D1Oesmc
武漢芯源半導(dǎo)體有限公司
D1Oesmc
通用高性能CW32F003/030系列D1Oesmc
1、ARM Cortex-M0+內(nèi)核單片機(jī)MCU,采用Prefetch+Cache架構(gòu),優(yōu)秀的CoreMark計算力/功耗比;D1Oesmc
2、穩(wěn)定可靠的eFLASH制造,確保工業(yè)高可靠應(yīng)用;HBM ESD 8KV,高可靠性,安全可靠;D1Oesmc
3、12位高速ADC,可達(dá)到±1.0 LSB INL,11.3 ENOB(有效位數(shù));16位高級控制定時器;D1Oesmc
4、超強(qiáng)抗干擾、超寬工作電壓1.65V-5.5V,超寬工作溫度-40℃-105℃。D1Oesmc
D1Oesmc
安全低功耗CW32L083/L031/L052系列D1Oesmc
1、CW32L031系列功耗典型值:深度休眠模式0.45uA,4us超低功耗喚醒時間;D1Oesmc
2、CW32L083/052系列集成特性:16位低功耗定時器;具備LCD段碼液晶驅(qū)動器;D1Oesmc
3、自動校準(zhǔn)定時器可做時鐘校準(zhǔn),或在Deepsleep模式下定時中斷喚醒MCU;D1Oesmc
4、12位高精度ADC,1 LSB,內(nèi)置1.5V和2.5V電壓參考Vref ± 60ppm/°C。D1Oesmc