“楊旭總回答這個問題時比較激動，采訪了那么多次，第一次看他這樣?！睅孜皇煜钚竦拿襟w朋友私下紛紛議論著。inOesmc

其實，楊旭的激動是可以理解的。因為許久未談尖端制造的英特爾在此次“精尖制造日”的活動上，不但全球首次展示了“Cannon Lake”10nm晶圓，更是為制程工藝高低的標(biāo)準(zhǔn)和摩爾定律是否失效正了名。inOesmc

指責(zé)對手玩數(shù)字游戲

英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登?摩爾在半世紀(jì)前提出的摩爾定律，是指每代制程工藝都要讓芯片上的晶體管數(shù)量翻一番。縱觀芯片每代創(chuàng)新歷史，業(yè)界一直遵循這一定律，并按前一代制程工藝縮小約 0.7倍來對新制程節(jié)點命名，這種線性微縮意味著晶體管密度翻番。因此，出現(xiàn)了90nm、65nm、45nm、32nm—每一代制程節(jié)點都能在給定面積上，容納比前一代多一倍的晶體管。inOesmc

inOesmc

在2014年英特爾推出14nm工藝之后不到一年的時間內(nèi)，三星和臺積電都陸續(xù)推出了自己的14nm工藝和16nm工藝，并被蘋果用于制造iPhone 6s所搭載的A9處理器。2016年底，三星和臺積電又相繼推出了自己的10nm工藝，看起來這也比英特爾的10nm工藝早了將近十個月。inOesmc

然而英特爾高級院士、技術(shù)與制造事業(yè)部制程架構(gòu)與集成總監(jiān)馬博(Mark Bohr)卻不認(rèn)同這一看法。他不點名批評了競爭對手的一些做法，指出也許是因為制程進(jìn)一步的微縮越來越難，一些公司背離了摩爾定律的法則。即使晶體管密度增加很少，或者根本沒有增加，但他們?nèi)岳^續(xù)為制程工藝節(jié)點命新名，結(jié)果導(dǎo)致這些新的制節(jié)點名稱根本無法體現(xiàn)位于摩爾定律曲線的正確位置。inOesmc

“行業(yè)亟需一種標(biāo)準(zhǔn)化的晶體管密度指標(biāo)，以便給客戶一個正確的選擇。客戶應(yīng)能夠隨時比較芯片制造商不同的制程，以及各個芯片制造商的‘同代’產(chǎn)品。但半導(dǎo)體制程以及各種設(shè)計日益復(fù)雜使標(biāo)準(zhǔn)化更具挑戰(zhàn)性?！盡ark Bohr說。inOesmc

他認(rèn)為，無論是用柵極距(柵極寬度再加上晶體管柵極之間的間距)乘以最小金屬距(互連線寬度加上線間距)，還是用柵極距乘以邏輯單元高度進(jìn)行計算，都不能真正衡量實際實現(xiàn)的晶體管密度，因為它們都沒有試圖說明設(shè)計庫中不同類型的邏輯單元及這些指標(biāo)量化相對于上一代的相對密度。inOesmc

inOesmc

“行業(yè)真正需要的是給定面積(每平方毫米)內(nèi)的晶體管絕對數(shù)量?！盡ark Bohr認(rèn)為，每個芯片制造商在提到制程節(jié)點時，都應(yīng)披露用這個簡單公式所測算出的MTr/mm2 (每平方毫米晶體管數(shù)量(單位：百萬))單位中邏輯晶體管密度。只有這樣，行業(yè)才可以厘清制程節(jié)點命名的混亂狀況，從而專心致志推動摩爾定律向前發(fā)展。inOesmc

揭秘史上最強(qiáng)10nm工藝

英特爾10nm工藝采用第三代FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)技術(shù)，使用的超微縮技術(shù)(hyper scaling)，充分運(yùn)用了多圖案成形設(shè)計(multi-patterning schemes)，使得它擁有世界上最密集的晶體管和最小的金屬間距，從而實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的晶體管密度，領(lǐng)先其他“10nm”整整一代。inOesmc

inOesmc

英特爾公布的數(shù)據(jù)顯示，英特爾10nm制程的最小柵極間距從70nm縮小至54nm，且最小金屬間距從52nm縮小至36nm。這使得邏輯晶體管密度可達(dá)到每平方毫米1.008億個晶體管，是之前英特爾14nm制程的2.7倍，大約是業(yè)界其他“10nm”制程的2倍。同時，芯片的die area縮小的幅度也超過了以往。可以看到，22nm之前每代工藝的提升可帶來die area約0.62倍的縮減，14nm以及10nm則帶來了0.46倍和0.43倍的縮減。inOesmc

inOesmc

超微縮是英特爾用來描述從14nm到10nm制程，晶體管密度提高2.7倍的術(shù)語。超微縮為英特爾14nm和10nm制程提供了超乎常規(guī)的晶體管密度，并延長了制程工藝的生命周期。盡管制程節(jié)點間的開發(fā)時間超過兩年，但超微縮使其完全符合摩爾定律。inOesmc

inOesmc

縱向來看，相比之前的14nm制程，英特爾10nm制程提升了高達(dá)25%的性能和降低45%的功耗。全新增強(qiáng)版的10 nm制程—10++，則可將性能再提升15%或?qū)⒐脑俳档汀?span style="display:none">inOesmc

