該座3D NAND新工廠興建計劃由東芝半導(dǎo)體事業(yè)子公司“東芝內(nèi)存(Toshiba Memory Corporation,以下簡稱TMC)”負(fù)責(zé)策劃，而東芝是在說明上述新廠興建計劃后才進(jìn)行TMC的招標(biāo)作業(yè)，因此即便之后TMC易主、預(yù)估新廠興建計劃仍將持續(xù)。而實際上，TMC賣身錢不過1兆+日圓。b6Nesmc

報導(dǎo)指出，東芝因TMC出售案一事和合作伙伴WesternDigital(WD)鬧翻、對立情勢加劇，因此上述新廠能否如之前一樣和WD分擔(dān)投資額仍舊不明，不過因TMC恐難于單獨進(jìn)行巨額投資，故若無法和WD達(dá)成和解的話，恐必須重新思考合作策略、尋找新投資伙伴。

東芝3日宣布，關(guān)于目前已在四日市工廠廠區(qū)內(nèi)興建的3D NAND專用廠房“第6廠房”投資案，因和WD子公司SanDisk未能獲得共識、協(xié)商破裂，故所需的設(shè)備投資金額將由TMC單獨負(fù)擔(dān)，且為了因應(yīng)內(nèi)存需求擴(kuò)大，故投資金額將從原先規(guī)劃的1800億日圓加碼至約1950億日圓。東芝指出，計劃在2018年度將3D架構(gòu)產(chǎn)品的產(chǎn)量比重提高至約90%。b6Nesmc

早在6月28日，東芝為了展現(xiàn)其在NAND Flash的技術(shù)實力，宣布，將在明年量產(chǎn)全球首款采用堆棧96層制程技術(shù)的3D NAND Flash產(chǎn)品，且也試作出全球首見、采用4bit/cell(QLC)技術(shù)的3D NAND Flash產(chǎn)品。而東芝再出招，宣布已試作出全球首款采用硅穿孔(TSV)技術(shù)的3D NAND Flash產(chǎn)品、并將在年內(nèi)送樣。b6Nesmc

東芝表示，上述試作品采用堆棧48層制程技術(shù)，成功提高省電性能，且和采用打線接合(Wirebonding)技術(shù)的產(chǎn)品相比、其電力效率(每單位電力的數(shù)據(jù)傳送量、MB/s/W)可提高至約2倍水平；另外，藉由堆棧16片512Gb芯片、成功實現(xiàn)了1TB的大容量產(chǎn)品。b6Nesmc

路透社、美聯(lián)社等多家外電報導(dǎo)，三星7月4日宣布，至2021年為止，要對位于平澤市的NAND型閃存廠房投入14.4兆韓元，并對華城市新建的半導(dǎo)體生產(chǎn)線投入6兆韓元。位于中國西安的NAND生產(chǎn)基地也會多蓋一條生產(chǎn)線，但投資金額和時間表還未定。b6Nesmc

最新數(shù)據(jù)顯示，南韓6月份半導(dǎo)體出口價格創(chuàng)下30個月新高，再次證明全球芯片需求持續(xù)成長。南韓媒體Business korea.com報導(dǎo)，位于南韓平澤（Pyeongtaek）的三星內(nèi)存廠正在加速擴(kuò)廠，產(chǎn)業(yè)消息指出，東芝NAND產(chǎn)能僅能滿足蘋果七成需求，致使蘋果緊急向三星下單，三星積極擴(kuò)充產(chǎn)能或與此有關(guān)。b6Nesmc

內(nèi)存廠商大手筆投資，讓IC Insights憂心忡忡。該機(jī)構(gòu)7月18日稱，內(nèi)存以往市況顯示，過度投資常會造成產(chǎn)能過剩、削弱價格。未來幾年三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝/SanDisk、武漢新芯(XMC)/長江存儲(YangtzeRiverStorage)都大舉提高3D NAND flash產(chǎn)能，未來可能還有中國新廠商加入戰(zhàn)場，3D NAND flash產(chǎn)能過多的可能性“非常高”(veryhigh)。b6Nesmc

b6Nesmc