與先進制程相關的光阻和光阻配套試劑(用來提升曝光質(zhì)量或降低多重曝光需求的復雜度),以及較先進Wafer后段所需的CMP制程相關材料銷售占比則提升,可見這幾年材料需求的增長和先進制程的關聯(lián)性相當高。3Jiesmc
圖:2013年與2016年晶圓廠制造材料分占比3Jiesmc
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source:拓墣產(chǎn)業(yè)研究院整理3Jiesmc
此外,從2016年晶圓制造材料分類占比可看出,硅晶圓占比最大為30%,隨著下游智能終端機對芯片性能的要求不斷提高,對硅晶圓質(zhì)量的要求也同樣提升,再加上摩爾定律和成本因素驅(qū)使,硅晶圓穩(wěn)定向大尺寸方向發(fā)展。目前全球主流硅晶圓尺寸主要集中在300mm和200mm,出貨占比分別達70%和20%。3Jiesmc
從硅晶圓面積需求的主要成長來自300mm來看,也證實在晶圓制造中,較先進的制程還是主要的需求成長來源;此外,硅晶圓在2013~2016年出貨面積年復合成長率達5.8%,高于硅晶圓產(chǎn)業(yè)同時期的營收成長率,可見硅晶圓平均價格顯著下滑。3Jiesmc
由于硅晶圓是晶圓制造的主要材料,在此輪半導體產(chǎn)業(yè)復甦中,特別是在中國芯片制造廠積極擴張產(chǎn)能下,預計短期內(nèi)硅晶圓產(chǎn)業(yè)將同步受益。3Jiesmc
根據(jù)2016年全球主要硅晶圓廠商營收資料,前六大廠商全球市占率超過90%,其中前兩大日本廠商Shin-Etsu和SUMCO合計全球市占率超過50%,臺灣環(huán)球晶圓由于并購新加坡廠商SunEdison Semiconductor,目前排名全球第三,2016年銷售占比達17%。3Jiesmc
中國半導體材料分類占比市場狀況與全球狀況類似,硅晶圓和封裝基板分別是晶圓制造和封裝材料占比最大的兩類材料。從增長趨勢圖可看到2016~2017年中國半導體材料市場快速增長,無論是晶圓制造材料還是封裝材料,增長幅度都超過10%。3Jiesmc
圖:2012~2017年中國晶圓制造材料市場變化3Jiesmc
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中國晶圓制造材料中,關鍵材料主要仍仰賴進口,但隨著政府政策大力支持和大基金對產(chǎn)業(yè)鏈持續(xù)投入,已出現(xiàn)如上海新升半導體、安集微電子、上海新陽與江豐電子等頗具實力的廠商。3Jiesmc
這些廠商在政策支援下,積極投入研發(fā)創(chuàng)新,各自開發(fā)的產(chǎn)品已初見成效,現(xiàn)已成為中國半導體材料產(chǎn)業(yè)中堅力量。根據(jù)中國新建晶圓廠和封測廠的建設進程,多數(shù)建設中的產(chǎn)線將在2018年陸續(xù)導入量產(chǎn),屆時對應的上游半導體材料產(chǎn)業(yè)將出現(xiàn)新一輪爆炸性成長。3Jiesmc
中國半導體制造材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢
在中國國家政策支持下,大基金和地方資本長期持續(xù)投入,中國集成電路產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,官方目標是以「制造」帶動上下游全產(chǎn)業(yè)鏈共同進步,在此過程中,需要不斷完善和優(yōu)化產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié),掌握核心環(huán)節(jié)重點突破,逐步擺脫核心領域長期依賴進口的窘境。3Jiesmc
半導體材料產(chǎn)業(yè)具有產(chǎn)品驗證周期長和龍頭壟斷等特點,想要順利打入國際一線客戶廠商將非常困難,一般芯片生產(chǎn)商在成功認證材料商后,很少會更換供應商,例如全球前六大硅晶圓廠商幾乎供應全球90%以上的硅晶圓,中國集成電路硅晶圓基本上全部依賴進口。3Jiesmc
中國半導體材料廠商要想盡快打入市場,不僅要加強研發(fā)和拿出高質(zhì)量產(chǎn)品,還要在政府的支持和協(xié)調(diào)下,優(yōu)先從當?shù)匦酒圃鞆S商著手,完成在當?shù)刂髁餍酒a(chǎn)廠商的成功認證。3Jiesmc
對內(nèi)資源重整是中國半導體材料產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展重要趨勢,綜觀中國半導體材料廠商,對應下游產(chǎn)品普遍傾向中低階,且分布繁雜分散,即便在中低階材料供應上,內(nèi)部也容易出現(xiàn)惡性競爭;而不僅在核心材料如光阻、硅晶圓片與光罩等材料上,落后于世界先進水平,在常用試劑材料上,也僅有少數(shù)廠商能達到下游一線廠商的穩(wěn)定標準。3Jiesmc
目前中國半導體產(chǎn)業(yè)擁有良好的發(fā)展機會,政策和資金的大力支持吸引大批廠商集中參與,很多廠商紛紛表明進行產(chǎn)業(yè)升級的決心,如許多中小型的太陽能電池板廠商紛紛表示要進軍電子級硅晶圓片產(chǎn)業(yè),但電子級硅晶圓材料比電池用硅晶圓純度高出好幾個數(shù)量級,兩者并不在同一個技術水平,況且太陽能電池板廠商下游與半導體產(chǎn)業(yè)鏈相差甚遠,所有的使用者關系需重新建立,也不利于后期產(chǎn)品的認證和銷售。3Jiesmc
