半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)本身是一個需要國際合作且產(chǎn)業(yè)鏈條極長的行業(yè)。一顆在美國設(shè)計(jì)的芯片,最終銷往中國,從原材料到成品芯片,可能涉及大約10個國家和地區(qū):有的負(fù)責(zé)提供材料和解決方案,有的
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)本身是一個需要國際合作且產(chǎn)業(yè)鏈條極長的行業(yè)。一顆在美國設(shè)計(jì)的芯片,最終銷往中國,從原材料到成品芯片,可能涉及大約10個國家和地區(qū):有的負(fù)責(zé)提供材料和解決方案,有的制造設(shè)備,有的進(jìn)行晶圓的生產(chǎn)制造,還有的負(fù)責(zé)封裝和測試。在設(shè)計(jì)鏈條上,還包括了芯片設(shè)計(jì)所需的工具、IP,以及設(shè)計(jì)流程的前端和后端等環(huán)節(jié)。fZ8esmc
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近兩年來,我們常說中國乃至全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正站在十字路口:新冠疫情、全球貿(mào)易與地區(qū)沖突、宏觀經(jīng)濟(jì)波動及各種不確定性因素,都使得這個產(chǎn)業(yè)的“全球化”趨勢發(fā)生了轉(zhuǎn)變。中國是受這波沖擊影響最大的國家之一,特別是在貿(mào)易和產(chǎn)業(yè)鏈限制方面。在這樣的背景下,我們不得不尋求更加自主的產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu),以真正滿足中國電子產(chǎn)業(yè)的市場需求,并依托半導(dǎo)體作為基石,發(fā)展更多的上層技術(shù)與應(yīng)用。fZ8esmc
似乎在大部分中國人的認(rèn)知里,半導(dǎo)體技術(shù)的自主化、國產(chǎn)化是近些年才被提起的議題。但將時間撥回到20世紀(jì)50-60年代,中國半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展之初,對于技術(shù)自主化的尋求就已經(jīng)深刻烙印在這個東方國家的基因之中。近兩年“自主化”努力被更多人看見,不過是時代大環(huán)境的映襯罷了。fZ8esmc
從消費(fèi)市場的角度來看,中國是全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國。IC Insight早在2018年的報(bào)告中就提到,當(dāng)時全球排名前10的半導(dǎo)體公司,從R&D研發(fā)中心到生產(chǎn)制造,在中國皆有布局——這和中國市場對芯片的需求是分不開的。fZ8esmc
在區(qū)域化(Regionalization)趨勢聲浪尚不高的2018年,全球90%的手機(jī)、65%的PC、67%的電視都在中國工廠制造,這不單是有世界工廠之稱的中國有制造成本相對低的優(yōu)勢,也是在于離消費(fèi)需求地更近,很大程度上更有利于成本節(jié)約。fZ8esmc
但與此同時,普華永道2017年的數(shù)據(jù)顯示,同時期中國半導(dǎo)體企業(yè)僅為全球市場提供份額不到5%的半導(dǎo)體產(chǎn)品,而且技術(shù)層面起碼有2代的代差。當(dāng)時的不少分析也都認(rèn)為,中國國內(nèi)大約90%的半導(dǎo)體消費(fèi)都由外國企業(yè)供給——而2020年這個數(shù)字就下降到了83%。fZ8esmc
另一方面,于5、6年以后的現(xiàn)在,在大環(huán)境不濟(jì)、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期化下行,以及地緣政治的壓力下,中國本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)卻又交出了相當(dāng)亮眼的答卷。2024年Q1,中芯國際(SMIC)晶圓出貨量170萬片,營收17.50億美元,是歷史上第二高的營收季度,同比增長19.7%,也成為緊隨臺積電(TSMC)之后的第二大半導(dǎo)體晶圓制造代工廠(僅有Foundry業(yè)務(wù)的市場參與者)。并在隨后的Q2和Q3分別報(bào)收于19.01億、21.71億美元,同比增長21.8%和34.0%。fZ8esmc
