當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）在其《300mm晶圓廠2027年展望報(bào)告(300mm Fab Outlook Report to 2027)》報(bào)告中預(yù)測，在數(shù)據(jù)中心和邊緣設(shè)備中使用的人工智能(AI)芯片需求不斷增長推動(dòng)下，預(yù)計(jì)在2025至2027年的三年間，半導(dǎo)體制造業(yè)者對于半導(dǎo)體設(shè)備的資本支將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的4000億美元，其中以中國大陸、韓國、中國臺灣地區(qū)支出最多。d2Fesmc

SEMI 總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示：“2025年全球300mm晶圓廠設(shè)備支出預(yù)計(jì)將大幅增加，為半導(dǎo)體制造業(yè)投資創(chuàng)下三年紀(jì)錄奠定了基礎(chǔ)。全球?qū)π酒钠毡樾枨笳谕苿?dòng)設(shè)備支出，無論是針對人工智能應(yīng)用的前沿技術(shù)，還是由汽車和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用推動(dòng)的成熟技術(shù)。”d2Fesmc

d2Fesmc

從具體的區(qū)域表現(xiàn)來看，SEMI表示，中國大陸在自給自足的國家政策推動(dòng)下，未來3年中國半導(dǎo)體廠商對于半導(dǎo)體設(shè)備的資本支出額超過1000億美元，將持續(xù)成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備市場。但報(bào)告也補(bǔ)充道，中國半導(dǎo)體廠商的設(shè)備支出將從今年的創(chuàng)紀(jì)錄的450億美元下滑至2027年的310億美元。d2Fesmc

韓國由于存儲(chǔ)芯片制造大廠三星及SK海力士的助力，預(yù)估未來3年的半導(dǎo)體設(shè)備資本支出額將達(dá)810億美元。d2Fesmc

中國臺灣地區(qū)得益于臺積電等晶圓代工大廠的持續(xù)投入，將推動(dòng)其在未來3年內(nèi)在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的資本支出額達(dá)到750億美元。需要指出的是，臺積電目前也在美國、日本與歐洲設(shè)廠。d2Fesmc

美洲地區(qū)方面，預(yù)計(jì)將在未來3年內(nèi)在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域投資630億美元，而日本、歐洲和中東以及東南亞預(yù)計(jì)將在三年內(nèi)分別投資320億美元、270億美元和130億美元。d2Fesmc

SEMI還在報(bào)告中預(yù)測了細(xì)分市場的增長情況。預(yù)計(jì)2025年至2027年期間，晶圓代工設(shè)備支出將達(dá)到約2300億美元，這主要得益于對3nm以下尖端節(jié)點(diǎn)的投資以及對成熟節(jié)點(diǎn)的持續(xù)支出。對2nm邏輯工藝的投資以及2nm關(guān)鍵技術(shù)的開發(fā)，例如全柵(GAA)晶體管結(jié)構(gòu)和背面供電技術(shù)，對于滿足未來高性能和節(jié)能計(jì)算需求至關(guān)重要，尤其是對于人工智能應(yīng)用而言。由于對汽車電子和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的需求不斷增長，具有成本效益的22nm和28nm工藝預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)增長。d2Fesmc

邏輯和微電子領(lǐng)域預(yù)計(jì)將在未來三年引領(lǐng)設(shè)備支出擴(kuò)張，預(yù)計(jì)總投資額將達(dá)到1730億美元。內(nèi)存領(lǐng)域位居第二，預(yù)計(jì)同期將貢獻(xiàn)超過1200億美元的支出，標(biāo)志著另一個(gè)細(xì)分市場增長周期的開始。在內(nèi)存領(lǐng)域，DRAM相關(guān)設(shè)備的投資預(yù)計(jì)將超過750億美元，而3D NAND的投資預(yù)計(jì)將達(dá)到450億美元。d2Fesmc

電源相關(guān)領(lǐng)域位居第三，預(yù)計(jì)未來三年投資額將超過300億美元，其中復(fù)合半導(dǎo)體項(xiàng)目投資額約為140億美元。模擬和混合信號領(lǐng)域預(yù)計(jì)在同一時(shí)期將達(dá)到230億美元，其次是光電/傳感器領(lǐng)域，投資額為128億美元。d2Fesmc