GlobalFoundries執(zhí)行長Sanjay Jha在加入該公司之前，曾經(jīng)擔任摩托羅拉行動公司的董事長兼CEO。tXZesmc

GlobalFoundries是全球領先的半導體代工廠之一，生產(chǎn)基地橫跨三大洲。該公司正不斷加強其于全球的布局，并規(guī)劃了全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)和鰭式場效晶體管(FinFET)雙軌發(fā)展的道路：在中國，透過與成都合資建設一座300mm晶圓廠，引進其22FDX制程技術，攻占低功耗物聯(lián)網(wǎng)(IoT)等應用，并承諾了下一代技術12FDX；在美國，約3月前，宣布推出7nm FinFET (7LP)技術，針對高階行動處理器、云端服務器和網(wǎng)絡基礎設施等場景。同時，5nm以及后續(xù)技術也在開發(fā)之中。tXZesmc

在最近一次與Jha的面對面會談中，他分享了對于電子產(chǎn)業(yè)和半導體代工業(yè)的觀察和展望，重點在于FD-SOI。tXZesmc

GlobalFoundries執(zhí)行長Sanjay JhatXZesmc

你認為未來的熱點應用有哪些？實現(xiàn)的順序如何排列？tXZesmc

我認為主要是行動、物聯(lián)網(wǎng)、射頻(RF)和汽車。其中，行動、物聯(lián)網(wǎng)、射頻，這三個難分先后，但是汽車的應用可能會稍微晚一點。tXZesmc

我想聲明的一點是汽車應用的滯后是從我們的絕緣上覆硅(SOI)技術角度而論，但從FinFET的角度來看結(jié)果會有所不同。在這里我主要針對的是SOI。tXZesmc

GlobalFoundries已在22FDX上建樹多年，為何最近英特爾(Intel)以及臺積電(TSMC)等都相繼關注22nm這個制程節(jié)點？tXZesmc

首先這是300mm晶圓，如果是單一步驟光罩制程的話，22nm應該是一個最小的節(jié)點，原來是28nm。再往下走的話可能需要用多步的制程。tXZesmc

所以現(xiàn)在三家公司都在進入22nm節(jié)點，但每家在這個節(jié)點的制程側(cè)重點不一樣：臺積電是22ULP (22nm Ultra Low Power)技術；我們側(cè)重的是22nm FD-SOI技術；而英特爾采用了FFL (FinFET Low Power)技術。這三種技術從性能以及復雜度來看各有不同。我們認為FDX技術應該是最優(yōu)的。tXZesmc

英特爾認為FinFET將是未來的主流技術，你如何看待這個觀點？tXZesmc

FinFET跟FDX技術各有千秋，我們也做14nm和7nm的FinFET。tXZesmc

FinFET的應用跟FDX的應用有所不同，因為它的特點是高電流、高電容，所以它適用于大功率服務器等，而用于行動的、以電池供電的、小功率、低成本的應用，比如說圖像處理、還有物聯(lián)網(wǎng)采用的芯片以及傳感器等，這些可能采用FDX的技術更為合適。tXZesmc

從制造的復雜度方面可以看到FDX的光罩是36層，而FFL至少要47層。從不同的應用來講，針對英特爾的技術，可能更適合用于服務器的這些大電流、大電容的芯片，而物聯(lián)網(wǎng)、射頻還有圖像處理，這些更適合采用FDX技術。tXZesmc

現(xiàn)在，在FD-SOI的發(fā)展藍圖中，出現(xiàn)了28nm、22nm、18nm和12nm不同的節(jié)點，你如何看待這個現(xiàn)象？tXZesmc

我覺得在FD-SOI這一領域，大家都在不斷地推動，對這個產(chǎn)業(yè)的發(fā)展來說是有益的。我們希望打造一個FD-SOI生態(tài)鏈，如果整個產(chǎn)業(yè)的發(fā)展能夠趨于一致，包括你說的節(jié)點，應該是一個好事情。tXZesmc

從我們的角度來講，F(xiàn)D-SOI產(chǎn)業(yè)要做好，其中之一是規(guī)模，而且代工廠需要不斷地投資，就像我們在成都建新的晶圓廠。tXZesmc

成都廠我自己去看過。如果你去看一下的話，建設的速度真的非常震撼，另外我們和政府之間的伙伴關系也非常好。tXZesmc

業(yè)界為什么對FD-SOI的體偏壓功能還抱有一定的疑問？tXZesmc

其實并不是很難，可以給你畫個圖，訊號來了就打開閘(圖略)。tXZesmc

業(yè)界為什么認為其是一個挑戰(zhàn)呢？比如說你原來只要考慮三件事情，現(xiàn)在需要考慮第四件事，有人會認為額外的東西對他是負擔、是挑戰(zhàn)。但是，透過體偏壓去控制閘是非常好的思路，會讓整個控制更為簡單。tXZesmc

