不過，連華為供應鏈也出現(xiàn)缺貨現(xiàn)象，所以制造業(yè)者依然要關(guān)注其它大宗物料的價格走勢，交期是否延長，市場需求是否上升。根據(jù)《富昌電子市場行情報告——2017年第2季度》完整報告顯示，漲價缺貨、交期延長并未出現(xiàn)明顯緩解。于是，國際電子商情對元器件漲價的受災范圍進行了統(tǒng)計，并給出了更多關(guān)于漲價與貨期延長的警示與建議。

其中，最需要注意的是，請各位sales和buyer們時刻關(guān)注MCU和車用IC市場的行情走勢，隨著物聯(lián)網(wǎng)、穿戴設(shè)備等新興應用市場的發(fā)酵，可能會有意想不到的行情出現(xiàn)。以下為國際電子商情為您對報告進行的整理和解讀，內(nèi)容來源：《富昌電子市場行情報告——2017年第2季度》。4rXesmc

本輪“重災區(qū)”——存儲器件，依舊“漲勢喜人”

根據(jù)富昌電子Q2市場行情報告提示，存儲器模塊方面，DDR3和DDR4模塊的價格相比2016年第4季度上漲約40%-50%。且由于DDR3和DDR4模塊缺貨，貨期普遍延長。4rXesmc

同樣受災嚴重的還有，NOR閃存、NAND閃存，與上一季度相比，成本價格普遍上漲10-15%，且貨期趨勢繼續(xù)延長。

圖片截選自《富昌電子市場行情報告——2017年第2季度》4rXesmc

其中，賽普拉斯宣布其SLC NAND 產(chǎn)品缺貨。Macronix貨期延長至16周。4rXesmc

PC(商用)DRAM中，DDR3和DDR4產(chǎn)品價格將在2季度繼續(xù)上漲。取決于不同的供應商，貨期增加約2-4周。Micron的DDR3產(chǎn)品缺貨。移動DRAM的需求增長，短期內(nèi)成本將繼續(xù)上漲。4rXesmc

隨著過渡到3D NAND，用于制造存儲卡和eMMC的MLC和TLC NAND的成本大幅上漲，有些產(chǎn)品成本上漲達80%以上，貨期普遍延長。4rXesmc

目前Kingstone的存儲卡、eMMC及SSD產(chǎn)品缺貨。4rXesmc

由于Microchip收購Atmel，Atmel的EEPROM整個產(chǎn)品系列的成本大幅上漲。4rXesmc

擴展中的“重災區(qū)”也包括——分立器件

根據(jù)富昌電子Q2市場行情報告提示，分立器件中Mosfet的貨期大規(guī)模延長，部分價格上浮，IGBT則相對穩(wěn)定。

其中，F(xiàn)airchild(Onsemi)的低壓Mosfet由于Fab 工廠轉(zhuǎn)移和晶粒出現(xiàn)問題，仍然存在交貨問題，大多數(shù)問題都出在較小封裝（Sot-23，Sc-70）和汽車器件上，4rXesmc

Fairchild和ON Semiconductor將合并系統(tǒng)，因此我們預計會有進一步的貨期問題。4rXesmc

Infineon提供極具競爭力的30V和更低電壓產(chǎn)品，尤其是QFN5×6、3×3封裝。Optimos5新產(chǎn)品采用12寸薄晶圓。收購IR后可提供豐富的中等電壓產(chǎn)品(40-200V) 。但是，其傳統(tǒng)IR 器件定價一直上漲。汽車器件交貨時間為20+周，無引腳封裝器件的貨期延長。4rXesmc

延續(xù)自一季度，通用晶體管上漲范圍擴大，貨期也普遍延長。

在去年12月，Diodes位于KFAB的工廠遭受了火災。此地點的生產(chǎn)暫停2個月。雖然該工廠在1月底恢復生產(chǎn)，但目前仍然有貨期問題。4rXesmc

被動元器件方面，同樣不容樂觀。4rXesmc

受R-Chip產(chǎn)能問題影響，羅姆的固定電阻器、電阻網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品缺貨。鉭電容部分貨期延長，陶瓷電容部分貨期延長。4rXesmc

發(fā)光二極管方面，CML晶體管缺貨比較嚴重，出現(xiàn)價格上漲，部分原廠交期從6-8周延長至10周。4rXesmc

8位/32位MCU庫存水位緊張，原廠交期開始延長

IC Insights認為，繼內(nèi)存芯片持續(xù)漲價效應后，2017年開始，32位MCU市場將成為物聯(lián)網(wǎng)市場的絕對主流，是增長最快的模擬IC分類。同時，智能手機微處理器的應用增長將抵消PC和平板的銷售低迷。4rXesmc

根據(jù)《富昌電子市場行情報告——2017年第2季度》報道顯示，MCU產(chǎn)品有可能將是下一個緊缺的物料，特別是原廠陸續(xù)降低8位單片機產(chǎn)能轉(zhuǎn)而向32位做替代產(chǎn)品。

