數(shù)據(jù)顯示,公司2024財(cái)年?duì)I業(yè)收入為66.1930萬億韓元,營業(yè)利潤為23.4673萬億韓元(營業(yè)利潤率為35%),凈利潤為19.7969萬億韓元(凈利潤率為30%),創(chuàng)下了有史以來最佳年度業(yè)績。2aGesmc
2024年第四季度的營收為19.7670萬億韓元,環(huán)比增加12%,營業(yè)利潤為8.0828萬億韓元,環(huán)比增加15%,凈利潤為8.0065萬億韓元。2024財(cái)年第四季度營業(yè)利潤率為41%,凈利潤率為41%。2aGesmc
與有史以來最高的2022年?duì)I收相比,2024年總營收高出了21萬億韓元以上,其營業(yè)利潤也超越了2018年存儲(chǔ)器市場超繁榮期的業(yè)績。2aGesmc
* 2022年年度營業(yè)收入:44.6216萬億韓元 / 2018年年度營業(yè)利潤:20.8437萬億韓元2aGesmc
SK海力士2024財(cái)年財(cái)務(wù)報(bào)表 單位: 億韓元2aGesmc
2aGesmc
SK海力士2024財(cái)年第四季度財(cái)務(wù)報(bào)表 單位: 億韓元2aGesmc
2aGesmc
SK海力士方面表示,“面向AI的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器需求強(qiáng)勁的情況下,憑借業(yè)界領(lǐng)先的HBM技術(shù)實(shí)力和以盈利為主的經(jīng)營活動(dòng),實(shí)現(xiàn)了歷史最高業(yè)績。”以2024年第四季度呈現(xiàn)高增長趨勢的HBM為例,其占據(jù)了整個(gè)DRAM銷售額的40%以上,企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(eSSD,enterprise SSD)銷售也持續(xù)增加。公司發(fā)言人強(qiáng)調(diào)稱,“以及時(shí)供應(yīng)滿足客戶要求的產(chǎn)品為競爭力,具備其就可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的盈利,公司通過此次業(yè)績得到證實(shí),其意義重大。”2aGesmc
截至2024年底,SK海力士的現(xiàn)金及現(xiàn)金等價(jià)物為14.2萬億韓元,同比增加了5.2萬億韓元,債務(wù)為22.7萬億韓元,同比減少了6.8萬億韓元。因此,債務(wù)和凈債務(wù)比率也分別大幅改善為31%和12%。 2aGesmc
SK海力士預(yù)測,隨著大型科技公司對(duì)AI服務(wù)器的投資擴(kuò)大,人工智能推理技術(shù)的重要性也日益增加,由此高性能計(jì)算所必需的HBM和高容量服務(wù)器DRAM的需求將持續(xù)增長。并且在客戶端產(chǎn)品市場預(yù)測部分庫存調(diào)整的情況下,搭載人工智能的PC和智能手機(jī)銷售有望提升,預(yù)計(jì)下半年市場狀況將有所改善。 2aGesmc
對(duì)此,該公司計(jì)劃今年增加HBM3E的供應(yīng)量,并適時(shí)開發(fā)出HBM4,根據(jù)客戶的要求進(jìn)行供應(yīng)。并且在需求穩(wěn)定持續(xù)的情況下,將為了具有競爭力的DDR5和LPDDR5生產(chǎn),推進(jìn)所需的先進(jìn)工藝轉(zhuǎn)換。NAND閃存方面,繼去年之后也將以盈利為主的運(yùn)營和滿足需求情況的靈活銷售戰(zhàn)略應(yīng)對(duì)市場。 2aGesmc
另外,SK海力士將固定年度股息從每股1200韓元提高至1500韓元,上調(diào)25%。并且將現(xiàn)金股息全年總額擴(kuò)大到1萬億韓元的規(guī)模。因此今后僅派發(fā)固定股息,將先前政策中包含的年度累計(jì)自由現(xiàn)金流(FCF,F(xiàn)ree Cash Flow)中5%份額優(yōu)先利用于加強(qiáng)健全的財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)。2aGesmc
1c DRAM競爭同樣激烈
彭博行業(yè)研究指出,SK海力士在最先進(jìn)HBM芯片領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位,這的確幫助其實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定的營業(yè)利潤率,盡管智能手機(jī)和個(gè)人電腦對(duì)傳統(tǒng)DRAM的需求可能正在失去動(dòng)力,導(dǎo)致NAND芯片的平均售價(jià)可能與美光一起略有下降。由于季節(jié)性需求疲軟,SK海力士可能預(yù)計(jì)DRAM和NAND芯片的出貨量將在第一季度環(huán)比下降,然后在第二季度復(fù)蘇。2aGesmc
但這并不影響SK海力士在DRAM開發(fā)方面的進(jìn)度。據(jù)MoneyToday報(bào)道,SK海力士預(yù)計(jì)最快將于2月份成為全球首家采用1c工藝量產(chǎn)DRAM的公司(不過,也有傳聞?wù)fSK海力士將其10nm級(jí)第六代1c DRAM的開發(fā)推遲了六個(gè)月,目標(biāo)日期為今年6月)。2aGesmc
另一方面,三星電子的第六代10納米級(jí)1c DRAM制程開發(fā)進(jìn)度出現(xiàn)延遲。原本計(jì)劃在2024年12月將1c DRAM的良率提升至 70%,達(dá)到結(jié)束開發(fā)工作、進(jìn)入量產(chǎn)階段所需的水平。但實(shí)際情況是,雖然三星在2024年底獲得了首款功能齊全的1c DRAM 芯片,但其產(chǎn)量未能達(dá)到目標(biāo)水平。值得注意的是,報(bào)道還補(bǔ)充道,由于產(chǎn)量問題導(dǎo)致的延遲也可能影響三星計(jì)劃在2025年下半年進(jìn)行的HBM4量產(chǎn)。2aGesmc
根據(jù)ZDNet之前的報(bào)道,SK海力士計(jì)劃最早在2025年6月向NVIDIA交付HBM4 樣品,預(yù)計(jì)全面產(chǎn)品供應(yīng)將在第三季度末開始。2aGesmc
為了避免最壞的情況發(fā)生,報(bào)道表示三星正在對(duì)1c DRAM設(shè)計(jì)進(jìn)行調(diào)整,并將盡最大努力加快開發(fā)進(jìn)程。否則,如果1c DRAM的生產(chǎn)在2025年底開始,HBM4的生產(chǎn)可能會(huì)進(jìn)一步推遲到2026年。加之美光宣布計(jì)劃在2025 年4月達(dá)成1c nm DRAM開發(fā)目標(biāo),這意味著三星很可能成為最后一家官宣1c nm DRAM的三大原廠。2aGesmc
責(zé)編:Elaine