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內(nèi)存廠壟斷先進(jìn)工藝賺大錢(qián),電子整機(jī)廠將深受其害

根據(jù)市場(chǎng)分析師表示,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)和NAND的價(jià)格正居高不下,而且預(yù)計(jì)還會(huì)更進(jìn)一步攀升。許多人認(rèn)為目前的內(nèi)存市場(chǎng)情況只是暫時(shí)的供需不均衡?;蛘撸麄冾A(yù)期當(dāng)3D NAND閃存(flash)的制造趨于成熟后,就能解決目前的市場(chǎng)情況。然而,以DRAM的市況而言,沒(méi)人能知道DRAM供應(yīng)何時(shí)會(huì)改善。

從需求面來(lái)觀察,雖然一些細(xì)分市場(chǎng)正在成長(zhǎng),但并未出現(xiàn)殺手級(jí)的應(yīng)用或是特別繁榮的細(xì)分市場(chǎng)。因此,問(wèn)題應(yīng)該就出在供應(yīng)面。qziesmc

據(jù)美光(Micron)表示,2017年DRAM供給位預(yù)計(jì)成長(zhǎng)15-20%,可說(shuō)是近20年來(lái)最低的位成長(zhǎng)率(bit growth)。較低的位成長(zhǎng)率,主要源于DRAM微縮限制。市場(chǎng)上有好一段時(shí)間都沒(méi)有任何有關(guān)DRAM微縮的消息了。當(dāng)供給位成長(zhǎng)低于45%時(shí),這就是一個(gè)賣(mài)方的市場(chǎng)了。因此,DRAM的寡頭壟斷、低位成長(zhǎng)率,以及制造擴(kuò)張遲緩,導(dǎo)致長(zhǎng)期的供應(yīng)吃緊。最終,可能只是DRAM的價(jià)格持續(xù)增加,而供應(yīng)面卻不會(huì)有任何改善。
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NAND市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈?;?D NAND將大幅提高生產(chǎn)力的市場(chǎng)預(yù)期,所有的NAND廠商都投入了數(shù)十億美元于3D NAND制造。因此,供應(yīng)過(guò)剩預(yù)計(jì)將持續(xù)一段時(shí)間。然而,這種期待只是一種假象。3D NAND的制造比先前所想象的要困難得多。目前,幾家NAND供貨商都得使勁地推出3D NAND。qziesmc

許多分析師預(yù)計(jì),大約在2018年底,當(dāng)64層和96層3D NAND閃存的制造趨于成熟時(shí),市場(chǎng)供應(yīng)吃緊的情況將會(huì)緩解。因此,明年將會(huì)有足夠的NAND供應(yīng)嗎?如圖所示,平面NAND的橫向微縮(即摩爾定律)以2的N次冪方式呈指數(shù)級(jí)增加位單元。相對(duì)地,3D NAND的單元層數(shù)(即垂直微縮)則線性增加位單元。目前,根據(jù)摩爾定律,平面NAND符合位單元的指數(shù)級(jí)需求成長(zhǎng)。然而,平面NAND面對(duì)微縮限制,3D NAND僅以線性位成長(zhǎng)率,將難以達(dá)到市場(chǎng)的需求。
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64層3D NAND最終將達(dá)到與平面NAND平價(jià)。對(duì)于雙倍和四倍的內(nèi)存容量,3D NAND應(yīng)該分別有128層和256層??紤]到長(zhǎng)期累積的產(chǎn)量損失、制造困難和低晶圓產(chǎn)出效率,超過(guò)64層的內(nèi)存容量擴(kuò)展對(duì)于3D NAND來(lái)說(shuō)是一大挑戰(zhàn)。如果3D NAND在第1層達(dá)到與平面NAND平價(jià),那么垂直擴(kuò)展記體容量就會(huì)更容易多了。qziesmc

如同所討論的,內(nèi)存價(jià)格較高不再只是因?yàn)楣┬枋Ш?。從現(xiàn)在開(kāi)始,我們很難看到內(nèi)存價(jià)格降下來(lái),因?yàn)閮?nèi)存價(jià)格如此之高,主要源于內(nèi)存組件的微縮限制。很諷刺地,內(nèi)存供貨商卻以這種內(nèi)存微縮的限制來(lái)賺大錢(qián)。從2017年上半年的前五大半導(dǎo)體供貨商排名來(lái)看,其中有三家就是內(nèi)存供貨商。例如,海力士(SK Hynix)和Micro極其仰賴于DRAM,因?yàn)檫@兩家公司的營(yíng)收分別有75%和65%都來(lái)自DRAM市場(chǎng)。
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目前,買(mǎi)家掌控了內(nèi)存價(jià)格,并將內(nèi)存產(chǎn)品視為商品。如今正是內(nèi)存供貨商的黃金時(shí)代,高昂的內(nèi)存價(jià)格將成為買(mǎi)家的負(fù)擔(dān)。沒(méi)錯(cuò),由于內(nèi)存微縮的限制,內(nèi)存將成為賣(mài)方市場(chǎng)。我們?nèi)绾握业娇山鉀Q高內(nèi)存價(jià)格的解決方案呢?qziesmc

在2016和2017年,如ITRS和IRDS等技術(shù)開(kāi)發(fā)藍(lán)圖強(qiáng)烈建議為連續(xù)的晶體管微縮采用全包覆式(GAA)晶體管與單片3D (M3D) IC,從而降低制造成本。因此,客戶應(yīng)該主動(dòng)尋求利用‘GAA + M3D’的超低成本內(nèi)存組件。否則,客戶將會(huì)為內(nèi)存組件付出更多的費(fèi)用,而如此高的內(nèi)存價(jià)格也將會(huì)為大部份電子設(shè)備和系統(tǒng)帶來(lái)問(wèn)題。qziesmc

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