這些問題都需要半導體材料產(chǎn)業(yè)集中優(yōu)勢資源,針對各類別半導體材料,以一部分大廠為首,進行資源再整合。3Jiesmc
中國半導體材料產(chǎn)業(yè)面臨嚴峻挑戰(zhàn)
現(xiàn)階段政府政策積極引導,大基金和地方資本支撐,為中國半導體材料產(chǎn)業(yè)解決前期資金問題,但錢不一定能買來技術、人才與市場,因此后期中國半導體材料產(chǎn)業(yè)將面對更多來自技術、人才與客戶認證等方面的嚴峻挑戰(zhàn)。3Jiesmc
技術挑戰(zhàn)3Jiesmc
目前中國半導體材料技術方面,挑戰(zhàn)主要集中在大硅晶圓、光阻與光罩材料等領域。3Jiesmc
在硅晶圓方面,中國主要生產(chǎn)的是6吋硅晶圓,8吋自給率不到20%,12吋硅晶圓以上海新升半導體為首,正處于客戶驗證階段,技術水平和產(chǎn)品穩(wěn)定性仍面臨嚴格考驗;3Jiesmc
光阻中國產(chǎn)廠商北京科華(合資)和蘇州瑞紅的產(chǎn)品多應用于LED、面板及部分8吋Fab等中低階領域;3Jiesmc
全球光罩基材基本由日本廠商壟斷,Photronic、大日本印刷株式會社與凸版印刷3家的全球市占率達80%以上。3Jiesmc
事實上,材料產(chǎn)業(yè)相關基礎專利技術早已被國際大廠壟斷,而基礎專利又是材料產(chǎn)業(yè)必備要素,同時國外廠商又不愿將專利出售給中國,因此在基礎專利瓶頸的突破上進度緩慢。3Jiesmc
人才挑戰(zhàn)3Jiesmc
突破技術的關鍵在于人才。近期關于中國集成電路產(chǎn)業(yè)人才短缺和人才挖角有諸多討論,根據(jù)統(tǒng)計,截止2020年中國集成電路產(chǎn)業(yè)中高階人才缺口將突破10萬人,中國半導體材料產(chǎn)業(yè)多年來發(fā)展緩慢,與其人才儲備嚴重不足息息相關。目前政府已為半導體材料產(chǎn)業(yè)清除政策和資金障礙,下一步將著重解決人才引進和人才培養(yǎng)方面的問題。3Jiesmc
認證挑戰(zhàn)3Jiesmc
與半導體材料認證緊密相連的就是產(chǎn)品良率,良率好壞決定代工廠直接競爭力,因此各中下游代工制造廠商對上游材料的認證非常嚴格,某些關鍵材料的認證周期可長達2年甚至更久。3Jiesmc
一旦認證成功,制造廠商和上游材料廠商將緊緊綁定在一起,只要上游材料商保證供應材料的持續(xù)穩(wěn)定性,中端制造商將不會冒險考慮更換供應商,如今中國半導體材料產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,如何成功嵌入客戶供應鏈將是未來面對的一大難題,在此期間,如果政府出面對合作廠商進行協(xié)調(diào),將有助于加速半導體材料產(chǎn)業(yè)取得當?shù)貜S商的認證。3Jiesmc
小結(jié)
中國當?shù)匕雽w材料產(chǎn)品多偏向應用于LED、面板等中低階應用,用于集成電路生產(chǎn)的材料依然以進口為主,中國生產(chǎn)替代空間非常龐大。未來隨著多條中國新建晶圓制造產(chǎn)線陸續(xù)投產(chǎn),預計2018年將為中國當?shù)匕雽w材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來新契機。3Jiesmc
未來中國半導體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢將從兩方面同步進行:3Jiesmc
集中優(yōu)勢資源,針對各類別半導體材料,以一部分大廠為首,進行資源再整合;3Jiesmc
建立完善的半導體材料體系,加快核心材料的研發(fā)。3Jiesmc
中國半導體材料產(chǎn)業(yè)雖然克服了政策和資金的障礙,但仍面對來自技術、人才與客戶認證等方面的嚴峻挑戰(zhàn)。3Jiesmc
未來產(chǎn)業(yè)將著重解決以下問題:基礎專利瓶頸突破進展緩慢、半導體材料人才儲備和培養(yǎng)嚴重不足、聯(lián)合政府協(xié)調(diào)作用,以及率先突破當?shù)卣J證關卡。3Jiesmc
目前中國半導體材料產(chǎn)業(yè)雖然比較薄弱,關鍵材料仍以進口為主,但隨著政府政策大力支持和大基金對產(chǎn)業(yè)鏈持續(xù)投入,已出現(xiàn)頗具實力的廠商,在積極投入研發(fā)創(chuàng)新下,各自開發(fā)的產(chǎn)品已初見成效,現(xiàn)已成為中國半導體材料產(chǎn)業(yè)的中堅力量。3Jiesmc
因為制程精細度要求(技術規(guī)格)和影響(制造材料的影響會直接反映在芯片表現(xiàn)上,有些中低階應用的封測材料和芯片的直接表現(xiàn)影響較小),半導體制造材料面對的是比封測材料更高的進入障礙(由于制程復雜度的差異,相較于封測材料,材料進入晶圓制造產(chǎn)線評估的難度較高,且接受度略低),這也使得同樣是進口替代。3Jiesmc
目前中國推廣的項目主要集中在裸晶(Starting Materials)、光阻(從LED放量)與靶材(后段金屬制程)等產(chǎn)值大,且較易獨立評估技術指標的產(chǎn)品。由此可知,中國半導體晶圓制造相關材料產(chǎn)業(yè)需要獲得更多支援,才能提高產(chǎn)業(yè)的競爭力。3Jiesmc
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