日前,Qualcomm Technologies和三星電子有限公司延續(xù)雙方十年之久的戰(zhàn)略性晶圓代工合作,將采用三星10納米FinFET制程工藝打造Qualcomm Technologies最新款頂級(jí)處理器——Qualcomm驍龍835處理器。
今年10月,三星宣布率先在業(yè)界實(shí)現(xiàn)了10納米FinFET工藝的量產(chǎn)。與其上一代14納米FinFET工藝相比,三星10納米工藝可實(shí)現(xiàn):ptdesmc
•減少高達(dá)30%的芯片尺寸ptdesmc
•性能提升27%或功耗降低40%ptdesmc
通過(guò)采用10納米FinFET工藝,驍龍835處理器將具有更小的芯片尺寸,這意味著什么呢?ptdesmc
高通表示,對(duì)于OEM廠商來(lái)說(shuō),在即將發(fā)布的產(chǎn)品中將擁有更多可用空間,以支持更大的電池或更輕薄的設(shè)計(jì)。而制程工藝的提升與更先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)相結(jié)合,預(yù)計(jì)將會(huì)顯著提升電池續(xù)航。ptdesmc
目前,驍龍835已投入生產(chǎn),預(yù)計(jì)搭載驍龍835的商用終端將于2017年上半年出貨。驍龍820/21處理器已經(jīng)擁有超過(guò)200款設(shè)計(jì)發(fā)布或正在開(kāi)發(fā)中,驍龍835正是其后續(xù)產(chǎn)品。ptdesmc
遺憾的是,高通目前并沒(méi)有公布驍龍835的具體規(guī)格,在性能方面,驍龍835應(yīng)該又是一位屠榜者。ptdesmc
Quick Charge 4.0:兼容USB-PD,拒絕“炸機(jī)”
高通在發(fā)布會(huì)上首次推出第四代超快速充電技術(shù)-Quick Charge 4,它將于2017年上半年應(yīng)用到智能手機(jī)新產(chǎn)品當(dāng)中,確保手機(jī)或平板不會(huì)在充電時(shí)過(guò)熱,三星Galaxy Note 7就是在此問(wèn)題上栽了跟頭。ptdesmc
高通公司產(chǎn)品管理高級(jí)總監(jiān)Everett Roach在Snapdragon技術(shù)峰會(huì)上表示,Quick Charge4僅需充電5分鐘將就可以提供長(zhǎng)達(dá)5小時(shí)的電池壽命,Quick Charge 4充電功能將集成到高通下一代移動(dòng)處理器當(dāng)中,包括今天發(fā)布的高通驍龍Snapdragon 835芯片。ptdesmc
隨著手機(jī)和平板電腦變得越來(lái)越大,性能需求越來(lái)越高,電池壽命一直是用戶關(guān)注的重點(diǎn)。高通在一項(xiàng)研究中發(fā)現(xiàn),快充已成為61%手機(jī)買家首要考慮的指標(biāo)。ptdesmc
高通表示,使用Snapdragon 835的手機(jī)將獲得三級(jí)電流和四級(jí)電壓保護(hù),以防止過(guò)熱。Quick Charge 4比高通上一代快速充電技術(shù)縮短30%的充電時(shí)間,電池效率提高30%。另外和上一代技術(shù)相比,Quick Charge 4也將讓手機(jī)溫度降低高達(dá)5攝氏度。
Quick Charge 4不僅局限于智能手機(jī),Quick Charge 4能夠在幾分鐘內(nèi)讓平板電腦,VR耳機(jī)和無(wú)人機(jī)獲得充足動(dòng)力。目前,超過(guò)6億個(gè)設(shè)備支持快速充電。ptdesmc
高通產(chǎn)品管理高級(jí)副總裁Alex Katouzian表示,QC 4.0能在大約15分鐘或更短時(shí)間內(nèi),充入高達(dá)50%的電池電量。ptdesmc
此外,QC 4.0還加入了最佳電壓智能協(xié)商電源管理算法(INOV),將能夠在既定的散熱條件下,自主確定并選擇最佳的電力傳輸水平,從而優(yōu)化充電。ptdesmc
另一方面,QC 4.0能在更準(zhǔn)確地測(cè)量電壓、電流和溫度的同時(shí),保護(hù)電池、系統(tǒng)、線纜和連接器。防止電池過(guò)度充電,并在每個(gè)充電周期調(diào)節(jié)電流。ptdesmc
Quick Charge 4.0符合Google的USB Type-C最新指南ptdesmc
更重要的是,這套新方案用到了高通的INOV技術(shù)(Intelligent Negotiation for Optimum Voltge,最佳電壓智慧協(xié)調(diào)),而且它還符合Google為USB Type-C提出的最新參考指南,不像QC 3.0那樣有違Nougat的規(guī)格要求。大家都知道,Google現(xiàn)在希望避免各類不同快充標(biāo)準(zhǔn)所帶來(lái)的潛在使用隱患,畢竟像一加2充電線充壞其它設(shè)備這樣的事情,到今天為止已經(jīng)發(fā)生不少例了。ptdesmc
對(duì)此高通表示,自家的新技術(shù)“為充電器和移動(dòng)設(shè)備都準(zhǔn)備了先進(jìn)的保護(hù)功能”,它可以調(diào)整電流、電壓和溫度,用來(lái)確保電池、電線和連接器的安全?!盀榱吮苊怆姵剡^(guò)充和調(diào)節(jié)每個(gè)充電周期內(nèi)的電流,我們還專設(shè)了額外的保護(hù)層。”高通在新聞稿中這么寫(xiě)道。ptdesmc
毫無(wú)意外,QC 4能兼容USB Power Delivery肯定是一件好事。畢竟Google已經(jīng)給出了強(qiáng)烈建議,未來(lái)的Android 版本會(huì)要求Type-C手機(jī)完全匹配標(biāo)準(zhǔn)Type-C充電頭的互用性(Interoperability),雖然這讀起來(lái)是一個(gè)可能出現(xiàn)的要求,但言下之意其實(shí)已經(jīng)很明顯。ptdesmc
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