與此同時,面向存儲市場,中國還有長江存儲(YMTC)這樣在整個行業(yè)內(nèi)真正實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先,且極大程度實(shí)現(xiàn)了技術(shù)自主化的企業(yè);加上近些年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在SiC、先進(jìn)封裝、通信、AI等技術(shù)領(lǐng)域的投入,和5-10年前已大不一樣。fZ8esmc
即便是在半導(dǎo)體制造設(shè)備這類尚存在瓶頸的子領(lǐng)域,中國的市場地位也已經(jīng)今非昔比。TrendForce 2024年年初的分析數(shù)據(jù)顯示,中國自主裝備已經(jīng)能夠處理半導(dǎo)體生產(chǎn)制造的多個步驟,而且在光刻膠剝離、洗凈、蝕刻等環(huán)節(jié)達(dá)成了較高的本土化率;而CMP(化學(xué)機(jī)械平坦 化)、熱處理、沉積等步驟也取得顯著進(jìn)展;即便如量測、涂膠與顯影、光刻、離子注入等部分還存在挑戰(zhàn)。fZ8esmc
IC Wise則預(yù)測,2024年中國芯片行業(yè)會結(jié)束下行周期,實(shí)現(xiàn)12%的增長;Foundry代工市場也會回歸為正增長——增幅9%;半導(dǎo)體設(shè)備市場提升約9.6%。此后8英寸晶圓產(chǎn)線利用率預(yù)計(jì)會提高到90%,12英寸產(chǎn)業(yè)利用率則增長至78%。IDC認(rèn)為至2030年,中國的Foundry成熟工藝(≥22nm)市場會實(shí)現(xiàn)大幅增長,在全球范圍內(nèi)占到將近4成份額(2023年為30%);中國在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的影響力也和幾年前大不一樣。fZ8esmc
即便美國的出口管制、技術(shù)封鎖等措施,以及全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都在走向某種程度的自主化和區(qū)域化,對中國半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展造成了負(fù)面影響;中國在半導(dǎo)體先進(jìn)制造工藝領(lǐng)域也還有待努力與前行,市場發(fā)展勢頭及實(shí)現(xiàn)更高程度的自主化意志不會變——畢竟這是一條走了已經(jīng)有60多年的路,是在諸多經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)之上的一搏。fZ8esmc
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國外研究機(jī)構(gòu)此前幾十年的研究結(jié)果皆認(rèn)同,中國一直以來的產(chǎn)業(yè)規(guī)劃思路在于有目標(biāo)、計(jì)劃性地加速特定行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步,并預(yù)設(shè)這些產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將有利于推動生產(chǎn)力往前、提高國民生活標(biāo)準(zhǔn)。這樣的思路貫徹到了從信息技術(shù)到農(nóng)業(yè)等諸多領(lǐng)域,也獲得了不少階段性成功——即便其中多少也遭遇了挫折。fZ8esmc
有意促成中外合資、引進(jìn)國外技術(shù),以及通過“五年計(jì)劃”的持續(xù)推進(jìn)和引導(dǎo)國外直接投資等措施,都是發(fā)展過程中的具體實(shí)施方案。當(dāng)代具有代表性的成果包括上海培育了完整的汽車產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈,以及國家政策對通信行業(yè)的持續(xù)支持,這些都促進(jìn)了該行業(yè)的完善。僅在過去的10年里,中國就在科學(xué)、技術(shù)等多個領(lǐng)域,頒布了超過100份發(fā)展計(jì)劃。fZ8esmc
