研發(fā)中心初期投資約1億元新臺(tái)幣，提供前端原子層沉積（ALD）/化學(xué)氣相沉積（CVD）等先進(jìn)制程所需的特殊氣體原材之開發(fā)、半導(dǎo)體封裝研發(fā)與錯(cuò)誤分析等服務(wù)，以期協(xié)助在地與亞洲半導(dǎo)體業(yè)者縮短研發(fā)時(shí)間，盡速投入IC先進(jìn)制程。cg8esmc
1.先進(jìn)制程所需的半導(dǎo)體材料商機(jī)逐漸被廠商所重視
Semicon Taiwan 2017展會(huì)，半導(dǎo)體材料業(yè)者顯得深具活力，首先以黃光制程的半導(dǎo)體材料見長的Brewer Science發(fā)表在先進(jìn)制程微縮和晶圓級(jí)封裝領(lǐng)域半導(dǎo)體材料的進(jìn)展。cg8esmc
無獨(dú)有偶，以生技醫(yī)療領(lǐng)域見長的材料大廠默克，于2017年9月宣布在臺(tái)啟用亞洲首座積體電路（IC）材料應(yīng)用研發(fā)中心，展現(xiàn)其對(duì)先進(jìn)制程及先進(jìn)封裝材料市場(chǎng)的重視，針對(duì)媒體提出采用EUV曝光機(jī)導(dǎo)致制程數(shù)大幅減少，而影響材料供應(yīng)商未來發(fā)展的疑慮，默克認(rèn)為先進(jìn)制程是新市場(chǎng)新商機(jī)，雖然EUV減少制程數(shù)，使得材料的用量沒有以往多重曝光制程的用量來得多，但制程微縮的趨勢(shì)不會(huì)僅在前段電晶體制程發(fā)生，后段導(dǎo)線線寬持續(xù)微縮對(duì)低介電系數(shù)的介電材料需求也是逐漸提升，加上先進(jìn)制程材料的價(jià)格較高，對(duì)供應(yīng)商而言其商機(jī)不容忽視。cg8esmc
2. 半導(dǎo)體材料扮演摩爾定律是否順利延續(xù)的關(guān)鍵要角
iPhone 8及iPhone X的推出，除了對(duì)iPhone推出問世10周年的慶祝意義之外，也為10nm制程的推出揭開序幕，半導(dǎo)體制程開始進(jìn)展至個(gè)位數(shù)制程節(jié)點(diǎn)。展望未來，業(yè)者為延續(xù)摩爾定律，提升單位面積內(nèi)的電晶體密度，業(yè)者提出「More Moore」、「More than Moore」、「Beyond CMOS」三大構(gòu)想(注)，所采取的解決方案主要有3個(gè)方向：cg8esmc
持續(xù)制程微縮(牽動(dòng)Patterning、BEOL、FEOL的演進(jìn))；cg8esmc
采用3D化的電晶體結(jié)構(gòu)(牽動(dòng)FEOL、Memory的演進(jìn))；cg8esmc
采用先進(jìn)封裝技術(shù)(牽動(dòng)Advanced Packaging)；cg8esmc
制程微縮及3D化的電晶體結(jié)構(gòu)，使得原先采用的材料及設(shè)備難以符合先進(jìn)制程需求，業(yè)者為求制程順利演進(jìn)不得不考慮采用其他材料，而先進(jìn)封裝技術(shù)則對(duì)晶片薄化、晶片貼合及構(gòu)裝材料帶來新的需求，從圖中可以看出，不論是哪一項(xiàng)解決方案，半導(dǎo)體材料都是技術(shù)演進(jìn)順利與否的關(guān)鍵。cg8esmc
圖：2017年制程技術(shù)及材料發(fā)展的五大趨勢(shì)cg8esmc
注：More Moore（深度爾雨）：沿著摩爾定律的道路繼續(xù)往前推進(jìn)，仍是在單位面積之下塞進(jìn)更多的電晶體，其CMOS架構(gòu)不變，設(shè)備、材料的發(fā)展都是為了延續(xù)摩爾定律。cg8esmc
More than Moore（超越摩爾）：側(cè)重功能的多樣化，晶片系統(tǒng)性能的提升不再靠單純的電晶體尺寸的微縮，而是偏向電路設(shè)計(jì)及系統(tǒng)算法優(yōu)化；此外集成度的提高不再單純的只想將更多模塊放到同一塊晶片上，而是可以靠封裝技術(shù)來實(shí)現(xiàn)集成。cg8esmc
Beyond CMOS（超越CMOS）：簡(jiǎn)單來說就是考慮采用CMOS架構(gòu)以外的下世代器件。cg8esmc
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