“如果我們再橫向的與業(yè)界其他競爭友商的16/14nm制程相比，就會發(fā)現(xiàn)英特爾14nm制程的晶體管密度是他們的1.3倍。業(yè)界其他競爭友商10nm制程的晶體管密度與英特爾14nm制程相當(dāng)，卻晚于英特爾14nm制程三年?！庇⑻貭柟緢?zhí)行副總裁兼制造、運(yùn)營與銷售集團(tuán)總裁Stacy Smith說。inOesmc

inOesmc

inOesmc

inOesmc

摩爾定律不會失效

近幾年，“摩爾定律失效”是近兩年來業(yè)界討論的熱門話題。隨著制程工藝在物理層面越來越接近極限，摩爾定律所詮釋的“當(dāng)價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍”的規(guī)律逐漸被打破，使得人們對摩爾定律在未來所產(chǎn)生的指導(dǎo)意義產(chǎn)生強(qiáng)烈懷疑。inOesmc

而從英特爾自身的工藝發(fā)展過程來看，又似乎從一個側(cè)面加深了人們對“摩爾定律”已經(jīng)失效的印象。2011年下半年，英特爾發(fā)布了22nm工藝；2年半之后的2014年上半年，英特爾才發(fā)布最新的14nm工藝；3年后的今天，英特爾才正式發(fā)布新一代10nm工藝。而且，在從14nm向10nm提升的過程中，英特爾此前一直秉承的Tick-Tock策略(一年提升工藝，一年提升架構(gòu))也很少再被提及。inOesmc

“連英特爾這樣最頂級的芯片制造商都花了3年左右的時間去完成兩代工藝間的演進(jìn)，這難道還不算失效嗎？”人們不禁要問？inOesmc

inOesmc

但如果我們細(xì)心的挖掘一下就會發(fā)現(xiàn)，英特爾14nm與之前的22nm的命名并不是0.7倍之間的關(guān)系。也就是說，如果按照0.7倍命名規(guī)律來看，22nm的0.7倍命名應(yīng)該是16nm，而不是22nm的0.64倍的14nm工藝。inOesmc

inOesmc

從上兩張圖可以看到，英特爾14nm工藝下的晶體管密度為37.5Mtr/mm2(百萬晶體管/平方毫米)，而這個密度是英特爾22nm工藝下晶體管密度的2.45倍。如果按照摩爾定律每兩年翻一番的標(biāo)準(zhǔn)，兩年半的周期，晶體管數(shù)量應(yīng)該是需要增加2.5倍左右，所以英特爾的14nm工藝的晶體管密度也是基本符合摩爾定律要求的。inOesmc

而且，從英特爾的32nm到22nm，每兩年的時間，晶體管密度(單位面積下晶體管的平均數(shù)量)的提升都超過了兩倍(32nm的晶體管密度是45nm的2.27倍)。雖然英特爾從22nm升級到14nm，以及從14nm升級到10nm的時間周期都超過了兩年，但是對應(yīng)的晶體管密度也分別提升了2.5倍和2.7倍。inOesmc

而此次英特爾發(fā)布的10nm工藝下的晶體管密度則達(dá)到了100.8Mtr/mm2，大約是上一代的14nm工藝的2.7倍，也就是說3年左右的時間內(nèi)，英特爾實現(xiàn)了晶體管密度2.7倍的增長，雖然略低于本該3倍的增長，但是結(jié)合此前幾代超出摩爾定律的增長，英特爾10nm工藝仍然是符合摩爾定律的對于晶體管密度的線性增長要求。inOesmc

inOesmc

隨著工藝的發(fā)展，制程節(jié)點之間的時間已經(jīng)延長，成本也更加昂貴，這是整個行業(yè)正在面臨的問題。就算僅僅是把設(shè)備安裝到已有的晶圓廠中，就要花費(fèi)70億美元，越來越少的公司可以承擔(dān)得起推進(jìn)摩爾定律的成本。inOesmc

inOesmc

但這并不意味著摩爾定律已經(jīng)失效。Stacy Smith表示，每一個節(jié)點晶體管數(shù)量會增加一倍，14nm和10nm都做到了，而且晶體管成本下降幅度前所未有，這表示摩爾定律仍然有效。如果再加上創(chuàng)新技術(shù)，可以保證摩爾定律長期有效。inOesmc

inOesmc

此外，為了推動摩爾定律在未來的繼續(xù)前進(jìn)，以及可能的后摩爾時代的到來。英特爾還積極研究如nm線晶體管、III-V 材料(如砷化鎵和磷化銦)晶體管、硅晶片的3D堆疊、高密度內(nèi)存、紫外光(EUV)光刻技術(shù)、自旋電子(一種超越CMOS的技術(shù)，當(dāng)CMOS無法再進(jìn)行微縮的時候，這是一種選擇，可提供非常密集和低功耗的電路)、神經(jīng)元計算等前沿項目。inOesmc

本文為國際電子商情（微信公眾號esmcol）原創(chuàng)文章，版權(quán)所有！inOesmc

inOesmc