變化一，國際大廠腳步放緩

Yole預(yù)計，全球SiC市場規(guī)模預(yù)計將從2025年接近60億美元增長至2029年的100億美元，年復(fù)合增長率預(yù)計約為36.7%。芯片和器件制造環(huán)節(jié)上，根據(jù)2023年企業(yè)財報測算，意法半導(dǎo)體(ST)、英飛凌(Infineon)、Wolfspeed、安森美(Onsemi)、羅姆(ROHM) 的總體市占率達(dá)到82%，產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)呈現(xiàn)高度集中狀態(tài)。ZJsesmc

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圖源：清純半導(dǎo)體ZJsesmc

得益于新能源汽車產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，這些大廠此前設(shè)定的業(yè)績目標(biāo)均為在2030年實現(xiàn)SiC功率電子市占率30-40%，產(chǎn)能規(guī)劃、投資力度方面也都頗為激進(jìn)。但下半年來，不夠穩(wěn)定的市場環(huán)境讓他們暫時放慢了腳步。ZJsesmc

• WolfspeedZJsesmc

近日，Wolfspeed宣布董事會已同意Gregg Lowe辭去公司總裁兼首席執(zhí)行官及董事會成員的職務(wù)。這一決定是在公司面臨電動汽車需求放緩，工業(yè)、能源終端市場訂單減少，以及2025財年第一財季虧損2.82億美元的背景下做出的。ZJsesmc

盡管根據(jù)英國《芯片法案》的規(guī)定，Wolfspeed可能獲得24億美元的資金注入，但公司在向純200mm碳化硅晶圓和設(shè)備制造的轉(zhuǎn)型過程中仍然舉步維艱。ZJsesmc

本月早些時候，Wolfspeed表示將為計劃關(guān)閉一家位于美國北卡羅來納州達(dá)勒姆(Durham)的150mm SiC工廠準(zhǔn)備1.74億美元的重組費用。公司還在最新一次財報電話會議上宣布將裁員20%(約1000人)，并放棄在德國恩斯多夫建廠計劃，以應(yīng)對歐洲電動汽車市場需求的放緩。ZJsesmc

• 英飛凌ZJsesmc

據(jù)外媒報道，由于半導(dǎo)體市場低迷，英飛凌決定推遲馬來西亞居林晶圓廠的第二階段建設(shè)，并削減10%的投資。不過這一消息沒有得到英飛凌官方回應(yīng)，外界普遍猜測如果屬實，表明當(dāng)前市場環(huán)境仍不夠樂觀，正如英飛凌CEO指出，“市場周期性疲軟仍在繼續(xù)，許多終端市場的復(fù)蘇乏力。”ZJsesmc

英飛凌馬來西亞居林“超級晶圓廠”第二階段建設(shè)的投資額高達(dá)50億歐元，原計劃將在未來幾年內(nèi)繼續(xù)擴建，完成后將成為全球最大且最具競爭力的200毫米碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠。ZJsesmc

根據(jù)英飛凌2024財年的財報，該公司全年總營收為149.55億歐元，同比下降8%；利潤為31.05億歐元，利潤率為20.8%，表明在面對市場需求疲軟的情況下該公司仍保持了一定的盈利能力。ZJsesmc

• 羅姆ZJsesmc

羅姆的SiC業(yè)務(wù)進(jìn)展及未來規(guī)劃也在近期做出了調(diào)整。按照原計劃，羅姆準(zhǔn)備在2021-2027年為SiC業(yè)務(wù)投入5100億日元(約合人民幣239.7億)，現(xiàn)在則準(zhǔn)備降至4700億-4800億日元(約合人民幣220.9億-225.6億)，2025財年達(dá)到1100億日元(約合人民幣51.7億)的銷售額目標(biāo)也被推遲到2026-2027年。ZJsesmc

產(chǎn)能方面，羅姆筑后工廠計劃于2025年開始大規(guī)模生產(chǎn)，宮崎第二工廠預(yù)計在2025年投產(chǎn)，原定“到2025年將SiC產(chǎn)能提升到2021年6倍”的目標(biāo)將順延至2026年實現(xiàn)。ZJsesmc

