隨著三星新一代旗艦手機(jī)Samsung Galaxy S7的發(fā)布,頂級(jí)智能手機(jī)的配置標(biāo)準(zhǔn)又將提升一個(gè)臺(tái)階。最新的CPU、強(qiáng)勁的GPU、4GB大運(yùn)行內(nèi)存,IP68級(jí)防塵防水,“全像素雙核”技術(shù)攝像頭等,首次出現(xiàn)的銅管散熱,有望再次引爆全球市場(chǎng)。解決構(gòu)了小米5元器件《深度拆解小米5 sensor:用X射線透視“黑科技”真面目》的上海微技術(shù)工研院SITRI再次帶您全面了解Galaxy S7的內(nèi)部sensor面貌。9fZesmc
Components Arrangement
Major Components9fZesmc
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Samsung Galaxy S7 SM-G9300的處理器采用了與小米5相同的高通最新驍龍820,取得強(qiáng)大功能的同時(shí)散熱問題也不能忽視。小米5采用了3塊導(dǎo)熱硅脂加前后2層石墨散熱的體系,那么讓我們一起來探究行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者三星是怎么處理的。9fZesmc
石墨散熱9fZesmc
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導(dǎo)熱硅脂
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銅管散熱
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S7的散熱設(shè)計(jì)首先在主板芯片密集的模塊上都附有石墨散熱層,對(duì)于容易發(fā)熱的顯示屏背后貼有一整片石墨散熱層,里面還附加了一層薄薄的銅,使散熱效果達(dá)到更佳。接著針對(duì)處理器芯片表面附加了導(dǎo)熱硅脂,上面加了一層石墨散熱層,然后又是2塊導(dǎo)熱硅脂,基本解決處理器芯片發(fā)熱問題。最后使用第一次出現(xiàn)在三星手機(jī)中的銅管,覆蓋幾個(gè)主要發(fā)熱芯片,起到導(dǎo)熱散熱的作用??b密而多層次化的布局,構(gòu)成了S7的整機(jī)散熱體系。9fZesmc
裝載了最新的安卓系統(tǒng)、最新的頂級(jí)處理器、附加4GB大運(yùn)行內(nèi)存,作為三星旗艦產(chǎn)品Galaxy S7在運(yùn)行速度方面無疑擁有了目前最頂級(jí)的軟硬件配置。那么比運(yùn)算速度更為重要的應(yīng)用功能方面又有哪些改變呢?SITRI將為您全面解析Galaxy S7中的傳感器。
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慣性傳感器 (6-Axis)
三星S7的慣性傳感器這次沒有選用S6的Invensense-MPU6500,而是選用了ST的LSM6DS3。這顆6-Axis慣性傳感器LSM6DS3的封裝尺寸為3.00 mm x 2.50 mm x 0.86 mm。9fZesmc
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Package Photo9fZesmc
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Package Decap Photo9fZesmc
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Package X-Ray Photo9fZesmc
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ASIC Die Photo9fZesmc
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ASIC Die Mark9fZesmc
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MEMS Die Photo with Cap9fZesmc
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MEMS Die Mark9fZesmc
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MEMS Die Photo without Cap9fZesmc
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MEMS Cap Photo9fZesmc
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三星S7的六軸慣性從之前的InvenSense-MPU6500變成了現(xiàn)在的ST-LSM6DS3, SITRI為您分析這兩顆同為六軸慣性的芯片的區(qū)別。
左圖為L(zhǎng)SM6DS3,右圖為MPU6500。9fZesmc
ASIC & MEMS Comparison9fZesmc
從上圖可以看出,左圖LSM6DS3的芯片布局從上往下依次為MEMS Cap->MEMS Die->ASIC Die,其MEMS和ASIC之間用Wire Bonding相連,而右圖MPU6500的芯片布局則為MEMS Die->ASIC Die,其MEMS和ASIC之間是依靠Al-Ge Bonding相連。
下面是具體的ASIC和MEMS Die Photo的比較。9fZesmc
ASIC Die Photo Comparison9fZesmc
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MEMS Die Photo Comparison9fZesmc
SITRI對(duì)于MPU6500和LSM6DS3這兩顆慣性傳感器都有做過具體的工藝分析,詳情請(qǐng)關(guān)注MPU6500和LSM6DS3的工藝分析報(bào)告。9fZesmc
氣壓傳感器
三星S7的氣壓傳感器依舊同S6一樣,采用了最常見的Bosch氣壓傳感器BMP280,其封裝尺寸為 2.50 mm x 2.00 mm x 0.95 mm。
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Package Photo9fZesmc
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Package X-Ray Photo9fZesmc
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ASIC Die Photo9fZesmc
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ASIC Die Mark9fZesmc
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MEMS Die Photo9fZesmc
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MEMS Die Mark9fZesmc
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心率傳感器
三星S7的心率傳感器也沒有變化,仍然沿用了Maxim的MAX30102,其封裝尺寸為5.60 mm x 3.30 mm x 1.55 mm。
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Package Photo with Surface Cap9fZesmc
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Package Photo without Surface Cap9fZesmc
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Die Photo9fZesmc
