“最近，存儲(chǔ)現(xiàn)貨市場(chǎng)出現(xiàn)止跌的信號(hào)，預(yù)計(jì)在2025年Q2，NAND產(chǎn)品的價(jià)格將率先企穩(wěn)，2025年Q3整體存儲(chǔ)價(jià)格有機(jī)會(huì)迎來回升。”在一年一度的CFMS Memorys上，中國(guó)閃存市場(chǎng)總經(jīng)理邰煒圍繞應(yīng)用端、供應(yīng)端、新產(chǎn)品形態(tài)、市場(chǎng)格局演變等方面，對(duì)2025年存儲(chǔ)最新行情和發(fā)展趨勢(shì)做了分析和預(yù)測(cè)。kp1esmc

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中國(guó)閃存市場(chǎng)總經(jīng)理邰煒kp1esmc

應(yīng)用端：服務(wù)器、AI手機(jī)、AI PC帶動(dòng)存儲(chǔ)需求

如今服務(wù)器市場(chǎng)已成為存儲(chǔ)發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力。整體來看，2024年服務(wù)器的存儲(chǔ)容量增長(zhǎng)了107%，這部分的增長(zhǎng)包含了NAND和DRAM。預(yù)計(jì)今年服務(wù)器數(shù)量相比去年繼續(xù)增長(zhǎng)，將達(dá)到1,330萬臺(tái)，其中AI服務(wù)器的占比將達(dá)到14%，會(huì)進(jìn)一步推高服務(wù)器的配置。kp1esmc

同時(shí)，主流服務(wù)器平臺(tái)也已全面支持DDR5和PCIe 5.0。相比之下，PCIe 5.0的性能更強(qiáng)，在訓(xùn)練時(shí)間相比上一代(PCIe 4.0)有著明顯的提升，預(yù)計(jì)2025年部分廠商的PCIe 5.0的搭載率將達(dá)到30%。邰煒指出，相信隨著今年下半年圖靈平臺(tái)的上市，預(yù)計(jì)6,400頻率的96/128G的DDR5在服務(wù)器市場(chǎng)將迎來放量增長(zhǎng)。kp1esmc

在AI浪潮下，計(jì)算平臺(tái)從以CPU為中心轉(zhuǎn)移到以GPU/NPU為中心，算力規(guī)模的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)也對(duì)存力需求提出更高的要求。HBM以高帶寬、多I/O數(shù)量、低功耗等高性能加持下，在AI時(shí)代得到廣泛應(yīng)用。kp1esmc

HBM市場(chǎng)自2024年進(jìn)入爆發(fā)增長(zhǎng)階段，隨著2025年英偉達(dá)GPU架構(gòu)的再次升級(jí)，將帶動(dòng)HBM從HBM3正式進(jìn)入HBM3e。預(yù)計(jì)2026年HBM4的出現(xiàn)，也會(huì)帶來更多定制化需求。kp1esmc

換機(jī)周期拉長(zhǎng)、增量趨緩，手機(jī)市場(chǎng)的表現(xiàn)稍顯平淡。雖然中國(guó)大陸針對(duì)手機(jī)進(jìn)行了國(guó)補(bǔ)，但是沒有從原則上解決這些問題。很多手機(jī)廠商認(rèn)為，手機(jī)作為消費(fèi)者的核心入口，未來AI在手機(jī)里將大有可為?；诖耍謾C(jī)廠商對(duì)今年的AI手機(jī)發(fā)展保有很大的信心，預(yù)計(jì)2025年AI手機(jī)的比例將會(huì)達(dá)到30%。kp1esmc

在AI手機(jī)的存儲(chǔ)方案上，分離式的比例將繼續(xù)提升，AI將加速對(duì)更高性能LPDDR的需求。目前，旗艦機(jī)ePOP方案均是采用496Ball封裝的LPDDR5X。而隨著2026年LPDDR6商用，LPDDR5X將下沉至中端手機(jī)。此外，尺寸更小，成本也更具優(yōu)勢(shì)的245Ball LPDDR5/5X也將具備較大的優(yōu)勢(shì)。kp1esmc