而半導(dǎo)體行業(yè)始終是這些計(jì)劃中的關(guān)鍵,將其作為影響到經(jīng)濟(jì)及國家安全的戰(zhàn)略性技術(shù)對待。對新中國而言,半導(dǎo)體是個可以從1956年就說起的歷史故事。實(shí)際上德州儀器(TI)也是在1958年才構(gòu)建起真正意義上的IC集成電路。fZ8esmc
中國的首個晶體管就問世于1956年——即便某些研究報(bào)告將中國與半導(dǎo)體的歷史淵源前推至1954年由黃昆和謝希德所著的《半導(dǎo)體物理學(xué)》(如此算來,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)/技術(shù)發(fā)展至今剛好70年)。此二人當(dāng)年從美國毅然回到中國后,就在北京大學(xué)開啟了固態(tài)物理學(xué)專業(yè),隨后國內(nèi)的其他高校也都跟進(jìn)。北京大學(xué)也因此被認(rèn)為是中國半導(dǎo)體行業(yè)誕生的搖籃。fZ8esmc
國外的不少研究報(bào)告將中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分成4個階段,早期是20世紀(jì)50至60年代開局的第一階段,主要特點(diǎn)是由國家和政府領(lǐng)銜技術(shù)發(fā)展計(jì)劃。最初國務(wù)院發(fā)布了《1956-1967年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃》,將半導(dǎo)體技術(shù)視作國家在生產(chǎn)與國防方面需加緊發(fā)展的領(lǐng)域,具備關(guān)鍵優(yōu)先級。不僅是5所高校開設(shè)半導(dǎo)體相關(guān)專業(yè),而且在于不少知名的工廠也在此階段相繼創(chuàng)立,比如培養(yǎng)起了先期人才的無錫742廠(江南無線電器材廠)。fZ8esmc
還有常被人提起的是774廠(即北京電子管廠),最早通過還原氧化鍺拉出了鍺單晶,很快成為彼時中國最先進(jìn)的半導(dǎo)體廠;20世紀(jì)60年代774廠開始造鍺合金結(jié)型晶體管。當(dāng)時這種晶體管也都還是手工制造,774廠的工人們用烙鐵來將銦球熔到鍺上。這些器件不少進(jìn)入到了中國的首批半導(dǎo)體收音機(jī)里,1963年還通過中國香港走向了世界市場。這也應(yīng)當(dāng)是一段時間內(nèi),中國人習(xí)慣將半導(dǎo)體與收音機(jī)劃等號的最初由來。fZ8esmc
另外,值得一提的是,774廠之所以如此知名,很大程度上是因?yàn)樗徽J(rèn)為是京東方的前身,而京東方如今已成長為全球領(lǐng)先的顯示面板國產(chǎn)制造商。fZ8esmc
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1965年,上海的一家元器件廠與中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所(SIMIT)合作,生產(chǎn)出中國首個TTL(晶體管-晶體管邏輯電路)集成電路。其時晶體管與集成電路的重要應(yīng)用方向就在軍事與航空航天。關(guān)鍵人物黃敞于1959年受錢學(xué)森影響歸國,支持中國的導(dǎo)彈計(jì)劃研究所需晶體管與電路......皆為中國半導(dǎo)體事業(yè)最初發(fā)展值得被提起的典型案例。fZ8esmc
但一般研究皆認(rèn)為,隨著1964年中國開始將更多精力放在包括三線建設(shè)及其他的國家發(fā)展策略調(diào)整的重心之上,中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)受到了相當(dāng)程度的影響。另外,還有研究則指出,這一階段的半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展過程中,研發(fā)與生產(chǎn)是割裂的:尤其是R&D在中國國家實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行,而生產(chǎn)則在國有工廠內(nèi)實(shí)施。雙方鮮有協(xié)同,令技術(shù)轉(zhuǎn)化變得困難。fZ8esmc
