在2024年，F(xiàn)D-SOI幾個大的技術(shù)里程碑包括：BdBesmc

• 3月19日，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）宣布與三星聯(lián)合推出 18nm FD-SOI 工藝。該工藝支持嵌入式相變存儲器（ePCM）。
• 意法半導(dǎo)體首款基于以上制程的 STM32 MCU 將于下半年開始向選定的客戶出樣，并計劃于 2025 年下半年量產(chǎn)。
• 6月11日，法國CEA-Leti宣布推出FAMES中試生產(chǎn)線，43家公司已正式表示支持，該生產(chǎn)線將開發(fā)包括10nm和7nm FD-SOI在內(nèi)的五套新技術(shù)。

三星和ST，把18FDS輕松帶入ePCM與MCU

除了今年聯(lián)手ST推出支持ePCM的18FDS產(chǎn)品，這些年，三星一直在打磨自己的18FDS工藝，包括曾于2019年和Arm建成了當時業(yè)界第一個綜合物理IP平臺，包括一個位于18FDS (18nm FDSOI)的eMRAM編譯器等。BdBesmc

近期的一個大進步是將其植入NVM方案：BdBesmc

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三星電子18FDS工藝集成與項目經(jīng)理Jinha Park強調(diào)了三星18FDS的四大核心優(yōu)勢：BdBesmc

• 1）三星18FDS工藝能夠提供很多創(chuàng)新的特征性能，比如基于三星18FDS工藝原生支持3.3V，相較于1.8V傳輸有著更高的傳輸速度和效率。
• 2）三星18FDS工藝提供混合STD（LVT/RVT/HVT），能夠幫助設(shè)計人員在不影響性能的情況下進一步優(yōu)化芯片的功耗。
• 3）三星18FDS工藝提供PPA（功率、性能和面積/成本）的分析功能可以幫助設(shè)計人員。
• 4）三星18FDS工藝憑借Low Leakage SRAM，具備低功耗優(yōu)勢。

他指出，當前FD-SOI工藝已經(jīng)成為自動駕駛、消費電子、通訊、機器人、工業(yè)和計算等領(lǐng)域的優(yōu)質(zhì)選擇。BdBesmc

跳過18/16/14nm，GlobalFourdries直奔12nm

相比三星和ST力推18nm，GlobalFoundries(格羅方德)的NextGen FDX放在了12nm。BdBesmc

格羅方德亞洲區(qū)總裁兼中國區(qū)主席洪啟財(Kay Chai Ang)指出，目前格羅方德依然在積極優(yōu)化22FDX的產(chǎn)能，比如將22FDX平臺的生產(chǎn)地進行調(diào)整，從德國擴展到了馬其他和紐約；同時，格羅方德也在優(yōu)化22FDX工藝的多樣性，并強大生態(tài)系統(tǒng)。BdBesmc

他表示，22FDX與3DHI技術(shù)結(jié)合后，仍有很大發(fā)揮空間，同時可將裸片空間減少45%以上，例如：BdBesmc

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從其分享的FD-SOI路線圖中可以看出，未來兩年的重點仍是開發(fā)22FDX+的特性，eMRAM和eRRAM是兩個重點方向。BdBesmc

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針對路線圖中的NextGen FDX，該公司產(chǎn)品線總監(jiān)Ruby Yan明確向國際電子商情記者確認，下一代技術(shù)是12FDX，并指出公司會直接跳過18nm。BdBesmc

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如上圖所示，相比22nm，12nm的技術(shù)優(yōu)勢非常明顯。BdBesmc

在論壇圓桌討論環(huán)節(jié)，主持人芯原股份創(chuàng)始人、董事長兼總裁戴偉民博士拋出一個問題 “28nm、22nm FD-SOI工藝之后，是否還需要推出12nm FD-SOI工藝?（單選）“BdBesmc

現(xiàn)場嘉賓與觀眾超過86%的人認為是有必要的。BdBesmc

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但再進一步問及“10nm“的必要性時，支持率就大幅下降。BdBesmc

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究其原因，筆者認為是戴博士提到的一個技術(shù)點“12nm是double pattening“能做到的最小節(jié)點，下一步10nm及8nm就需要triple patterning來實現(xiàn)了，成本應(yīng)該是制約的主要因素。 BdBesmc

在成本方面，IBS首席執(zhí)行官Handel Jones有一個更細節(jié)的分享，他指出22nm FD-SOI的成本將和28nm HKMG成本相近，而工藝繼續(xù)向下的話，F(xiàn)D-SOI的成本將顯著低于FinFET。比如，16nm FinFET芯片的成本比18nm FD-SOl芯片高20%；7nm FinFET芯片的成本比12nm FD-SOl芯片高24%。BdBesmc

在功耗方面，12nm FD-SOl的功耗比7nm FinFET低12%至16%；此外，12nm FD-SOl的射頻連接性能優(yōu)于7nm FinFET。因此，對于大多數(shù)應(yīng)用，12nm FD-SOI的PPC優(yōu)于7nm FinFET。BdBesmc

綜合以上因素，他進一步認為FD SOI在“≥12納米和≤28 納米“時優(yōu)于CMOS和FinFET，這段工藝節(jié)點之間FD SOI具有出色的PPC特性，且射頻表現(xiàn)也很出色；另外，再利用chiplet和特殊封裝，12 納米 FD SOI 可支持高性能數(shù)據(jù)中心和低功耗移動應(yīng)用。BdBesmc