從應用來看，高運算量相關應用持續(xù)帶動半導體產(chǎn)業(yè)對先進制程的需求，2017年10nm制程節(jié)點開始放量，估計2017年全年10nm節(jié)點營收將占晶圓代工整體市場的6.5%。而2017年半導體整體產(chǎn)值年成長率7.1%當中，超過95%的成長動能來自10nm的銷售貢獻，顯示10nm制程的開出成為2017年晶圓代工產(chǎn)值成長最重要的引擎。unhesmc
觀察2017年全球前十大晶圓代工業(yè)者排名，整體排名與2016年相同，臺積電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)、聯(lián)電分居前三，其中臺積電產(chǎn)能規(guī)模龐大加上高于全球平均水平的年成長率，市占率達55.9%，持續(xù)拉大與競爭者的距離；全球排名第二的格羅方德受惠于新產(chǎn)能的開出與產(chǎn)能利用率提升，2017年營收呈現(xiàn)年增8.2%的相對高成長表現(xiàn)。unhesmc
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在晶圓代工市場排名第三的聯(lián)電于今年量產(chǎn)14nm，但僅占全年營收約1%，然而，在整體產(chǎn)能提升與產(chǎn)品組合轉換帶動下，實際營收年成長率達6.8%；而與臺積電同為10nm制程技術先驅的三星(Samsung)，則因采用的大客戶僅有高通(Qualcomm)，致使成長受限，排名第四；排名第五的中芯雖然持續(xù)擴大資本支出，然而，受限于2017年實際開出的產(chǎn)能有限與28nm良率的瓶頸未突破，使得成長率低于全球市場平均。unhesmc
高塔半導體(TowerJazz)及華虹宏力則透過產(chǎn)能擴增，在市場對8吋廠需求持續(xù)暢旺下，帶來大于10%的年成長；力晶則因調(diào)升代工業(yè)務比重，交出高成長率成績單。unhesmc
另一方面，在5G與電動車的需求驅使下，可觀察到晶圓代工業(yè)者積極的投入第三代半導體材料GaN及SiC的開發(fā)，如臺積電提供GaN的代工服務及X-Fab公布SiC晶圓代工業(yè)務將于2017第四季貢獻營收。unhesmc
展望2018年，除7nm先進制程節(jié)點將帶動整體產(chǎn)值之外，在2018年為5G試營運重要的觀察年下，第三代半導體的代工服務所帶來的產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈變化，同為市場值得關注的重點。unhesmc
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