變化二，本土公司高速入局

盡管與國際大廠相比，國內(nèi)SiC的市場份額占比還比較小，但中國SiC器件設(shè)計與制造技術(shù)發(fā)展快速，產(chǎn)能持續(xù)擴張。預(yù)計到2026年，中國SiC產(chǎn)能、襯底產(chǎn)能將達(dá)460萬片，可滿足約3000萬輛新能源汽車的SiC器件需求，也確實存在著產(chǎn)能過剩的風(fēng)險。ZJsesmc

天岳先進(jìn)濟(jì)南和濟(jì)寧工廠年產(chǎn)能約6.7萬片，主要為4~6英寸半絕緣型襯底；上海臨港工廠已于2023年5月開始交付6英寸導(dǎo)電型SiC襯底，2026年全部達(dá)產(chǎn)后導(dǎo)電型碳化硅襯底年產(chǎn)能將超過30萬片。2023年下半年，該公司決定將6英寸SiC襯底的生產(chǎn)規(guī)模擴大至96萬片/年。ZJsesmc

天科合達(dá)北京工廠二期處于規(guī)劃中；徐州工廠二期總投資8.3億元，規(guī)劃年產(chǎn)16萬片碳化硅襯底晶片，2024年投產(chǎn)；今年2月，由天科合達(dá)子公司深圳重投天科負(fù)責(zé)運營的第三代半導(dǎo)體SiC材料生產(chǎn)基地也在深圳寶安區(qū)啟動，今年襯底和外延產(chǎn)能達(dá)25萬片。預(yù)計2025年底，天科合達(dá)6英寸襯底有效年產(chǎn)能達(dá)到55萬片。ZJsesmc

爍科晶體SiC二期項目預(yù)計為公司每年新增20萬片6~8英寸SiC襯底的產(chǎn)能，預(yù)計2025年實現(xiàn)年產(chǎn)30萬片。根據(jù)長期規(guī)劃，公司將繼續(xù)投資30億，形成接近200萬片的年產(chǎn)能。ZJsesmc

東尼電子的“年產(chǎn)12萬片SiC半導(dǎo)體材料”項目于2023年上半年實施完畢，并計劃利用東尼五期廠區(qū)廠房，實施擴建年產(chǎn)20萬片6英寸SiC襯底材料項目。ZJsesmc

三安光電2025年二期項目達(dá)產(chǎn)后，6英寸SiC襯底以及配套產(chǎn)能將達(dá)到36萬片。預(yù)計2023年末至2024年初，6英寸SiC產(chǎn)能規(guī)劃擴產(chǎn)至1.8~2萬片/月。8英寸產(chǎn)線方面，除了與ST合資，在重慶投資32億美元(約220億元)建設(shè)8英寸SiC外延與芯片代工廠外，還將單獨投資70億元在重慶建設(shè)8英寸SiC襯底工廠。ZJsesmc

士蘭微8英寸SiC項目進(jìn)入土方工程收尾階段，預(yù)計于2025年第三季度初步通線，第四季度試生產(chǎn)?？偼顿Y規(guī)模約120億元，兩期建設(shè)完成后將形成8英寸碳化硅功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力。ZJsesmc

以上只是中國SiC行業(yè)投資擴產(chǎn)熱情的一個縮影，據(jù)不完全統(tǒng)計，2023年全球公開披露的SiC相關(guān)擴產(chǎn)項目就有121起，總投資金額高達(dá)260億美元。其中，來自中國的擴產(chǎn)項目就有97起。ZJsesmc

變化三，材料、器件、工藝，三維看技術(shù)

從材料來看，基于成本、良率的需求，晶圓材料正在向大尺寸、低缺陷SiC襯底及外延制備的方向發(fā)展。這里主要指的就是碳化硅晶片從6英寸向8英寸的轉(zhuǎn)型升級。ZJsesmc