這種思維一直都存在。舉一些例子，在半導體產(chǎn)業(yè)，我們克服過的重大挑戰(zhàn)非常多，難度上一點都不遜色于此，只是說以前沒有選擇去做?，F(xiàn)在，是否采用體偏壓你是可以選擇的。在這種情況下，有些人對是不是走這條路會覺得非常的畏懼，覺得麻煩，因為你有其它路可以走。tXZesmc

那么，你的建議是什么？tXZesmc

我認為最終解決這個問題，還是要提供給客戶經(jīng)過驗證和奏效的解決方案。做到了，他自然就會接受，讓我們客戶的工作更為簡單。tXZesmc

對于工程師來講有三大要求：更快、低成本、高性能。如果只考慮前面兩個，可能體偏壓這個問題他無需太關注。但如果除了速度、成本還要加上高性能的話，一定會考慮這個功能。tXZesmc

業(yè)界對FD-SOI晶圓硅片的供應和成本也有所顧慮。如何加快這個環(huán)節(jié)的布局？tXZesmc

這個問題并不是很難。因為任何一個新事物出來的時候，不愿意走這一條路的人，總會說這里有毛病、那里有困難。tXZesmc

回顧一下，塊材硅(bulk silicon)一開始也是這樣的，后來量上去了，成本就下降了。對于FDX，我們感覺這個產(chǎn)業(yè)有一個明確的、明顯的推動態(tài)勢。從供應鏈來講，這個技術的確增加了復雜度，但是制程步驟會比原來少10到15步。
現(xiàn)在，三家供貨商都在提供晶圓，同時也在不斷地投資，增加自己的產(chǎn)能，所以從制程的角度來看并沒有太大的問題。癥結(jié)在于半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程當中一直碰到的問題：新的事物出來總是有人不愿意接受，總是從壞的方面去看這個問題，從消極的方面去看這個問題。tXZesmc

FDX相對于FFL等，在成本上是否具有優(yōu)勢？tXZesmc

要從兩個方面看待這個問題：一個是售價、一個是成本。tXZesmc

從成本上面來說，22nm FinFET如果采用平面技術，制程步驟會多一些，制程控制的復雜度很高。對于FDX，底層的基板成本可能會高一點。確實很難同類的去比較各自成本的結(jié)構(gòu)，但是考慮到我們在中國晶圓廠的建設投資以及規(guī)模產(chǎn)生的成本效應，從生產(chǎn)的成本來說，相對于英特爾的技術來講，可能略有優(yōu)勢。但是，這個不一定反映在最終的市場售價上。我們也知道現(xiàn)在英特爾賣什么樣的價格，因為這還是商業(yè)策略的驅(qū)動，所以從成本上面來說，我的判斷是FDX略有一點優(yōu)勢。tXZesmc

注意到FDX的生態(tài)鏈伙伴已從數(shù)年前的7家增加到現(xiàn)在的30多家。新增加的主要是什么廠商？tXZesmc

這些新增加的生態(tài)鏈伙伴主要是IP供貨商。他們很明智、很理性的看到客戶有這個需求，愿意針對IP進行投資。tXZesmc

這些IP主要是針對設計領域。比如說USB 3.0，原來用于28nm的芯片，如果客戶提出要重新設計做到FD-SOI，有這樣一些需求之后芯片設計公司就有動力設計這些東西。IP來自于這種需求，但背后是整個產(chǎn)業(yè)的市場需求。tXZesmc

FDX的生態(tài)鏈tXZesmc

你如何看待FD-SOI的投資策略？tXZesmc

從投資上來講，F(xiàn)D-SOI需要的投資更少，但是市場成長更快。其實，我們在FinFET上面投資的絕對金額比FD-SOI大，但是FD-SOI的產(chǎn)能卻高過FinFET。tXZesmc

現(xiàn)在GlobalFoundries正在成都建設工廠，是否有計劃也在新加坡建立FD-SOI工廠？tXZesmc

沒有。但我們在新加坡有RF-SOI工廠。GlobalFoundries在射頻領域的市場份額位居第一，迄今為止，RF SOI芯片出貨量達到了320億片。tXZesmc

請預測FD-SOI在中國和全球的未來。tXZesmc

對于FD-SOI技術，我個人是充滿信心、非常樂觀，至少是針對我們專注的這些市場，而這些細分市場正好是發(fā)展非?？斓氖袌?。在可比的性能情況下，整個成本、復雜度都會下降，制程步驟會減少。tXZesmc

針對這樣的市場，我有信心，不只是中國，包括全球都是這樣。tXZesmc

你還有什么想法愿意分享？tXZesmc

針對摩爾定律，每個節(jié)點實現(xiàn)的速度在放緩，很多人認為唯一的出路是不斷地針對微縮進行投資，其實這不是唯一的考慮。tXZesmc

針對這個真實世界中的應用，比如說物聯(lián)網(wǎng)、射頻、傳感器等，這些未必需要5nm、7nm節(jié)點的技術。所以針對這些行動的應用，我覺得FD-SOI是一個非常有前景的技術。tXZesmc

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