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Die Mark9fZesmc
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電子羅盤
三星S7的電子羅盤仍然采用了AKM的AK09911,其封裝尺寸為1.20 mm x 1.20 mm x 0.53mm。9fZesmc
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Package Photo9fZesmc
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Die Photo
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Die Mark9fZesmc
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環(huán)境光&距離傳感器
三星S7的環(huán)境光和距離傳感器是AMS-TE28032C。其封裝尺寸為5.03 mm X 2.03 mm X 0.97 mm。 9fZesmc
Package Photo9fZesmc
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Package X-Ray Photo9fZesmc
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Die Photo
Die Mark9fZesmc
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指紋傳感器
三星S7的指紋傳感器和S6相同,是Synaptics的BI202A。 整個(gè)指紋模塊尺寸為15.82 mm X 6.38 mm X 1.61 mm。9fZesmc
Module Photo9fZesmc
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Module X-Ray Photo9fZesmc
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Sensor Package X-Ray Photo9fZesmc
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Sensor Die Photo9fZesmc
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Sensor Die Mark9fZesmc
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MEMS麥克風(fēng)
三星S7的2個(gè)麥克風(fēng)也都來自樓氏, 這2顆除了封裝表面Mark略有不同,里面的MEMS Die全都一樣。9fZesmc
麥克風(fēng)19fZesmc
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麥克風(fēng)1的封裝尺寸為3.50 mm X 2.65 mm X 1.00 mm。9fZesmc
Package Photo9fZesmc
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Package Cap Remove Photo9fZesmc
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Package X-Ray Photo9fZesmc
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MEMS Die Photo9fZesmc
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MEMS Die Mark9fZesmc
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MEMS Die OM Sample9fZesmc
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MEMS Die SEM Sample9fZesmc
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麥克風(fēng)29fZesmc
麥克風(fēng)2的封裝尺寸為3.50 mm X 2.65 mm X 1.00 mm。9fZesmc
Package Photo
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Image Sensor
三星S7的后置攝像頭這次采用了索尼的全像素雙核傳感器IMX260,這也是全像素雙核傳感技術(shù)第一次在手機(jī)上得到了應(yīng)用。9fZesmc
所謂的全像素雙核技術(shù)(Dual Pixel)就是圖像傳感器上每個(gè)像素都擁有兩個(gè)光電二極管,而這兩個(gè)光電二極管會(huì)分別接收光線并獲取2個(gè)信號(hào),之后即可進(jìn)行相差檢測(cè)自動(dòng)對(duì)焦,而成像時(shí)會(huì)拼合2個(gè)光電二極管積蓄的電荷作為1個(gè)像素進(jìn)行讀取。簡(jiǎn)單理解就是在一個(gè)像素內(nèi)對(duì)焦和成像同時(shí)進(jìn)行,既保持了畫質(zhì)又增加了對(duì)焦速度。9fZesmc
同時(shí),在整個(gè)后置攝像頭模塊當(dāng)中還有一顆專門用來調(diào)焦的2軸陀螺儀,結(jié)合這次的全像素雙核技術(shù),難怪三星在其官網(wǎng)上對(duì)S7的后置攝像頭的廣告語為“疾速對(duì)焦”,現(xiàn)在看來真是實(shí)至名歸。9fZesmc
Rear Image Sensor Module Package Photo9fZesmc
Rear Image Sensor Die Photo9fZesmc
Rear Image Sensor Pixel OM Sample9fZesmc
Front Image Sensor Package Photo9fZesmc
Front Image Sensor Die Photo9fZesmc
Front Image Sensor Die Mark9fZesmc
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Front Image Sensor Pixel OM Sample9fZesmc
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二軸陀螺儀 (后置攝像頭模塊內(nèi))
在后置攝像頭模塊內(nèi)放置一顆二軸陀螺儀也算是三星手機(jī)的一大特色,這次S7的后置攝像頭里的二軸陀螺儀依舊采用了ST的產(chǎn)品,型號(hào)是K2G2IS。9fZesmc
Package X-Ray Photo9fZesmc
ASIC Die Photo9fZesmc
ASIC Die Mark
MEMS Die Photo with Cap9fZesmc
MEMS Die Mark9fZesmc
MEMS Die IR Photo9fZesmc
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相對(duì)于S6傳感器部分的主要變化在于兩點(diǎn):第一,Samsung Galaxy S7的六軸加速度和陀螺儀傳感器使用了STMicroelectronics的LSM6DS3,沒有繼續(xù)使用InvenSense的產(chǎn)品;第二,后置攝像頭采用了索尼的IMX260而放棄了使用自家的產(chǎn)品。SITRI將對(duì)Samsung Galaxy S7其他模塊及其系列產(chǎn)品進(jìn)行詳細(xì)解析,敬請(qǐng)關(guān)注!9fZesmc