AI在PC上的落地會(huì)更快速，2025年AI PC相比去年將有質(zhì)的飛躍。在PC DRAM上，LPDDR5X和DDR5將成為主要應(yīng)用，LPCAMM2形態(tài)的存儲(chǔ)產(chǎn)品也將提供更多選擇。在SSD上，隨著先進(jìn)制程的PCIe Gen 5主控芯片的量產(chǎn)，其功耗、散熱將得到有效的緩解，所以PCIe 5.0在PC上的應(yīng)用也會(huì)加速。kp1esmc

汽車是存儲(chǔ)的下一個(gè)重要應(yīng)用市場(chǎng)，在整車廠的推動(dòng)下，智能駕駛的普及率有望飛速提升，存儲(chǔ)系統(tǒng)已從輔助部件蛻變?yōu)橹悄芷嚨暮诵膽?zhàn)略資源，車用存儲(chǔ)迎來新的發(fā)展階段。kp1esmc

供應(yīng)端：存儲(chǔ)現(xiàn)貨市場(chǎng)已經(jīng)止跌，Q2 NAND價(jià)格將率先企穩(wěn)

從各大原廠的最新的財(cái)報(bào)可以看出，大家的資本支出已經(jīng)不聚焦于提升產(chǎn)能，在此背景下，整個(gè)晶圓數(shù)量的產(chǎn)出增量減少了很多。目前，大家更多將投入到更先進(jìn)封裝或者研發(fā)上，側(cè)重HBM、1c、1γ（gamma）和更高層數(shù)的堆疊。kp1esmc

在技術(shù)路線上，NAND將繼續(xù)朝更高堆疊發(fā)展，預(yù)計(jì)在今年將進(jìn)入300層以上的時(shí)代，同時(shí)混合鍵合技術(shù)已經(jīng)成為NAND Flash重要的技術(shù)發(fā)展方向，存儲(chǔ)原廠持續(xù)通過優(yōu)化技術(shù)架構(gòu)和材料，克服超高層NAND Flash的量產(chǎn)挑戰(zhàn)。而在DRAM方面，2025年DRAM制程將會(huì)往1c、1γ（gamma）方向演進(jìn)。kp1esmc

此外，DeepSeek為開源及低成本AI方案開辟了廣闊前景。當(dāng)前，一體化DS機(jī)暢銷，行業(yè)大模型應(yīng)用加速，端側(cè)落地進(jìn)程亦不斷加快，內(nèi)置DS更成為產(chǎn)品賣點(diǎn)。這些因素均有力推動(dòng)了存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的持續(xù)高速發(fā)展。kp1esmc

最近，存儲(chǔ)現(xiàn)貨市場(chǎng)出現(xiàn)止跌的信號(hào)，預(yù)計(jì)在2025年Q2，NAND產(chǎn)品的價(jià)格將率先企穩(wěn)，2025年Q3整體存儲(chǔ)價(jià)格有機(jī)會(huì)迎來回升。接下來，智能眼鏡、智能手表，以及更多消費(fèi)電子產(chǎn)品出貨量增加，也將會(huì)給存儲(chǔ)帶來更多的應(yīng)用市場(chǎng)。kp1esmc

內(nèi)存需求多樣化已催生更多新形態(tài)產(chǎn)品

由于內(nèi)存需求的多樣化發(fā)展，傳統(tǒng)的分類標(biāo)準(zhǔn)發(fā)生了變化，同時(shí)也出現(xiàn)更多新形態(tài)的產(chǎn)品。在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，因?yàn)閭?cè)重對(duì)整體TCO持續(xù)優(yōu)化，低功耗運(yùn)行變得越來越重要，市場(chǎng)上已經(jīng)出現(xiàn)了基于LPDDR的LPCAMM (低功耗壓縮附加內(nèi)存模組)。LPCAMM是2024年專為筆記本電腦和其他緊湊型設(shè)備而設(shè)計(jì)的新一代內(nèi)存。當(dāng)前，行業(yè)內(nèi)LPCAMM的發(fā)展正處于快速上升期，各大廠商正在推出相關(guān)產(chǎn)品，以滿足市場(chǎng)對(duì)低功耗、高性能、易升級(jí)內(nèi)存解決方案的需求。kp1esmc

