集邦咨詢半導體研究中心最新研究顯示，2016年底，NAND Flash市場缺貨情況達到最高峰，在供貨持續(xù)吃緊的預期心理帶動下，DRAMeXchange估計2017年第一季eMMC單季漲幅達15～20%，而SSD合約價也上漲10～15%，創(chuàng)下近八個季度以來單季漲價幅度的新高。不過，由于近期NAND Flash、面板與DRAM等關鍵零部件漲勢凌厲，已沖擊到智能手機與筆電的成本管控、壓縮廠商利潤，因此eMMC與SSD的平均存儲容量搭載量的成長速度將因而趨緩。fknesmc
DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，由于NAND Flash累積漲價幅度已高，迫使終端廠商紛紛調整產品平均存儲容量搭載量，預估第二季NAND Flash市場在整體供需仍健康的情況下，SSD與eMMC合約價上漲幅度將出現(xiàn)明顯收斂，過去幾個季度大幅漲價的態(tài)勢將走緩。fknesmc
展望2017年，以各項NAND Flash終端需求來看，企業(yè)級固態(tài)硬盤仍為需求成長最穩(wěn)健的領域，受惠于服務器與數(shù)據(jù)中心端需求的強勁成長，高效能的企業(yè)級固態(tài)硬盤在系統(tǒng)設計上將更為普遍。而用戶級固態(tài)硬盤部分，平均搭載量成長速度將因NAND Flash漲價而趨緩。但SSD已成為筆電的標準配備，今年SSD在筆記本電腦的滲透率仍將持續(xù)提升。fknesmc
此外，楊文得指出，蘋果于下半年推出的新一代iPhone，將是NAND Flash市場的后續(xù)觀察指針，在大幅度改款與更多新功能加入后，iPhone將重拾銷售動能，有助于下半年NAND Flash市場的行情。fknesmc
Flash市場最大變數(shù)，3D NAND產能順利開出
臺媒報道稱，去年下半年以來NAND Flash市場供不應求，主要關鍵在于上游原廠全力調撥2D NAND Flash產能轉進3D NAND，但3D NAND生產良率不如預期，2D NAND供給量又因產能排擠縮小，NAND Flash市場出現(xiàn)貨源不足問題，價格也因此明顯上漲。fknesmc
不過，隨著3D NAND加速量產，下半年產能若順利開出，將成為NAND Flash市場最大變數(shù)。fknesmc
2D NAND Flash制程持續(xù)往1y/1z納米進行微縮，如三星及SK海力士去年已轉進14納米，東芝及西部數(shù)據(jù)（WD）進入15納米，美光導入16納米等。但因芯片線寬線距已達物理極限，2D NAND技術推進上已出現(xiàn)發(fā)展瓶頸，用1y/1z納米生產的2D NAND并未出現(xiàn)成本效益，因此，NAND Flash廠開始將投資主力放在3D NAND，但也因產能出現(xiàn)排擠，NAND Flash產出量明顯減少，導致下半年價格強勁上漲。fknesmc
去年NAND Flash價格自第2季開始全面回升，漲勢直達年底，主流的SSD價格漲幅超過4成，eMMC價格最高逼近6成，完成出乎市場意料。在此一情況下，原廠為了維持競爭優(yōu)勢，決定加速搶進3D NAND市場，而今年亦成為3D NAND市場成長爆發(fā)的一年，產能軍備競賽可說是一觸即發(fā)。fknesmc
以各原廠的技術進展來看，三星去年進度最快已成功量產3D NAND，去年底出貨占比已達35％，最先進的64層芯片將在今年第1季放量投片，3D NAND的出貨比重將在本季達到45％。另外，三星不僅西安廠全面量產3D NAND，韓國Fab 17/18也將投入3D NAND量產。fknesmc
包括東芝及WD、SK海力士、美光等其它業(yè)者，去年是3D NAND制程轉換不順的一年，良率直到去年底才見穩(wěn)定回升，生產比重均不及1成。不過，今年開始3D NAND量產情況已明顯好轉，東芝及WD已開始小量生產64層芯片，今年生產主力將開始移轉至64層3D NAND，除了Fab 5開始提高投片外，F(xiàn)ab 2將在本季轉進生產64層3D NAND，F(xiàn)ab 6新廠將動土興建并預估2018年下半年量產。fknesmc
SK海力士去年在36層及48層3D NAND的生產上已漸入佳境，M12廠已量產3D NAND，今年決定提升至72層，將在第1季送樣，第2季進入小量投片，而韓國M14廠也將在今年全面進入3D NAND量產階段。fknesmc
美光與英特爾合作的IM Flash已在去年進行3D NAND量產，去年底第二代64層3D NAND已順利送樣，今年將逐步進入量產，F(xiàn)10x廠也會開始全面轉向進行3D NAND投片。英特爾大陸大連廠則已量產3D NAND，并將在今年開始量產新一代XPoint存儲器。fknesmc
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