到20世紀(jì)70年代,雖然約有40家工廠參與到半導(dǎo)體相關(guān)的生產(chǎn)制造中,但是絕大部分都只是生產(chǎn)簡單的二極管和晶體管,而非集成電路。fZ8esmc
在20世紀(jì)70至80年代,隨著1977年高考恢復(fù)和1978年改革開放,中國的芯片產(chǎn)業(yè)迎來了發(fā)展契機(jī)。中國高校相繼設(shè)立了半導(dǎo)體和電子相關(guān)學(xué)位,并派遣人員赴海外學(xué)習(xí)先進(jìn)技術(shù)。政府從產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的角度出發(fā),引進(jìn)國外先進(jìn)設(shè)備,對國有半導(dǎo)體企業(yè)進(jìn)行技術(shù)升級和新廠建設(shè),投入了巨額資金。fZ8esmc
在那個時期,特別值得一提的是1977年我國自主研發(fā)的最早光刻機(jī)——GK-3型半自動光刻機(jī)的誕生,這一事件至今仍被人們津津樂道。中國光刻機(jī)的發(fā)展在20世紀(jì)70年代末至80年代初迎來了一段小高潮,這段歷史無疑值得深入撰文探討。fZ8esmc
在六五計(jì)劃(第六個五年計(jì)劃, 1981-1985年)期間,20世紀(jì)80年代初期,中國國務(wù)院于成立了“電子計(jì)算機(jī)和大規(guī)模集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組”,著眼于對中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)做現(xiàn)代化改革。到1985年,國有半導(dǎo)體廠就斥資從國外引入了24條半導(dǎo)體生產(chǎn)線。1984-1990年期間,政府、國有企業(yè)及高校學(xué)府,嘗試過創(chuàng)立多達(dá)超過30家半導(dǎo)體新廠。fZ8esmc
然而,由于人才短缺、引進(jìn)的技術(shù)相對落后,以及后續(xù)一段時間內(nèi)對進(jìn)口的倡導(dǎo)等因素,這些工廠和生產(chǎn)線中最終實(shí)現(xiàn)商業(yè)化成功的案例并不多。有必要指出的是,發(fā)達(dá)國家的技術(shù)封鎖并非僅限于當(dāng)前。過去,CoCoM(輸出管制統(tǒng)籌委員會,又稱巴黎統(tǒng)籌委員會)就實(shí)施了各種貿(mào)易限制,而伴隨中國半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的外部限制也一直存在。fZ8esmc
同期的諸多工廠中,最具代表性的仍然是無錫742廠。20世紀(jì)60年代末70年代初,742廠為無線電等軍用設(shè)備生產(chǎn)分立器件,而且質(zhì)量出眾。1980年,742廠成為六五計(jì)劃的核心企業(yè)之一。當(dāng)時中國從東芝買下兩條產(chǎn)線,其一為5μm工藝3英寸晶圓(bipolar),其二為存儲工藝節(jié)點(diǎn)的4英寸晶圓。作為工藝轉(zhuǎn)移的一部分,中國工程師也進(jìn)行了駐廠學(xué)習(xí)。fZ8esmc
雖然這兩條產(chǎn)線并非是先進(jìn)工藝,但也助力742廠在1984年達(dá)成了年產(chǎn)量3,000萬片晶圓的成果;到1985年,742廠晶圓的良率已經(jīng)超過了80%,為電視機(jī)產(chǎn)出超過7,000萬的集成電路。20世紀(jì)80年代后期,一半的中國產(chǎn)電視都在用742廠所造的芯片。1986-1987年,742廠與當(dāng)時的二十四所無錫分所合并,共同成立無錫微電子聯(lián)合公司,也就是后來的華晶電子,開啟了一段新征程。fZ8esmc
外界對于華晶電子的評價是中國首個實(shí)現(xiàn)LSI(大規(guī)模集成電路)量產(chǎn),也是首個實(shí)現(xiàn)VLSI(超大規(guī)模集成電路) 64K RAM芯片原型打造的企業(yè)。華晶及同期諸多業(yè)界同仁的努力,也讓國家和行業(yè)看到了希望。fZ8esmc
