Semi最新報(bào)告顯示，全球晶圓廠預(yù)測(cè)中的新項(xiàng)目包括 15 個(gè) 300 毫米和 3 個(gè) 200 毫米工廠，其中大部分預(yù)計(jì)將于 2026 年至 2027 年開(kāi)始運(yùn)營(yíng)。jjGesmc

預(yù)計(jì)半導(dǎo)體產(chǎn)能將進(jìn)一步加速，預(yù)計(jì)年增長(zhǎng)率為 6.6%，到 ??2025 年每月總產(chǎn)能將達(dá)到 3360 萬(wàn)片 2 億當(dāng)量晶圓 (wpm)【編輯注：200mm等效晶圓】。這一擴(kuò)張將主要受到高性能計(jì)算 (HPC) 應(yīng)用中前沿邏輯技術(shù)的推動(dòng)，以及生成式人工智能在邊緣設(shè)備中的日益普及。jjGesmc

2025 年，美洲和日本是領(lǐng)先地區(qū)，各有 4 個(gè)項(xiàng)目。中國(guó)大陸、歐洲及中東地區(qū)并列第三，計(jì)劃建設(shè) 3 個(gè)項(xiàng)目。臺(tái)灣地區(qū)計(jì)劃建設(shè) 2 個(gè)項(xiàng)目，而韓國(guó)和東南亞在 2025 年各有 1 個(gè)項(xiàng)目。jjGesmc

jjGesmc

SEMI 總裁兼首席執(zhí)行官 Ajit Manocha 表示：“半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)到達(dá)一個(gè)關(guān)鍵時(shí)刻，投資推動(dòng)著尖端和主流技術(shù)的發(fā)展，以滿足不斷變化的全球需求。生成式人工智能和高性能計(jì)算正在推動(dòng)尖端邏輯和內(nèi)存領(lǐng)域的進(jìn)步，而主流節(jié)點(diǎn)繼續(xù)支撐汽車、物聯(lián)網(wǎng)和電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵應(yīng)用。18 座新的半導(dǎo)體晶圓廠將于 2025 年開(kāi)始建設(shè)，這表明該行業(yè)致力于支持創(chuàng)新和顯著的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)。”jjGesmc

2024 年第四季度的《全球晶圓廠預(yù)測(cè)》報(bào)告涵蓋 2023 年至 2025 年，報(bào)告顯示全球半導(dǎo)體行業(yè)計(jì)劃開(kāi)始運(yùn)營(yíng) 97 座新的高容量晶圓廠。其中包括 2024 年的 48 個(gè)項(xiàng)目和 2025 年將啟動(dòng)的 32 個(gè)項(xiàng)目，晶圓尺寸從 300 毫米到 50 毫米不等。jjGesmc

先進(jìn)節(jié)點(diǎn)引領(lǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)擴(kuò)張 

預(yù)計(jì)半導(dǎo)體產(chǎn)能將進(jìn)一步加速，預(yù)計(jì)年增長(zhǎng)率為 6.6%，到 ??2025 年每月晶圓總量將達(dá)到 3360 萬(wàn)片 (wpm)**。這一擴(kuò)張將主要受到高性能計(jì)算 (HPC) 應(yīng)用中前沿邏輯技術(shù)的推動(dòng)，以及生成式 AI 在邊緣設(shè)備中的日益普及。jjGesmc

應(yīng)對(duì)大型語(yǔ)言模型 (LLM) 不斷增長(zhǎng)的計(jì)算需求，芯片制造商正在積極擴(kuò)大先進(jìn)節(jié)點(diǎn)容量（7nm及以下），預(yù)計(jì)到2025年將實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先的16%的年增長(zhǎng)率，增加300,000wpm以上，達(dá)到220萬(wàn)wpm。jjGesmc

受中國(guó)芯片自給自足戰(zhàn)略以及汽車和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用預(yù)期需求的推動(dòng)，主流節(jié)點(diǎn)（8nm~45nm）預(yù)計(jì)將再增加6%的容量，并在2025年突破1500萬(wàn)wpm的里程碑。jjGesmc

成熟技術(shù)節(jié)點(diǎn)（50nm 及以上）的擴(kuò)張較為保守，反映出市場(chǎng)復(fù)蘇緩慢且利用率較低。預(yù)計(jì)該部分將增長(zhǎng) 5%，到 2025 年達(dá)到 1400 萬(wàn) wpm。jjGesmc

晶圓代工部門產(chǎn)能繼續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng) 

預(yù)計(jì)代工廠將繼續(xù)成為半導(dǎo)體設(shè)備采購(gòu)的領(lǐng)導(dǎo)者。代工廠部門的產(chǎn)能預(yù)計(jì)將同比增長(zhǎng) 10.9%，從 2024 年的 1130 萬(wàn) wpm 增至 2025 年創(chuàng)紀(jì)錄的 1260 萬(wàn) wpm。jjGesmc

整體內(nèi)存領(lǐng)域顯示出可觀的容量擴(kuò)張，2024 年將溫和增長(zhǎng) 3.5%，2025 年將增長(zhǎng) 2.9%。然而，強(qiáng)勁的生成式 AI 需求正在推動(dòng)內(nèi)存市場(chǎng)發(fā)生重大變化。高帶寬內(nèi)存 (HBM) 正在經(jīng)歷顯著的增長(zhǎng)，導(dǎo)致 DRAM 和 NAND 閃存領(lǐng)域之間的容量增長(zhǎng)趨勢(shì)出現(xiàn)分??歧。jjGesmc

DRAM 領(lǐng)域預(yù)計(jì)將保持強(qiáng)勁增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到 2025 年將同比增長(zhǎng)約 7%，達(dá)到 450 萬(wàn) wpm。相反，3D NAND 的安裝容量預(yù)計(jì)將增長(zhǎng) 5%，在同一時(shí)期達(dá)到 370 萬(wàn) wpm。jjGesmc