根據(jù)Counterpoint Research的預(yù)測(cè)，2025年芯片代工廠的增長(zhǎng)率可能達(dá)到20%，主要由臺(tái)積電和趕上人工智能浪潮的小型競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手引領(lǐng)。這一預(yù)測(cè)顯示，增長(zhǎng)速度比去年略有放緩。該分析機(jī)構(gòu)表示，2024年芯片行業(yè)的代工部門增長(zhǎng)了22%，主要受益于從2023年的低迷中反彈。zgUesmc

人工智能在數(shù)據(jù)中心和邊緣計(jì)算領(lǐng)域的擴(kuò)展推動(dòng)了市場(chǎng)對(duì)尖端節(jié)點(diǎn)芯片的需求。臺(tái)積電通過生產(chǎn)5納米、4納米和3納米芯片，并結(jié)合先進(jìn)的封裝技術(shù)（如該公司專有的CoWoS技術(shù)），抓住了這一勢(shì)頭。zgUesmc

Counterpoint分析師Adam Chang告訴《國(guó)際電子商情》姊妹平臺(tái)EE Times：“我們預(yù)計(jì)2025年晶圓代工廠的整體利用率將在80%左右，先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的利用率將高于成熟節(jié)點(diǎn)。在中國(guó)本土化努力的推動(dòng)下，該國(guó)成熟節(jié)點(diǎn)代工廠的需求預(yù)計(jì)比非中國(guó)同行更強(qiáng)勁。”zgUesmc

Chang還指出，由于臺(tái)積電繼續(xù)受益于高端智能手機(jī)需求和超大規(guī)模公司的人工智能相關(guān)訂單激增，先進(jìn)節(jié)點(diǎn)（5/4納米和3納米）的行業(yè)利用率預(yù)計(jì)將保持在90%以上。所謂的超大規(guī)模公司，指的是像亞馬遜、微軟和谷歌這樣提供廣泛云計(jì)算和數(shù)據(jù)服務(wù)的公司。zgUesmc

臺(tái)積電

臺(tái)積電在2025年1月份公布的季度財(cái)報(bào)中預(yù)測(cè)，其2025年的銷售額有望增長(zhǎng)高達(dá)26%。Counterpoint指出，受人工智能領(lǐng)軍企業(yè)英偉達(dá)（Nvidia），以及智能手機(jī)芯片設(shè)計(jì)商蘋果、高通（Qualcomm）和聯(lián)發(fā)科（MediaTek）需求的推動(dòng)，2025年先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的晶圓廠利用率依然強(qiáng)勁。zgUesmc

在資本密集型的芯片行業(yè)，利用率是衡量盈利能力的關(guān)鍵指標(biāo)。然而，由于消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)、汽車及工業(yè)領(lǐng)域終端市場(chǎng)需求疲軟，28/22納米及以上成熟節(jié)點(diǎn)的復(fù)蘇步伐相對(duì)緩慢。zgUesmc

Chang表示：“GlobalFoundries、Tower和臺(tái)積電等，擁有強(qiáng)大絕緣硅襯底技術(shù)的代工廠，完全有能力從不斷增長(zhǎng)的硅光子市場(chǎng)中獲益。不過，與主流半導(dǎo)體需求相比，該市場(chǎng)的規(guī)模仍然相對(duì)較小?？紤]到臺(tái)積電在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)和先進(jìn)封裝方面的優(yōu)勢(shì)，我們相信臺(tái)積電仍將是云計(jì)算AI需求的主要受益者。”zgUesmc

他還指出，共封裝光學(xué)技術(shù)（CPO）是另一項(xiàng)值得關(guān)注的關(guān)鍵技術(shù)，它有望成為推動(dòng)超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心硅光子學(xué)發(fā)展的主要?jiǎng)恿Α?ldquo;CPO技術(shù)的應(yīng)用還處于早期階段。臺(tái)積電管理層和英偉達(dá)CEO黃仁勛都表示，該技術(shù)的廣泛應(yīng)用還需要數(shù)年時(shí)間，預(yù)計(jì)到2026年或2027年之后才能帶來顯著的收入貢獻(xiàn)。”zgUesmc

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圖1：全球晶圓代工廠年同比增長(zhǎng) 圖片來源：Counterpoint ResearchzgUesmc

英特爾

臺(tái)積電是先進(jìn)封裝領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，但它并不是唯一受益的代工廠。英特爾也在這一領(lǐng)域取得顯著進(jìn)展，特別是其EMIB和Foveros 3D封裝技術(shù)。英特爾的Foveros 3D堆疊技術(shù)主要應(yīng)用于其自家產(chǎn)品，如采用小芯片架構(gòu)的Meteor Lake。zgUesmc