1990年“908工程”啟動。該工程的目標(biāo)是要向世界表明,中國有能力打造領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)。其中,一大舉措就是投入15-20億元人民幣幫助華晶電子將現(xiàn)有的5英寸產(chǎn)線升級至6英寸產(chǎn)線,計(jì)劃為以1μm或0.8μm工藝實(shí)現(xiàn)每月12,000片產(chǎn)能。這筆投資對當(dāng)時的中國而言絕對是個巨大的數(shù)目。fZ8esmc
只不過該項(xiàng)目最終未能達(dá)成預(yù)期,其原因眾多。例如,同時進(jìn)行DRAM和ASIC的研發(fā),未能集中資源;華晶也缺乏大項(xiàng)目管理人才;在決策層面,由于華晶當(dāng)時的龐大規(guī)模,存在尾大不掉的問題。1994年,在中國政府的牽頭下,華晶進(jìn)一步與朗訊(Lucent)合作,期望在通信交換技術(shù)方面進(jìn)行人才培養(yǎng)、引進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)和IP。然而,在技術(shù)消化與融合上遇到了問題,技術(shù)引進(jìn)受阻,客戶資源也未能及時跟進(jìn)。直至1997-1998年才開始生產(chǎn),而此時該技術(shù)已經(jīng)落后。fZ8esmc
九五計(jì)劃(1996-2000年)的到來,也開啟了“909工程”。中國政府聽取了不少產(chǎn)業(yè)發(fā)展意見和建議,決定采取更開放的態(tài)度,部分改變企業(yè)和技術(shù)發(fā)展過程中政府扮演的角色。上海華虹也就成為在此發(fā)展期間的關(guān)鍵企業(yè),上海政府為了支持華虹的發(fā)展,為華虹提供了諸多優(yōu)惠及便利政策。fZ8esmc
國際背景方面,雖然技術(shù)的進(jìn)出口限制問題是始終存在,但是中美關(guān)系開始升溫為在此期間的技術(shù)引進(jìn)提供了令人矚目的成果:不僅按時進(jìn)入量產(chǎn)將DRAM芯片帶到市場,而且在應(yīng)用上也收獲頗豐。fZ8esmc
華虹NEC兩年時間就建起了工廠,良率從50%快速提升至90%,到2000年實(shí)現(xiàn)了3.5億元人民幣的盈利。只不過,兩者的合作方式限制了技術(shù)學(xué)習(xí),且2002年全球DRAM市場開始步入下行期,華虹也在后續(xù)改變了合資與運(yùn)營的模式。企業(yè)層面的操作與轉(zhuǎn)向此處不做贅述。我們認(rèn)為,華虹作為新世紀(jì)的發(fā)展先驅(qū),無疑為中國半導(dǎo)體開啟新時代奠定了基礎(chǔ)。fZ8esmc
2001年底,中國正式加入WTO (世界貿(mào)易組織),中國市場很自然地吸引到諸多跨國企業(yè),它們紛紛在中國建立起本地化運(yùn)營實(shí)體。2000年,中國國務(wù)院印發(fā)《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》(國發(fā)[2000]18號文件),為在中國運(yùn)營的半導(dǎo)體企業(yè)提供了稅收優(yōu)惠,這包括本國企業(yè)和跨國企業(yè)。fZ8esmc
中芯國際(SMIC)正是在這樣的時代背景下成立的。自2002年開始量產(chǎn)以來,中芯國際迅速成長為中國規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造晶圓代工廠。在政府和各種優(yōu)惠政策的支持下,中芯國際取得了自國家開始扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)以來的巨大成就。同時,在保持與國外先進(jìn)企業(yè)技術(shù)和人才交流的大背景下,中芯國際始終保持著與全球最先進(jìn)晶圓代工廠的技術(shù)差距在可控范圍內(nèi)。fZ8esmc
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2005年,國務(wù)院印發(fā)《國家中長期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要(2006-2020年)》也再度提到了半導(dǎo)體對未來先進(jìn)技術(shù)發(fā)展具備核心價值。這份綱要后期也帶出了更多支持文件和政策,著眼在IP與技術(shù)的引進(jìn)、消化、吸收和再創(chuàng)新。可以說,這讓整個中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)真正敞開了懷抱,與國際企業(yè)合作、帶入國際先進(jìn)技術(shù),讓產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入快車道。fZ8esmc
