圖1：《Semiconductor Today》雜志報道截圖0NIesmc

張凱博士的論文聚焦重點實驗室近期在GaN高線性技術方面獲得的多個重要突破，創(chuàng)新提出三維GaN FinFET微波功率器件,克服了GaN平面器件瓶頸，極大改善了跨導平整度，大幅提升GaN器件線性度,同時維持高的輸出功率和效率，為下一代移動通信高性能元器件奠定基礎。本成果也是首次展示GaN三維器件相對于二維器件在微波功率應用的優(yōu)勢與潛力，有力推動了GaN三維器件的實用化進程。該成果研制過程中得到國家自然科學基金、預研基金等課題的支持。

圖2：NEDI提出的高線性GaN FinFET器件以及跨導特性0NIesmc

SemiconductorToday是總部位于英國具有獨立性和非盈利性的國際半導體行業(yè)著名雜志和網站，專注于報道化合物半導體和先進硅半導體的重要研究進展和最新行業(yè)動態(tài)，具有很強的行業(yè)影響力。0NIesmc

GaN器件三維結構創(chuàng)新，讓中國天眼更敏銳

中國電科第五十五研究所是我國大型電子器件研究、開發(fā)及應用研究所之一，擁有砷化鎵微波毫米波單片和模塊電路國家重點實驗室、國家平板顯示工程技術研究中心, 主要從事微電子、光電子、真空電子和MEMS等領域的各種器件、電路、部件和整機系統(tǒng)的開發(fā)和生產。對于我國國防工業(yè)來說，該所最大的貢獻莫過于研發(fā)的T/R組件，即無線電收發(fā)模塊，主要應用于各種相控陣雷達上，包括戰(zhàn)斗機火控雷達，預警機，“中華神盾”和防空用雷達等。0NIesmc

影響相控陣雷達的除了雷達基礎結構設計之外，作為最前端負責無線電收發(fā)的T/R組件性能對雷達整體性能的影響也是非常大的。目前國際主流的T/R組件類型有砷化鎵和氮化鎵兩種，其中氮化鎵是近幾年才出現(xiàn)的新興事物，不光應用于雷達射頻等設備，無線電通信也非常需要高性能的氮化鎵半導體組件。

圖3：完全自主研發(fā)、具有國際先進水平的機載有源相控陣火控雷達，首次公開亮相于2016年珠海航展。該雷達是現(xiàn)役KLJ-7機械掃描雷達的升級型號KLJ-7A相控陣雷達，在電子對抗等多用途方面具有重大突破，整體技術水平可與F-35雷達相媲美。中電集團下屬14所生產的KLJ-7A相控陣雷達，安裝有多達1000多個T/R組件0NIesmc

作為專門負責T/R組件研發(fā)的單位，五十五所在突破了砷化鎵T/R組建之后就馬不停蹄的繼續(xù)為中國國防工業(yè)研發(fā)了氮化鎵T/R組件。然而由于材料特性等原因，作為新生事物氮化鎵T/R組件會出現(xiàn)一些原先所沒有遇到過的問題。除了采用金剛石作為襯底材料來改善熱傳導性能，降低組件功耗之外，三維GaN FinFET的應用可以說是另辟蹊徑。0NIesmc

在當前半導體行業(yè)開始推進各種三維結構芯片的潮流下，引入三維結構，將GaN二維器件改進成三維結構，可以說是一大創(chuàng)新。簡單的說，一樣的功耗，體積的T/R組件，將能提供出更精確的雷達波形和更高的射頻功率，在不增加外部能耗需求的情況下，進一步提高雷達基本性能。0NIesmc

根據(jù)《國防科技工業(yè)》雜志報道，中國電科14所YLC-8B機動式預警相控陣雷達、KLJ-7A機載有源相控陣火控雷達成功入選2016年度國內十大明星武器。

中國電科14所YLC-8B機動式預警相控陣雷達0NIesmc

其中，YLC-8B型機動式預警僅次于今年在珠海上首次亮相的殲-20第四代戰(zhàn)機和赴俄羅斯參加軍事競賽取得優(yōu)異成績的96B型主戰(zhàn)坦克，名列第3位。YLC-8B型是我國自行研制的新一代雷達產品，著重針對隱身目標進行了優(yōu)化。該雷達采用兩維相掃、一維機掃體制，能夠有效探測包括隱身飛機在內的各類空中目標。0NIesmc

KLJ-7A機載有源相控陣火控雷達，被譽為“戰(zhàn)鷹之眼”，這是完全由我國自主研發(fā)的、具有國際先進水平的機載有源相控陣火控雷達首次公之于眾。目前，全球僅有少數(shù)國家能夠研制，這也是珠海航展創(chuàng)辦20年以來首次展出技術含量如此之高的機載火控雷達。0NIesmc

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