“隨著半導(dǎo)體設(shè)計(jì)復(fù)雜性的不斷提升，英特爾預(yù)計(jì)將持續(xù)投資于先進(jìn)封裝技術(shù)的研發(fā)，這不僅是為了支持其自家產(chǎn)品的路線圖，也是為了吸引外部客戶，”Chang表示。zgUesmc

汽車行業(yè)步入發(fā)展慢車道

Counterpoint預(yù)計(jì)，汽車半導(dǎo)體的庫存調(diào)整將持續(xù)到2025年上半年，從而影響市場(chǎng)的復(fù)蘇進(jìn)程。英飛凌（Infineon）和恩智浦（NXP）等全球集成設(shè)備制造商（也即IDM廠商）的高庫存水平，很可能導(dǎo)致向成熟節(jié)點(diǎn)代工廠的外包減少，從而進(jìn)一步壓低成熟節(jié)點(diǎn)的利用率。zgUesmc

“雖然電動(dòng)汽車和高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)的普及確實(shí)讓每輛汽車中的半導(dǎo)體含量有所增加，但汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)目前正經(jīng)歷一次調(diào)整，”Chang指出，“汽車市場(chǎng)已經(jīng)連續(xù)數(shù)個(gè)季度表現(xiàn)疲軟，而高利率進(jìn)一步削弱了需求，因?yàn)樵撔袠I(yè)對(duì)宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境非常敏感。”zgUesmc

根據(jù)Counterpoint的預(yù)測(cè)，2025年之后，晶圓代工行業(yè)有望保持穩(wěn)定增長(zhǎng)，從2025年到2028年，復(fù)合年增長(zhǎng)率將放緩至13%-15%。zgUesmc

報(bào)告稱，這一長(zhǎng)期增長(zhǎng)主要得益于3納米、2納米及以下先進(jìn)節(jié)點(diǎn)技術(shù)的發(fā)展，以及CoWoS和3D集成等先進(jìn)封裝技術(shù)的加速采用。這些技術(shù)進(jìn)步將成為未來3-5年行業(yè)增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿?，主要由高性能?jì)算和人工智能應(yīng)用需求的增長(zhǎng)所驅(qū)動(dòng)。Counterpoint認(rèn)為，臺(tái)積電將繼續(xù)引領(lǐng)行業(yè)，利用其技術(shù)優(yōu)勢(shì)塑造行業(yè)趨勢(shì)。zgUesmc

臺(tái)積電在全球代工市場(chǎng)中占有超過60%的份額，緊隨其后的是三星和英特爾。預(yù)計(jì)臺(tái)積電在2025年的資本支出將在380億至420億美元之間，較去年的298億美元有所增加。zgUesmc

芯片設(shè)備

根據(jù)行業(yè)組織SEMI的預(yù)測(cè)，芯片代工廠將繼續(xù)在半導(dǎo)體設(shè)備采購中占據(jù)主導(dǎo)地位。該機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示，今年晶圓代工行業(yè)預(yù)計(jì)將以10.9%的年增長(zhǎng)率增加產(chǎn)能，從2024年的每月1,130萬片晶圓增長(zhǎng)到2025年創(chuàng)紀(jì)錄的1,260萬片。zgUesmc

SEMI指出，2024年內(nèi)存行業(yè)的增長(zhǎng)相對(duì)較為溫和，增長(zhǎng)率為3.5%，預(yù)計(jì)2025年將進(jìn)一步放緩至2.9%。強(qiáng)勁的生成式人工智能需求正在推動(dòng)內(nèi)存市場(chǎng)的重大變化。對(duì)高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）的需求激增，使其與DRAM和NAND閃存細(xì)分市場(chǎng)的產(chǎn)能增長(zhǎng)趨勢(shì)形成了鮮明對(duì)比。zgUesmc

2025年1月，SK海力士憑借先進(jìn)存儲(chǔ)芯片（尤其是HBM）的強(qiáng)勁銷售，首次在年度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)上超越內(nèi)存行業(yè)領(lǐng)頭羊三星。SK海力士是英偉達(dá)唯一的HBM供應(yīng)商，而其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星和美光仍在努力推出自己的HBM產(chǎn)品。zgUesmc

本文翻譯自國(guó)際電子商情姊妹平臺(tái)EETimes，原文標(biāo)題：2025 Foundry Growth Forecast at 20%, Slowing from 2024zgUesmc