綜合CNews、Tom′s Hardware報(bào)道，俄羅斯科學(xué)院微結(jié)構(gòu)物理研究所（IPM RAS）宣布了一項(xiàng)名為“高性能X射線光刻發(fā)展新概念”的計(jì)劃，旨在開發(fā)工作波長(zhǎng)為11.2納米的新型光刻設(shè)備。這一創(chuàng)新技術(shù)與荷蘭ASML公司的標(biāo)準(zhǔn)13.5納米波長(zhǎng)設(shè)備相比，預(yù)計(jì)將設(shè)備的分辨率提高20%，同時(shí)降低研發(fā)成本并簡(jiǎn)化制造流程。zF6esmc
俄羅斯還計(jì)劃使用氙作為激光等離子光源，替代傳統(tǒng)的錫，以減少光學(xué)元件的污染，并延長(zhǎng)關(guān)鍵零部件的使用壽命。zF6esmc
此外，新設(shè)備可能采用含硅光刻膠，以提升11.2納米波長(zhǎng)下的加工效率，為小規(guī)模芯片生產(chǎn)提供實(shí)用解決方案。zF6esmc
研發(fā)計(jì)劃分為三個(gè)階段：第一階段聚焦于基礎(chǔ)研究和關(guān)鍵技術(shù)辨識(shí)；第二階段制造每小時(shí)處理60片200毫米晶圓的原型機(jī)，并整合至國內(nèi)芯片生產(chǎn)線；第三階段的目標(biāo)是開發(fā)每小時(shí)處理60片300毫米晶圓的工業(yè)應(yīng)用設(shè)備。盡管俄羅斯光刻機(jī)的產(chǎn)量預(yù)計(jì)為ASML設(shè)備的37%，光源功率為3.6千瓦，但這一性能已足夠滿足小規(guī)模生產(chǎn)需求。俄羅斯計(jì)劃自主7nm芯片光刻機(jī)設(shè)備在2028年實(shí)現(xiàn)全面投產(chǎn)，效率預(yù)計(jì)比ASML光刻機(jī)高1.5-2倍。zF6esmc
受制于制裁和地緣政治因素，俄羅斯目前只能在有限的條件下獨(dú)立發(fā)展相關(guān)技術(shù)。俄羅斯決心通過創(chuàng)新路線圖來突破目前的困局，但設(shè)計(jì)這些EUV光刻系統(tǒng)可能需要十年甚至更長(zhǎng)時(shí)間。若研發(fā)進(jìn)展一切順利，未來俄羅斯可能會(huì)成為中小型芯片制造商的重要設(shè)備供應(yīng)商，為全球芯片生產(chǎn)提供新選擇，也為整個(gè)行業(yè)格局帶來新的變化。zF6esmc
責(zé)編：Elaine
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