恩智浦：在完成和飛思卡爾的合并后，新NXP在增強中高端32位MCU市場占有率（LPC, Kinetis和i.MX）的同時，也持續(xù)推出新的8位MCU產(chǎn)品系列，以滿足不同市場（特別是大中華市場）和應用的需要。S08PA、S08PT和S08SU8/SU16是目前推薦使用的8位系列。（備注：恩智浦延長廣受歡迎的高性能8位微處理器產(chǎn)品的長期供貨計劃，將S08QG、S08QD、S08SF、S08SH、S08AC和S08FL的長期供貨計劃額外延長五年）；4rXesmc

賽普拉斯：Cypress的32 位 MCU產(chǎn)品交期10-12周，部分8位MCU產(chǎn)品交貨周期從8-10周延長至16周，Cypress一季度宣布即將對多款產(chǎn)品價格和交期進行調(diào)整；4rXesmc

微芯：Microchip作為8位MCU和32位MCU龍頭廠商，Microchip也開始延長交期至12-16周，看來MCU市場火爆的一塌糊涂； 4rXesmc

瑞薩電子：Renesas受地震頻發(fā)影響，Renesas的產(chǎn)能偏于保守，產(chǎn)能瓶頸導致該公司8位和32位MCU交期延長至25周；4rXesmc

意法半導體：上次，ST法國12寸晶圓廠起火嚇得供應鏈緊急囤貨。STM32平臺在中國取得巨大成功，8位和32位MCU交期為14-16周產(chǎn)品線穩(wěn)定。注意的是，車用MCU和舊產(chǎn)品線多延長3周。4rXesmc

電源、功率器件需求旺盛，美高森美FPGA漲價

電源、功率器件是便攜式設(shè)備、無線系統(tǒng)和新能源汽車中延長電池壽命的關(guān)鍵，將表現(xiàn)出強勁的市場增長。包括電容、電感、電容、功率器件（Mosfet、IGBT、IPM）電流轉(zhuǎn)換器、二極管等在內(nèi)，價格已經(jīng)出現(xiàn)多次上漲，原廠也紛紛交期延長，全球范圍內(nèi)，目前依舊得不到改善。

根據(jù)富昌的報告，ST的車用VNX系列電流轉(zhuǎn)換器交期延長至24周以上；Fairchild的大功率IGBT和智能功率模塊IPM從14周延遲到40周；英飛凌、Semikrom、Mitsubishi、ST大功率IGBT產(chǎn)品六個月內(nèi)產(chǎn)能已經(jīng)滿載，客戶訂單延長；安森美ESD（阻抗器）SOT-223交期延長至20周以上，Nexperia的SOT-323延長至26周以上。

最后，值得一提的是，F(xiàn)PGA方面，Microsemi美高森美旗下的愛特（Actel）FPGA出現(xiàn)高達20%漲價，可能原因是，美高森美唯一中國上海工廠關(guān)閉，接單時間已經(jīng)截止，需要全球調(diào)整貨源。4rXesmc

產(chǎn)能提前釋放，原廠搶市場，漲價勢頭得到緩解

沒有什么東西是永恒不變的！目前，已有兩大市場分析機構(gòu)IC Insights和Gartner紛紛提出價格預警，認為下半年這種漲價的局面會有所改觀。4rXesmc

IC Insights指出，DRAM價格自2016年中以來快速走高，DRAM平均售價自2016年4月大幅攀高到今年2月，漲幅高達54%。但IC Insights對DRAM的后市提出示警，預計下半年隨著供給增加，產(chǎn)品價格恐將下滑，DRAM市場無可避免將展開周期性修正。4rXesmc

Gartner則表示，自2016年中期以來，PC內(nèi)存的價格已經(jīng)翻了一倍，4GB單條售價從12.5美元漲到了25美元，而隨著NAND閃存芯片漲價，SSD的每千兆字節(jié)的成本也出現(xiàn)了驚人上漲。

不過，這種漲價勢頭將在本季度達到頂峰。Gartner預測，全球內(nèi)存和SSD的價格會在2018年出現(xiàn)明顯回落，并將于2019年重新陷入一個相對“冰點”。4rXesmc

除卻周期性調(diào)整，我們也看到，在半導體原廠一系列的合并整合之后，已有一些公司整裝待發(fā)，采取積極的定價策略來重新爭奪市場份額，這些無疑對市場恢復并走向新的平衡期有所助益。4rXesmc

如恩智浦剝離標準產(chǎn)品部門由國內(nèi)建廣資本收購，并在在2017年1月成立新公司Nexperia，在大型項目上積極爭取市場份額。所以有一定的降價。Diodes也在邏輯器件上采取更積極的定價。4rXesmc

STMicroelectronics 在低壓Mosfet市場，定價積極，與英飛凌爭奪市場份額。F7和H7系列的規(guī)格和價格較好。貨期繼續(xù)延長。4rXesmc

同樣是在低壓Mosfet市場，Vishay/Siliconix從5＆6英寸晶圓廠轉(zhuǎn)型成8英寸晶圓廠。新產(chǎn)品價格有優(yōu)勢，貨期也有改進，提供大量P-溝道產(chǎn)品。4rXesmc

作為IGBT的全球領(lǐng)導者，Infineon與IR合并后，擁有了最豐富的大功率和低功率IGBT。4rXesmc

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