而面對(duì)有限空間及更高密度存儲(chǔ)的需求，SOCAMM(空間優(yōu)化內(nèi)存模組技術(shù))的概念也應(yīng)運(yùn)而生。SOCAMM由英偉達(dá)主導(dǎo)研發(fā)的面向AI計(jì)算、HPC、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的高密度內(nèi)存解決方案，該內(nèi)存技術(shù)具有極高的數(shù)據(jù)傳輸帶寬，能夠顯著提升個(gè)人AI超級(jí)計(jì)算機(jī)的性能。集成了低功耗和高能效的LPDDR5X DRAM，有助于降低系統(tǒng)能耗，延長(zhǎng)設(shè)備電池壽命。值得注意的是，SOCAMM內(nèi)存模塊采用可拆卸設(shè)計(jì)，這使得更換和升級(jí)變得更加便捷，可提高設(shè)備的靈活性和使用壽命。kp1esmc

此外，MRDIMM(多路復(fù)用雙列直插內(nèi)存模組)利用多路復(fù)用器和多Rank設(shè)計(jì)，可以實(shí)現(xiàn)在相同通道下提升有效帶寬。MRDIMM是一種新型內(nèi)存技術(shù)，旨在滿足現(xiàn)代服務(wù)器對(duì)更高內(nèi)存帶寬的需求。它通過同時(shí)操作兩個(gè)內(nèi)存通道，顯著提高了數(shù)據(jù)吞吐量，從而提升了內(nèi)存性能。kp1esmc

當(dāng)然，還有在CXL3.0時(shí)代也將看到內(nèi)存池化進(jìn)入實(shí)用階段。邰煒表示，對(duì)于很多企業(yè)而言，最關(guān)鍵的不在行情的把控，而是緊跟需求和技術(shù)巨大的投入，以及路線選擇才是真正意義上的難點(diǎn)。kp1esmc

QLC加速滲透與HBM驅(qū)動(dòng)下的市場(chǎng)格局演變

2025年，NAND Flash和DRAM的表現(xiàn)各不相同。kp1esmc

2024年NAND Flash的市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到700億美金，總的容量達(dá)到8,330億GB，今年ASP（平均銷售價(jià)格）下降，預(yù)計(jì)市場(chǎng)規(guī)模將有所減少，隨著2025年NAND Flash價(jià)格回歸理性，將會(huì)促使更多企業(yè)去推高容量產(chǎn)品，維持產(chǎn)業(yè)穩(wěn)定健康發(fā)展。kp1esmc

2025年DRAM的格局將發(fā)生變化，目前HBM在整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)的占比已經(jīng)將近30%。去年，服務(wù)器內(nèi)存消耗的HBM已經(jīng)超過了手機(jī)，預(yù)計(jì)今年這個(gè)趨勢(shì)還會(huì)持續(xù)深化。DRAM部分由于受到HBM出貨量增加的影響，2025年DRAM市場(chǎng)將達(dá)到2,880億GB的當(dāng)量。kp1esmc

另外，大容量存儲(chǔ)的需求，已經(jīng)促使QLC時(shí)代提前到來，2024年甚至出現(xiàn)了QLC產(chǎn)品供不應(yīng)求的情況。根據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)預(yù)計(jì)，未來QLC產(chǎn)能將占總存儲(chǔ)產(chǎn)能的20%左右。目前，在企業(yè)級(jí)QLC SSD上，32TB大規(guī)模量產(chǎn)，64TB、128TB需求增加，預(yù)計(jì)2025年將有超過45%的QLC產(chǎn)品用在服務(wù)器上。kp1esmc

除了應(yīng)用在服務(wù)器和PC上之外，2025年手機(jī)QLC應(yīng)用也將迎來突破，更多手機(jī)開始搭載512GB甚至1TB的QLC UFS。邰煒評(píng)價(jià)道，這些變化讓2024年的存儲(chǔ)行情迅速走出陰霾，并且在產(chǎn)量和增速上創(chuàng)下歷史新高，存儲(chǔ)市場(chǎng)的規(guī)模達(dá)到了1,670億美金，在此基礎(chǔ)上，預(yù)計(jì)2025年將依舊保持增長(zhǎng)。kp1esmc