在此過程中可被提及的芯片設(shè)計(jì)、制造等相關(guān)企業(yè)太多,自2005年至今的中國半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展實(shí)在可以用“飛速”來形容。但我們認(rèn)為,見證或譜寫這一歷史最具代表性的企業(yè)就是華為海思。深圳市海思半導(dǎo)體在2004年正式注冊,前身是創(chuàng)建于1991年的華為集成電路設(shè)計(jì)中心。fZ8esmc
尤其體現(xiàn)在對尖端設(shè)計(jì)與制造工藝有極高要求的手機(jī)芯片領(lǐng)域,海思的發(fā)展與2005年之后國家倡導(dǎo)的技術(shù)引進(jìn)、消化、吸收和再創(chuàng)新的思路高度契合。海思開始廣為人知的是其于2012年推出的首顆手機(jī)芯片——基于Arm Cortex-A9的K3V2,該芯片被應(yīng)用于華為Ascend D手機(jī)。然而,這顆芯片在發(fā)布之初并未獲得中國手機(jī)用戶的廣泛認(rèn)可。fZ8esmc
然而,海思在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域持續(xù)進(jìn)行高成本投入,并經(jīng)過數(shù)年的堅(jiān)持迭代,使得2016年推出的麒麟960芯片被外媒Android Authority評選為“Android 2016 Best”性能最佳芯片,給當(dāng)時的高通、三星等競爭對手帶來了當(dāng)頭棒喝。要知道,從2012年的K3V2到麒麟960僅僅相隔4年時間,在這期間對海思的質(zhì)疑從未間斷,但海思最終憑借實(shí)力證明了自己的價值。fZ8esmc
2017年海思在麒麟970手機(jī)芯片中率先加入了NPU(神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器),早于蘋果、三星、聯(lián)發(fā)科等一眾競爭對手預(yù)判了AI技術(shù)對手機(jī)的價值。這對中國芯片設(shè)計(jì)事業(yè)而言也是具有里程碑意義的事件。2018年DIGITimes Research公布全球前十大IC設(shè)計(jì)公司,海思位列第五,是唯一在榜的中國大陸企業(yè)。fZ8esmc
即便到了2020年,盡管因貿(mào)易沖突而屢遭挫折,海思仍然在IC Insights公布的全球TOP 10半導(dǎo)體銷售企業(yè)中排名第10。當(dāng)時,排在前十的企業(yè)還包括Intel、三星、臺積電、SK海力士、美光、博通、高通、德州儀器和英偉達(dá)。從海思這些年的發(fā)展歷程中,我們可以窺見當(dāng)代中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略的正確性。只不過,在探討戰(zhàn)略問題時,唯有拋開地緣政治的外部因素才能進(jìn)行深入討論。fZ8esmc
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中國的半導(dǎo)體發(fā)展戰(zhàn)略始終著眼于構(gòu)建從芯片設(shè)計(jì)、制造,到封裝測試,以及相關(guān)材料和裝備的自主生態(tài)閉環(huán)。這一點(diǎn)自20世紀(jì)50至60年代起就一直是貫穿始終的主題。這一目標(biāo)及其實(shí)施綱要可以在2014-2015年相繼發(fā)布的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》、《中國制造2025》,以及《<中國制造2025>重點(diǎn)領(lǐng)域技術(shù)路線圖(2015版)》中窺見一二。fZ8esmc
2014年的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》基本明確了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)要與領(lǐng)先的國際競爭對手看齊,并且通過資金、政策支持,內(nèi)外雙循環(huán)的投資加速技術(shù)引進(jìn)與學(xué)習(xí)。fZ8esmc
