DRAMeXchange全球半導體觀察表示，現(xiàn)貨市場也依然維持強勁的上升格局，DDR3／4 4Gb價格分別來到2.46／2.48美元，較上月同期比較已上漲17%與24%，顯見市場對于后市上漲仍將持續(xù)保持樂觀的態(tài)度。0pWesmc

DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，觀察市場面，由于原廠產(chǎn)能陸續(xù)轉(zhuǎn)進移動式內(nèi)存與服務器內(nèi)存后，標準型內(nèi)存產(chǎn)能已低于20%以下，加上廠商庫存水位偏低與旺季需求比預期更佳，標準型內(nèi)存出現(xiàn)歷年少見在無工廠意外情況下而價格暴漲的情形，此效應也讓其他的DRAM產(chǎn)品在第四季皆有漲幅。0pWesmc

近期上漲行情成寡占格局最佳典范，長期不利中國廠商進軍內(nèi)存產(chǎn)業(yè)

吳雅婷指出，2016下半年在全球智能手機與服務器需求強勁下，DRAM產(chǎn)能迅速轉(zhuǎn)進移動式內(nèi)存與服務器用內(nèi)存，標準型內(nèi)存因此面臨供需嚴重失衡，成為DRAM價格全面起漲的契機。同時，三大DRAM廠間關系也發(fā)生了微妙的變化，首先三者認同自己現(xiàn)在的競爭態(tài)勢，不再為搶占市占率而非理性擴產(chǎn)，在共榮共存的前提下，也都遵循最大供貨商的價格策略，不再削價競爭，以確保自身最大獲利。0pWesmc

此外，DRAMeXchange預估各家原廠對2017年DRAM資本支出將不會擴大，較今年持平或是下修可能性高，意味軍備競賽暫告落幕，以獲利為首要目標將是DRAM廠一致的共識，2017年產(chǎn)能年成長也將創(chuàng)下近八年來最低，供給位元年成長率低于20%。0pWesmc

值得注意的是，中國政府近年宣示進軍內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，時值市場狀況不佳，借并購與合作確實是切入內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的最佳時機點，韓系廠商都處于獲利階段，與中國合作意愿不高，反觀財務狀況不佳的美光自然是中國政府的目標，然而，經(jīng)由這次韓系DRAM大廠主導的漲價，不光幫助美光擺脫財務窘境，在未來持續(xù)獲利的情況下，也無形降低美光與中國合作的意愿，畢竟在中國大舉進軍存儲產(chǎn)業(yè)的背景下，三大DRAM廠不免感到壓力。0pWesmc

吳雅婷表示，此波漲價蘊含著三大DRAM原廠的近期目標與長期策略，近期可讓自身維持不錯的獲利結(jié)構(gòu)，長期則可提高中國進軍內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的門檻。0pWesmc

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