DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，觀察2017年第一季，供給方面因轉進3D-NAND Flash制程造成供貨減少，使得各項合約價格持續(xù)上揚，但在終端需求方面較2016年第四季減少，預期NAND Flash品牌廠營收仍將持續(xù)成長，增幅稍微趨緩，而以全年度NAND Flash供應預期都將吃緊的情況來看，2017年NAND Flash廠商的營收仍可望逐季增加。
cWSesmc
三星電子
受惠于高容量eMMC與UFS需求和固態(tài)硬盤表現(xiàn)強勁，去年第四季三星NAND Flash除了位元出貨量季成長11～15%外，平均銷售單價也成長逾5%，NAND Flash營收季成長近20%。cWSesmc
三星在高容量eMMC/UFS及固態(tài)硬盤上市場份額領先，因此受惠價格上漲的程度更為顯著，而48層堆棧的3D-NAND Flash已順利導入全系列固態(tài)硬盤產品線。cWSesmc
三星Line16廠持續(xù)轉進3D-NAND Flash，Line17與平澤廠的新產能貢獻將從第二季后將開始提升，因此預估2017第一季位元出貨量將季衰退4～9%，位元成長須待至第二季后才會顯著提高。cWSesmc
SK海力士
SK 海力士降低固態(tài)硬盤端供貨比重以應對中國大陸品牌智能手機eMCP需求，去年第四季位元出貨量微幅下滑3%，但平均銷售單價則揚升14%，營收季成長9%至11.56億美元。cWSesmc
2017年第一季SK 海力士面臨轉進3D-NAND Flash及第一季智能手機出貨減少等因素，預估位元出貨量將季衰退約0～5%，但在NAND Flash依舊吃緊的態(tài)勢下，平均銷售單價仍可望續(xù)揚。cWSesmc
在3D-NAND Flash的進度上，第一季SK 海力士3D-NAND Flash位出貨占比為10%，預期在48層堆棧與下半年將推出的72層堆棧3D-NAND Flash帶動下，年底前3D-NAND Flash的產出比重將超越50%。cWSesmc
東芝電子
東芝電子64層堆棧的3D-NAND Flash產品相關對應的產品下半年將放量生產，現(xiàn)階段在良率尚未顯著提升之際，48層堆棧的3D-NAND Flash成為上半年營運的重點，而目前東芝3D-NAND Flash的產出比重較低，但年底維持超過產出的50%計劃不變。cWSesmc
西數(shù)
在位元出貨量與平均銷售單價均上漲的情況下，西數(shù)2017會計年度第二季的NAND Flash營收大幅季成長約20%。全系列固態(tài)硬盤產品線表現(xiàn)強勁，顯現(xiàn)在合并閃迪的綜效已開始顯現(xiàn)。cWSesmc
從產品面看，西數(shù)的64層堆棧3D-NAND Flash已經在自家Retail產品開始出貨，OEM產品的認證過程也會在本季開始進行，預計整體3D-NAND Flash的產出比重在2017年底前將超過50%。cWSesmc
美光
受惠于整體NAND Flash市況供貨吃緊與需求強勁，美光2017會計年度第一季位元出貨量大幅季成長26%，NAND Flash營收也大幅季成長27%，至12.72億美元。在營收的產品分配上，因移動終端與車用電子需求增加， 零部件顆粒銷售比重降至40%，移動終端需求上升至23%，固態(tài)硬盤也微幅增加至15%，車用與其他工控類則是上升至20%。cWSesmc
產品規(guī)劃方面，美光3D-NAND Flash的產出比重已超越50%，是除三星外唯一產出比重超過50%的廠商，同時，美光下個世代的64層堆棧3D-NAND Flash也預計在今年下半量產，原有的2D-NAND Flash產品占比將下滑至10%左右，僅滿足原有利基型的應用。cWSesmc
英特爾
受惠于企業(yè)級固態(tài)硬盤的強勁需求，讓英特爾2016年第四季位元出貨量季成長25%以上，整體NAND Flash營收也季成長25%，至8.16億美元。產品規(guī)劃方面，英特爾20納米與25納米舊制程的產品減少，16納米與3D-NAND Flash（MLC架構）的企業(yè)級固態(tài)硬盤銷售比重則逐步放大，有助讓價格更具競爭力，也有助成本下降與利潤增加，另外，3D-NAND Flash （TLC架構）的產品也開始放量生產。cWSesmc
cWSesmc
