星預(yù)計(jì)西區(qū)將按照每月7萬片3D NAND和3萬片DRAM的產(chǎn)能比例來配置生產(chǎn)設(shè)備，東區(qū)則按照每月10萬片DRAM產(chǎn)能來配置生產(chǎn)設(shè)備。bJXesmc

三星的平澤廠是自2015年破土動(dòng)工，現(xiàn)已開始在平澤廠采用最先進(jìn)的64層3D NAND技術(shù)生產(chǎn)NAND Flash，也曾在7月份稱計(jì)劃在2021年之前，總共投資30兆韓元（約合276億美元），用于平澤廠擴(kuò)大生產(chǎn)制造能力。bJXesmc

三星平澤廠將成為韓國最大的單一工廠，若三星全面實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)，將讓存儲(chǔ)市場(chǎng)供應(yīng)過剩成為現(xiàn)實(shí)，價(jià)格行情也將由漲轉(zhuǎn)跌。bJXesmc

三星工廠相關(guān)人員表示：“我們已經(jīng)拿到了預(yù)期的訂單，預(yù)計(jì)未來訂單會(huì)源源不斷地到來?！北M管三星電子還沒有訂購生產(chǎn)DRAM所需設(shè)備，但是很可能很快將采取行動(dòng)。bJXesmc

不過，三星的某位代表也表示：“投資的速度也很重要。設(shè)備行業(yè)預(yù)測(cè)，2018年年底或2019年上半年半導(dǎo)體設(shè)備的投資將達(dá)到20萬臺(tái)。存儲(chǔ)產(chǎn)品的價(jià)格的走向?qū)⑷Q于三星的投資速度。如果三星根據(jù)市場(chǎng)需求調(diào)整投資速度，預(yù)計(jì)對(duì)存儲(chǔ)市場(chǎng)不會(huì)產(chǎn)生太大的影響?！?span style="display:none">bJXesmc

報(bào)道稱，三星的西安廠可能也會(huì)投資增產(chǎn)（應(yīng)為 NAND Flash），料于 2018 年底或 2019 年啟動(dòng)。bJXesmc

此外，ETNews也曾在11月初時(shí)報(bào)道，三星電子正在改裝韓國華城工廠16號(hào)線，希望能進(jìn)一步擴(kuò)大DRAM的生產(chǎn)，同時(shí)三星在韓國平澤的生產(chǎn)線也將打造新產(chǎn)品線。bJXesmc

當(dāng)時(shí)報(bào)道指出，三星計(jì)劃在明年下半年之后，華城工廠將全力進(jìn)入DRAM的生產(chǎn)，今年第三季全球DRAM產(chǎn)能為每月110萬組，如果三星的這兩條生產(chǎn)線全力生產(chǎn)，那將會(huì)提升DRAM的供給20%。bJXesmc

而就在上周，韓媒Digital Times報(bào)導(dǎo)，三星電子即將在華城廠區(qū)17產(chǎn)線附近的停車場(chǎng)空地增建1條新的EUV專用產(chǎn)線，最快2017年12月就會(huì)動(dòng)工，預(yù)定2019年啟用,將利用初期10納米技術(shù)生產(chǎn)DRAM，開業(yè)界先河。bJXesmc

由此看來，三星可能希望在產(chǎn)能和技術(shù)上均領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，以期進(jìn)一步爭(zhēng)奪市場(chǎng)份額。bJXesmc

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