2014年的這份綱要提到了國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金,也就是現(xiàn)在我們常說的大基金,用于產(chǎn)業(yè)發(fā)展。中國不少地區(qū)政府也對應(yīng)的建立起了IC相關(guān)的基金??梢姇r下補(bǔ)貼、稅收減免與優(yōu)惠、政策刺激、投資工具皆為發(fā)展產(chǎn)業(yè)的手段。fZ8esmc
《中國制造2025》放眼于不同領(lǐng)域,與當(dāng)前中國強(qiáng)調(diào)“新質(zhì)生產(chǎn)力”和“產(chǎn)業(yè)升級”一脈相承。即從過往勞動力廉價的所謂“世界工廠”走向更高價值的技術(shù)與上游:通過知名品牌以現(xiàn)代化設(shè)備設(shè)施制造先進(jìn)產(chǎn)品,提升中國企業(yè)在本國與全球市場的價值。fZ8esmc
其間也格外強(qiáng)調(diào)了信息技術(shù),相關(guān)半導(dǎo)體與芯片。而重點(diǎn)領(lǐng)域技術(shù)路線圖更明確了發(fā)展芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè),加速芯片制造產(chǎn)業(yè)開發(fā),升級先進(jìn)封裝與測試產(chǎn)業(yè),并在集成電路的關(guān)鍵設(shè)備與材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。fZ8esmc
最后,在這種背景下,內(nèi)循環(huán)投資不僅強(qiáng)調(diào)綠地投資(greenfield investment),還進(jìn)一步包括與非中國企業(yè)的合資,這是自新世紀(jì)以來中外合資策略的延續(xù)。實(shí)際上,自從上述文件印發(fā)之后,中國國內(nèi)已經(jīng)建立了許多多國合資企業(yè),其中絕大多數(shù)是既有合作的擴(kuò)展,涉及的企業(yè)包括Intel、SK海力士、三星等。對于中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說,這依然是學(xué)習(xí)和吸收技術(shù)的重要機(jī)會。fZ8esmc
外循環(huán)投資則部分通過收購、技術(shù)授權(quán)與獲取來達(dá)成國產(chǎn)半導(dǎo)體技術(shù)的精進(jìn)和進(jìn)步。單純從2014-2016年,中國企業(yè)在海外參與的投資與并購積極性變化,就能看到這方面的顯著成果。fZ8esmc
2020年之后的眾多大環(huán)境不確定性,以及全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不可避免地走向區(qū)域化,都凸顯了早在10年前這些策略的必要性。與21世紀(jì)10年代之后相比,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展策略,相較于上世紀(jì)五六十年代的顯著轉(zhuǎn)變和思路差異,清晰地展示了這70年來發(fā)展歷程的艱辛。fZ8esmc
遙想三星電子1976年收購韓國半導(dǎo)體,當(dāng)時李健熙就意識到韓國發(fā)展半導(dǎo)體和集成電路產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀與最初美日面對的截然不同。因?yàn)楹米叩穆范家呀?jīng)被美日企業(yè)走過,韓國面對的是投資規(guī)模更大、投資期更長的市場局面。fZ8esmc
實(shí)際上,自新世紀(jì)以來,中國面臨的是摩爾定律放緩、半導(dǎo)體尖端制造工藝成本指數(shù)級增長的市場現(xiàn)狀。相較于當(dāng)年韓國所面對的挑戰(zhàn),這一局面的難度可以說是夢魘級別的,非核心玩家根本無法應(yīng)對。中國正在努力在這一道路上披荊斬棘,在同樣是進(jìn)出口管制的時代背景下,新一輪的勝率和取得的戰(zhàn)果已經(jīng)遠(yuǎn)超過去。fZ8esmc
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