從器件來看，追求更低的SiC MOSFET比導(dǎo)通電阻，同時在可靠性、魯棒性更接近硅基IGBT水準(zhǔn)。國際頭部大廠目前基本維持3-5年的迭代周期，每次迭代會帶來20%-25%的比導(dǎo)通電阻值下降。而中國SiC MOSFET最新技術(shù)已經(jīng)對標(biāo)國際主流水平，并保持1年1代的快速迭代節(jié)奏。ZJsesmc

從工藝來看，繼續(xù)研究制約SiC MOSFET發(fā)展的基礎(chǔ)科學(xué)問題，比如通過采用高純度SiC襯底、改進(jìn)柵氧化層制作工藝來提升溝道遷移率等。ZJsesmc

變化四，價格持續(xù)下跌

進(jìn)入2024年，6英寸碳化硅晶圓襯底的主流市場價格已從高位迅速降至400~450美元的區(qū)間，較之前有了大幅下降。據(jù)行業(yè)分析師分析，6英寸碳化硅價格的暴跌主要歸因于供應(yīng)過剩和市場競爭加劇，而且隨著中國碳化硅產(chǎn)能擴張，大量產(chǎn)品涌入市場，導(dǎo)致供需失衡，價格承壓下跌。ZJsesmc

在中國市場，6英寸碳化硅襯底的價格下跌更為顯著。與國際供應(yīng)商報價維持在750~800美元之間相比，中國制造商的價格與國際供應(yīng)商的價格差異已擴大至30%左右，反映出中國碳化硅市場的激烈競爭和供應(yīng)過剩的現(xiàn)狀。ZJsesmc

器件價格方面，從去年9月到今年4月，1200V/40mΩ SiC MOSFET的平均價格已經(jīng)從35元跌到23元，下降幅度達(dá)到35%。對比同類型的1200V/40mΩ 硅基IGBT的價格，目前SiC器件的價格是硅基器件的1.5-2倍。業(yè)內(nèi)人士預(yù)測稱，未來兩三年內(nèi)，SiC器件與同規(guī)格IGBT器件的價格對比數(shù)值有望下降到1.2-1.5倍。ZJsesmc

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圖源：清純半導(dǎo)體ZJsesmc

業(yè)內(nèi)專家表示，碳化硅襯底和外延的價格都在持續(xù)下降，這種趨勢在短期內(nèi)可能繼續(xù)存在。隨著新布局產(chǎn)能的陸續(xù)投產(chǎn)，價格戰(zhàn)可能進(jìn)一步加劇，導(dǎo)致價格進(jìn)一步下跌。ZJsesmc

變化五，應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)動態(tài)發(fā)展

目前看到的一個明顯趨勢，是隨著汽車制造商對更高能效和續(xù)航能力的追求，整車廠在接下來的兩三年里會發(fā)布更多搭載800V平臺的車型，對SiC功率器件的需求會進(jìn)一步增加。可以說，“800V+SiC”已經(jīng)基本成為高端電動汽車標(biāo)配。ZJsesmc

與新能源汽車市場同步高速發(fā)展的還有充電基礎(chǔ)設(shè)施，尤其是在中國市場，新能源汽車與充電樁的配比達(dá)到了2.5:1，遠(yuǎn)高于歐美8:1的比例。根據(jù)中國充電聯(lián)盟數(shù)據(jù)，預(yù)計到2027年，中國用于充電基礎(chǔ)設(shè)施的第三代功率電子市場將達(dá)到21.8億元。這其中，高壓直流快充為SiC功率電子創(chuàng)造的市場機會最大。ZJsesmc

業(yè)內(nèi)人士指出，在完成SiC半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新及市場教育后，國際競爭焦點將逐步從技術(shù)研發(fā)轉(zhuǎn)移到大規(guī)模量產(chǎn)，而依托巨大的應(yīng)用市場和高效產(chǎn)能提升，中國在不久的將來很有可能主導(dǎo)全球SiC產(chǎn)業(yè)——第一階段是國際芯片供應(yīng)商主導(dǎo)供應(yīng)鏈，國內(nèi)SiC材料實現(xiàn)部分替代；第二階段是國內(nèi)市場實現(xiàn)全面國產(chǎn)替代，國際芯片與終端企業(yè)、國內(nèi)企業(yè)展開全面合作。ZJsesmc